导读:本文包含了高掺杂多晶硅论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:脉冲激光沉积,多晶硅薄膜,磷掺杂,应变系数
高掺杂多晶硅论文文献综述
王思源,王宙,付传起,骆旭梁,张英利[1]（2017）在《脉冲激光沉积磷掺杂多晶硅薄膜的压阻性能》一文中研究指出采用脉冲激光沉积法(PLD)制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究磷掺杂分数对多晶硅薄膜压阻性能的影响。结果表明,随着磷掺杂分数增大,多晶硅薄膜的应变系数先增大后减小。在磷掺杂分数为0.3%(质量分数)时,电阻横向应变系数的绝对值达到最大,为24.3,电阻纵向应变系数的绝对值达到最大,为12.6。横向电阻应变的非线性在1%~2.5%之间,电阻的温度系数为0.05%/℃,应变系数的温度系数为-0.06%/℃。(本文来源于《材料导报》期刊2017年S2期）
骆旭梁,王思源,王宙,雍帆,付传起[2]（2016）在《磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响》一文中研究指出采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。(本文来源于《材料导报》期刊2016年02期）
徐建彬[3]（2015）在《一种新型双掺杂多晶硅栅MOSFET的研究》一文中研究指出DDPG MOSFET作为一种新型的MOS器件,它具有提高驱动电流,提高器件的跨导和截止频率等优点。但是经过研究发现该器件仍然存在许多缺陷,例如关态电流和栅泄漏电流都比普通单栅MOS器件大很多,其跨导受到短沟道效应而减小的趋势较为明显。所以针对上述问题,本文在复合栅结构的基础上提出了一种新型器件DDPGPD MOSFET,该器件的创新之处在于近漏端沟道处加入了P+掩埋层并且加厚了D-gate氧化层厚度。本文首先从工艺角度着手,提出了实现DDPGPD的工艺步骤,特别是针对栅的实现以及P+掩埋层加入和D-gate氧化层加厚这叁个主要的工艺步骤给出了详细的工艺流程和参数。使用工艺模拟软件TSUPREM设计了DDPGPD工艺制作步骤,并将得到的结构文件导入Medici中进行电学特性模拟。在比较器件性能时首先要建立统一的阀值电压,所以首先对DDPGPD的Vth进行了分析。由于表电势最小值始终保持在S-gate下,因此S-gate浓度增加使器件阈值电压增加；而D-gate农度并不会影响阈值电压但是提高其浓度会增加驱动电流。而当P+掩埋层浓度和D-gate氧化层厚度在适当范围内,对阈值电压和驱动电流都不会产生影响。由于DDPG器件D-gate功函数较低,导致D-gate对沟道控制过强,使得DDPG关态电流和栅泄漏电流都比普通MOS器件大。而DDPGPD有效的减小了关态电流和栅泄漏电流,除此之外对于DIBL效应有更好的抑制效果。分析了DDPGPD瞬态特性,包括栅电容、跨导和截止频率。简化了栅电容的组成成分,给出了栅电容的等效电路,并且与DDPG栅电容比较发现DDPGPD具有更小的栅电容。比较了不同尺寸下DDPGPD, DDPG和NMOSFET的跨导,发现DDPGPD不仅保留了DDPG跨导比NMOSFET大的优点,而且抑制了DDPG跨导受到短沟道效应的影响,使跨导在原有基础上再次提高。最后通过计算得到截止频率,发现DDPGPD具有更大的截止频率,从而具有更快的响应速度。(本文来源于《安徽大学》期刊2015-05-01）
王宙,何旭,付传起,室谷贵之,杨萍[4]（2013）在《真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究》一文中研究指出为了进一步提高多晶硅薄膜的晶化率,采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上制备了掺杂稀土锗的多晶硅薄膜。用扫描电子显微镜(KYKY-1000B)和显微激光拉曼光谱仪(JY Labram HR 800)分析研究了不同掺杂分数的锗成分对掺锗多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构及薄膜晶化率的影响。结果表明:随着锗掺杂分数的增加薄膜表面更加平整、晶粒粒径变大分布更加均匀,晶化率升高;当掺杂分数为1%时,薄膜表面晶粒尺寸可达1μm、晶化率达到87.37%;但当掺杂分数超过1%,镀层表面又变得粗糙、部分晶粒发生变形、晶化率降低。这说明适量锗的掺入可以改善多晶硅薄膜表面平整度,促进薄膜表面晶粒的形成和长大,提高薄膜晶化率。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2013年11期）
姚若河,欧秀平[5]（2010）在《低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型》一文中研究指出对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行分析,将表面势开始偏离亚阈值区、沟道电流迅速增加时所对应的栅压作为晶体管的阈值电压.考虑到多晶硅薄膜的陷阱态密度为单指数分布,通过对低掺杂多晶硅薄膜晶体管的表面势进行求解,推导出一个多晶硅薄膜晶体管阈值电压解析模型,并采用数值仿真方法对模型进行了验证.结果表明:新模型所得到的阈值电压与采用二次导数法提取的阈值电压相吻合.(本文来源于《华南理工大学学报(自然科学版)》期刊2010年01期）
段雪,董四华,刘英坤,田秀伟,邓建国[6]（2009）在《重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究》一文中研究指出开展了不同工艺制作的重掺杂多晶硅栅n沟增强型功率VDMOSFET电离辐照效应实验研究,从n型重掺杂多晶硅制作工艺引起晶粒间复杂结构变化的角度分析解释了辐照实验中出现的阈值电压正漂和负漂两种不同趋势的辐射效应,提出了利用改变重掺杂多晶硅晶粒结构抑制功率VDMOSFET阈值电压漂移这种电离辐射效应的加固思路。(本文来源于《第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集》期刊2009-07-01）
谭开洲,胡永贵,张家斌[7]（1999）在《一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究》一文中研究指出采用常规Ｐ阱硅栅ＣＭＯＳ改进工艺，进行１．５～２μｍＣＭＯＳ工艺研究。与常规工艺相比，做出的ＰＭＯＳ管漏源击穿电压可达１８～２３Ｖ，５Ｖ工作电压下沟道调制效应较小，相应的欧拉电压可达２５～３０Ｖ，工艺特点在于采用了硼掺杂多晶硅作ＰＭＯＳ管栅电极，磷掺杂多晶硅作ＮＭＯＳ管栅电极。(本文来源于《微电子学》期刊1999年02期）
聂卫东,梅海军,范建超,孔德义[8]（1998）在《掺杂多晶硅发射极技术研究》一文中研究指出本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了实验结果及流行的理论解释，为采用多晶硅发射极技术进行的集成电路生产和科研提供了一定的参考和技术支撑。(本文来源于《微电子技术》期刊1998年03期）
[9]（1995）在《从原位掺杂多晶硅和外延硅层到单晶硅衬底的特殊低温掺杂剂扩散》一文中研究指出从原位掺杂多晶硅和外延硅层到单晶硅衬底的特殊低温掺杂剂扩散＝Ａｎｏｍａｌｏｕｓｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｄｏｐａｎｔｄｉｆｆｕｓｉｏｎｆｒｏｍｉｎｓｉｔｕｄｏｐｅｄｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｉｎｅａｎｄｅｐｉｔａｘｉａｌＳｉｌａｙｅｒｓｉｎｔｏｔｈｅ...(本文来源于《微电子学》期刊1995年02期）
[10]（1994）在《重掺杂多晶硅－锗膜的电特性》一文中研究指出重掺杂多晶硅－锗膜的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｈｅａｖｉｌｙｄｏｐｅｄｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ－ｇｅｒｍａ－ｎｉｕｍｆｉｌｍｓ［刊．英］／Ｒｉｎｇ．Ｔ．Ｊ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖ．...(本文来源于《微电子学》期刊1994年06期）
高掺杂多晶硅论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
高掺杂多晶硅论文参考文献
[1].王思源,王宙,付传起,骆旭梁,张英利.脉冲激光沉积磷掺杂多晶硅薄膜的压阻性能[J].材料导报.2017
[2].骆旭梁,王思源,王宙,雍帆,付传起.磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响[J].材料导报.2016
[3].徐建彬.一种新型双掺杂多晶硅栅MOSFET的研究[D].安徽大学.2015
[4].王宙,何旭,付传起,室谷贵之,杨萍.真空蒸镀锗掺杂多晶硅薄膜的研究[J].真空科学与技术学报.2013
[5].姚若河,欧秀平.低掺杂多晶硅薄膜晶体管阈值电压的修正模型[J].华南理工大学学报(自然科学版).2010
[6].段雪,董四华,刘英坤,田秀伟,邓建国.重掺杂多晶硅栅功率VDMOSFET辐射效应研究[C].第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集.2009
[7].谭开洲,胡永贵,张家斌.一种1.5～2μm双掺杂多晶硅栅CMOS工艺研究[J].微电子学.1999
[8].聂卫东,梅海军,范建超,孔德义.掺杂多晶硅发射极技术研究[J].微电子技术.1998
[9]..从原位掺杂多晶硅和外延硅层到单晶硅衬底的特殊低温掺杂剂扩散[J].微电子学.1995
[10]..重掺杂多晶硅－锗膜的电特性[J].微电子学.1994