导读:本文包含了界面杂质论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:黄铁矿,Se(Ⅳ),吸附,还原
界面杂质论文文献综述
黄树杰[1]（2017）在《黄铁矿中杂质组分对硒（Ⅳ）在黄铁矿—水界面上吸附/还原作用的影响》一文中研究指出Se是人体必须的微量营养元素,79Se具有放射性,其半衰期长达七万年,一般会随乏燃料后处理过程进入到高水平放射性废物(简称高放废物)中。黄铁矿可以将高价态的亚硒酸根离子SeO32-(Se(Ⅳ))吸附并还原成低价态的Se(0、-Ⅰ、-Ⅱ)沉淀,在阻滞Se的迁移中发挥重要作用。黄铁矿的理论分子式为FeS2,但常含有Co、Ni、Cu和Zn等杂质元素。杂质元素主要通过类质同象置换黄铁矿中的Fe,导致其物理化学性质发生改变。由于天然黄铁矿杂质组分较复杂,难以定量研究某一特定元素对其性质的影响,相反,采用人工合成的黄铁矿可以很好地解决该问题。此外,地下水环境条件复杂,多种环境因素影响Se的化学形态和在黄铁矿-水界面上的吸附/还原作用。因此,本文首先探讨了溶液初始pH、缓冲剂、预平衡时间和离子强度等对Se(Ⅳ)在天然黄铁矿-水界面上的影响。其次,通过人工掺杂杂质元素,探讨杂质元素对Se(Ⅳ)在黄铁矿-水界面上吸附/还原作用的影响,同时,采用多种大型仪器测试手段,对合成产物和反应产物进行分析和表征,主要结论如下:(1)采用人工合成含杂质元素黄铁矿,对合成产物进行表征。XRD证实合成产物为黄铁矿。ICP-AES结果显示,基本上,实际进入黄铁矿晶格替换Fe原子的杂质元素均低于理论值。SEM形貌观察表明,合成黄铁矿主要以纳米颗粒团聚体的形式存在。含Co黄铁矿与纯黄铁矿形貌相似,均为立方双锥体,粒径为800 nm左右;含Ni黄铁矿颗粒粒径仅为50 nm左右,且易团聚成块;含Cu黄铁矿粒径在1-4mm左右,表面粗糙不规则,不同Cu含量对黄铁矿形貌和粒径影响不大;含Zn黄铁矿颗粒粒径在50nm左右,含Zn黄铁矿由小颗粒团聚为粒径1-2mm的球形大颗粒。N2-BET证实,随着杂质元素含量的升高,比表面积增大,其中含Ni黄铁矿比表面积最大(24.67-29.53m2/g)。(2)考察了初始pH、缓冲剂、预平衡时间和离子强度等因素对Se(Ⅳ)在黄铁矿-水界面上吸附/还原作用的影响。结果表明,初始pH升高和预平衡时间增加,可促进黄铁矿吸附Se(Ⅳ)。推测是因为黄铁矿表面生成含Fe(Ⅱ)/Fe(Ⅲ)氢氧化物沉淀,使表面正电荷量增加,有利于吸附Se(Ⅳ)。pH=4.5时,CH3COOH-CH3COONa对反应起抑制作用,NaH2PO4-Na2HPO4对反应起促进作用,反应24h后,NaH2PO4-Na2HPO4、无添加缓冲剂和CH3COOH-CH3COONa缓冲体系中,黄铁矿分别吸附90%、25.6%和17.2%的Se(Ⅳ);在p H=6.0时,两种缓冲剂均可在一定程度上促进黄铁矿对Se(Ⅳ)的吸附作用。离子强度越高,黄铁矿吸附Se(Ⅳ)越慢。XPS和XANES结果显示黄铁矿去除Se(Ⅳ)的步骤是先将Se(Ⅳ)吸附于表面,再还原;Se(Ⅳ)的还原产物主要是Se(0),而不是热力学上更稳定的FeSe和FeSe2。(3)利用人工合成掺杂杂质元素黄铁矿,探明了杂质组分对Se(Ⅳ)在黄铁矿-水界面上吸附/还原作用的影响。结果表明,pH=4.5和6.0时,Co含量为2.4%和4.7%Co时抑制黄铁矿吸附Se(Ⅳ),而Co含量为13.4%Co时促进黄铁矿吸附Se(Ⅳ),在初始pH=6.0时,随着Co掺杂量的升高,Se(Ⅳ)的去除量升高;Ni的掺杂可促进黄铁矿吸附Se(Ⅳ),在初始pH=4.5时,反应24h后,含Ni黄铁矿接近100%的将Se(Ⅳ)吸附,而纯黄铁矿只有43.3%的Se(Ⅳ)被吸附;当Cu含量为3.6%和6.9%时抑制黄铁矿吸附Se(Ⅳ),而Cu含量为2.3%时促进黄铁矿吸附Se(Ⅳ);当Zn含量为1.0%和10.4%时促进黄铁矿吸附Se(Ⅳ),而Zn含量为2.6%时抑制黄铁矿吸附Se(Ⅳ)。初始pH越低,含杂质黄铁矿对Se(Ⅳ)的去除越快,特别是含2.4%Co黄铁矿最为典型。反应14天后,在初始pH为4.5和6.0条件下,含2.4%Co黄铁矿分别吸附了99.6%和48.5%的Se(Ⅳ)。XANES结果显示,含Co和含Ni黄铁矿还原能力均较出色,反应14天后,黄铁矿已全部将溶液中Se(Ⅳ)吸附并还原为Se(0)。含3.6%Cu的黄铁矿吸附能力比含2.3%Cu的弱,但前者还原能力比后者强;含1.0%Zn的黄铁矿还原能力比掺杂2.6%Zn黄铁矿强;人工合成黄铁矿的吸附能力和还原能力优于天然黄铁矿。(本文来源于《广东工业大学》期刊2017-05-01）
王春雷[2]（2016）在《ZnSe量子点中杂质-宿主材料界面缺陷的调控与利用》一文中研究指出过去人们通常认为量子点中的缺陷是不可控制的因此需要进行抑制。与以往报道不同的是,本文将关注如何控制和利用缺陷,尤其是量子点内部缺陷。主要的挑战有:(i)如何可控的在量子点内部预期的位置上引入内部缺陷;(ii)如何控制缺陷的类型为辐射复合缺陷或无辐射复合缺陷;(iii)如何利用内部缺陷。本文发现掺杂核与ZnSe宿主量子点界面是构筑不同类型内部缺陷的理想场所。一方面本文将展示如何在杂质-宿主材料界面构筑和调控辐射复合内部缺陷。实验结果表明辐射复合缺陷可做为一种新的辐射方式加以利用。通过合理控制各种实验条件能够灵活的调制出单一荧光峰或不同的双荧光峰组合。另一方面本文也将展示如何构筑无辐射复合内部缺陷,这些缺陷可以通过类似于光学滤光作用的方式改善量子点的荧光单色性。(本文来源于《中国化学会第30届学术年会摘要集-第叁分会：纳米传感新原理新方法》期刊2016-07-01）
廖开升,李志锋,李梁,王超,周孝好[3]（2015）在《阻挡杂质带红外探测器中的界面势垒效应》一文中研究指出通过变温暗电流和变偏压光电流谱实验对阻挡杂质带红外探测器的跃迁机理和输运特性进行了研究.结合器件能带结构计算的结果,证明了在阻挡杂质带红外探测器中主要由导带底下移效应引起的界面势垒的存在.提出了阻挡杂质带红外探测器的双激发工作模型,并从变偏压光电流谱中成功地分离出了与这两种物理过程所对应的光谱峰,进一步证实了器件的能带结构.研究了界面势垒效应对阻挡杂质带红外探测器的光电流谱、响应率和内量子效率的影响.研究表明,考虑进界面势垒效应,计算得到的器件响应率与实验值符合得很好.同时发现阻挡杂质带红外探测器中内建电场的存在等效降低了发生碰撞电离增益所需的临界电场强度.(本文来源于《物理学报》期刊2015年22期）
唐杰,张国英,鲍君善,刘贵立,刘春明[4]（2014）在《杂质S对Fe/Al_2O_3界面结合影响的第一性原理研究》一文中研究指出采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,研究了杂质S对Fe/Al_2O_3界面结合的影响.计算结果表明:S在界面上Fe3原子处的界面偏析能最小,因此S易于向Fe3原子处偏析.Fe/Al_2O_3界面的结合主要受界面两侧Fe和O原子间相互作用控制.态密度、键重迭布居数和电子密度的计算结果均表明:S在界面处的偏析减弱了界面处Fe原子和O原子之间的相互作用,而且S的存在会引起Fe和O原子之间较强的静电排斥,这些导致了界面结合力的下降.研究结果可以使我们深入理解S在Fe-Cr-Al合金界面处的偏析造成氧化膜与合金基体结合减弱及氧化膜在S偏聚处剥离的机理.(本文来源于《物理学报》期刊2014年18期）
江勇,蓝国强,王怡人,周松松[5]（2013）在《内氧化Cu/Al_2O_3界面热力学与杂质效应》一文中研究指出基于第一性原理方法,研究温度、原子化学配比、Al活度、O活度和杂质偏聚对内氧化Cu/Al2O3界面的影响作用。计算得到的界面相图及相应能量学结果表明:界面平衡相结构随制备气氛的变化而变化;富O相界面的结合强度最高,富Al相界面的结合强度其次,它们均约3倍于理想化学配比相界面的结合强度;杂质S对界面的危害性明显,对富Al相和理想配比相界面具有强烈的偏聚能力,且严重削弱界面强度(约可达65%),并降低氧化铝颗粒尺寸的稳定性,但S不能向富O相界面偏聚;相较于S,另一种杂质P向富Al相和理想配比相界面的偏聚能力不强,偏聚后对界面的危害性也较S弱。但P能向富O相界面偏聚,使界面强度严重降低。(本文来源于《中国有色金属学报》期刊2013年11期）
陈永欣,黎香荣,韦新红,韩清娟,崔翔[6]（2012）在《碰撞反应界面—电感耦合等离子体质谱法测定磷酸中15种痕量杂质元素》一文中研究指出使用传统的电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测定磷酸中杂质元素存在严重的多原子离子干扰,本文利用碰撞反应界面技术(CRI)有效地消除或降低了多原子离子干扰。实验表明,直接稀释磷酸样品后,采用89 Y-115In-209 Bi叁内标元素可补偿仪器的信号漂移和基体效应;采用无CRI模式可直接测定Mg、Al、Sr、Cd和Pb;采用He作为碰撞反应气可消除V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn和As的质谱干扰,并确定最佳He流量为90mL/min;采用H2作为碰撞反应气可消除Fe和Se的质谱干扰,并确定最佳H2流量为70mL/min。方法检出限为0.5～10ng/g,加标回收率为80%～120%。采用本方法测定工业和食品级磷酸样品,测得结果和其它方法一致,相对标准偏差不大于6.6%(n=6),适用于大批量样品的分析。(本文来源于《冶金分析》期刊2012年12期）
张磊[7]（2010）在《外加电场、界面杂质及有效质量对磁性隧道结散粒噪声的影响》一文中研究指出早在七十年代,为了得到自旋相关电子态的信息,已经开始了自旋极化隧穿的学习。近几年,透过铁磁体/绝缘层/铁磁体的自旋极化隧穿得到越来越多的关注。在本文中,我们运用散射方法研究了外加电场和界面杂质及有效质量对磁性隧道结隧穿特性的影响。主要介绍如下:(1)我们研究了外加电场对FM/I(S)/FM单结和双结隧穿概率和噪声的影响。首先计算了FM/I(S)/FM单结在外加偏压不同时隧穿概率和噪声随费米能量的变化情况,接着计计算了FM/I(S)/FM/I(S)/FM双结两边势阱电子为自旋向上而中间势阱的电子分别取自旋向上和向下这两种情况时,在不同的外加偏压下,隧穿概率和噪声随着电子的费米能量的变化,我们发现在隧穿概率的峰值处,噪声都出现了共振劈裂现象,这从噪声公式S = (e~3V_a)/(2πh)T(E)( 1 -T( E))中可以很容易看出来,当隧穿概率为1/2时,噪声达到最大值。随着偏压的增大,这种劈裂现象变的不明显,噪声的峰值变大;FM/I(S)/FM双结中间势阱电子是自旋向下时,隧穿概率出现峰值所需能量减小,在隧穿概率峰值处噪声发生共振劈裂现象所对应能量也变小,但是噪声的共振劈裂现象没有中间势阱电子为自旋向上时明显,两个共振劈裂之间的能量的间隔减小。(2)我们接着研究了界面杂质和有效质量对FM/NM/FM结噪声的影响。我们首先计算了不考虑电子有效质量影响时,在费米能量不同的情况下,噪声随界面杂质势γ值的变化情况,噪声在θ=π时并不等于零,说明这里的自旋阀效应不是很理想的状况,这是因为都在铁磁层的两带模型中,自旋并没有完全被极化,在费米面处,还有一些自旋向下的电子,在两个铁磁层极化方向相反的情况下仍有小的电流通过隧道结,这样的状况更接近于现实的情况;接着计算了在杂质势γ值不同时噪声随着费米能量的变化情况,噪声在γ=0时的振荡是相对于能量轴呈对称分布的,用两带模型理论可以很好的解释,随着杂质势γ的增加,噪声的震荡又出现了反对称情况,并且波峰的数量增多,这些现象与杂质诱导的准束缚态有很大的关系。当费米能量很大时,噪声的反对称情况减弱,说明这种由自旋相关效应引起的差异随费米能量的增加而变小。随角度的增大,相同费米能量对应的波峰更加尖锐。而噪声在θ=π时并不等于零,这还是说明这里的自旋阀效应不是很理想的状况,与上面的解释类似;然后计算了有效质量和杂质同时作用时噪声随杂质势γ值的变化情况,改变有效质量可以使波矢发生变化,从而影响了噪声共振峰出现的位置,说明有杂质存在时,有效质量的不同还是对噪声产生一定的影响。最后计算了在杂质势γ不同时噪声随费米能的变化情况,当m_1、m_3取不同值时,噪声在γ=0时是相对于费米轴呈反对称分布的,而随着杂质势γ的增加,噪声这种反对称分布更加明显,并且随着费米能量的增加,这种反对称分布差异变小,而当m_1、m_3均取1时,噪声在γ=0时是对称于费米轴分布的,而随着杂质势γ的增加,噪声呈现了反对称分布,并且随着费米能量的增加,这种反对称分布差异变小。这些情况说明电子的有效质量对噪声产生明显的影响。考虑质量的波形比下面不考虑质量影响的波形变化幅度小,波峰更加明显。(本文来源于《河北师范大学》期刊2010-04-01）
霍文晓[8]（2010）在《硅硅直接键合界面杂质分布研究》一文中研究指出根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律,使用集成电路模拟软件T-SUPREM 4建立一个键合过程中杂质再扩散模型。该模型有利于MEMS和IC电路的集成化设计。使用该模型对键合热处理时的杂质再扩散进行模拟,得到了在500℃温度下进行键合时界面处杂质的分布曲线。结果表明,热处理1 h杂质再扩散已基本停止;键合界面处的氧化层对杂质扩散有明显的阻止作用,这有利于改善器件性能。(本文来源于《现代电子技术》期刊2010年02期）
张敏,闫祖威[9]（2009）在《压力下GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的界面效应》一文中研究指出考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系。结果表明,结合能随压力的增大呈线性增加的趋势,有效质量位置的依赖性以及导带弯曲对结合能有不容忽视的影响。(本文来源于《发光学报》期刊2009年04期）
张敏,闫祖威[10]（2007）在《界面效应对GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的影响》一文中研究指出在有效质量近似下采用变分法以及界面处导带弯曲用叁角势近似,研究了氮化物半导体GaN/Ga1-xAlxN材料中杂质态的结合能随量子点尺寸及电子面密度的变化关系.结果表明,导带弯曲对结合能的影响不容忽视.当电子面密度较大时候,随着量子点尺寸的增大,杂质态结合能随电子面密度的增大呈线性变化,而在电子面密度较大时,结合能随着量子点半径的增加而迅速减小,且在某个尺寸附近出现极小值,然后缓慢增大.与其不同的是,对Zn1-xCdxSe/ZnSe结构,结合能则随着量子点半径的增加呈现非线性单调减小.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2007年06期）
界面杂质论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
过去人们通常认为量子点中的缺陷是不可控制的因此需要进行抑制。与以往报道不同的是,本文将关注如何控制和利用缺陷,尤其是量子点内部缺陷。主要的挑战有:(i)如何可控的在量子点内部预期的位置上引入内部缺陷;(ii)如何控制缺陷的类型为辐射复合缺陷或无辐射复合缺陷;(iii)如何利用内部缺陷。本文发现掺杂核与ZnSe宿主量子点界面是构筑不同类型内部缺陷的理想场所。一方面本文将展示如何在杂质-宿主材料界面构筑和调控辐射复合内部缺陷。实验结果表明辐射复合缺陷可做为一种新的辐射方式加以利用。通过合理控制各种实验条件能够灵活的调制出单一荧光峰或不同的双荧光峰组合。另一方面本文也将展示如何构筑无辐射复合内部缺陷,这些缺陷可以通过类似于光学滤光作用的方式改善量子点的荧光单色性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
界面杂质论文参考文献
[1].黄树杰.黄铁矿中杂质组分对硒（Ⅳ）在黄铁矿—水界面上吸附/还原作用的影响[D].广东工业大学.2017
[2].王春雷.ZnSe量子点中杂质-宿主材料界面缺陷的调控与利用[C].中国化学会第30届学术年会摘要集-第叁分会：纳米传感新原理新方法.2016
[3].廖开升,李志锋,李梁,王超,周孝好.阻挡杂质带红外探测器中的界面势垒效应[J].物理学报.2015
[4].唐杰,张国英,鲍君善,刘贵立,刘春明.杂质S对Fe/Al_2O_3界面结合影响的第一性原理研究[J].物理学报.2014
[5].江勇,蓝国强,王怡人,周松松.内氧化Cu/Al_2O_3界面热力学与杂质效应[J].中国有色金属学报.2013
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[7].张磊.外加电场、界面杂质及有效质量对磁性隧道结散粒噪声的影响[D].河北师范大学.2010
[8].霍文晓.硅硅直接键合界面杂质分布研究[J].现代电子技术.2010
[9].张敏,闫祖威.压力下GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的界面效应[J].发光学报.2009
[10].张敏,闫祖威.界面效应对GaN/Ga_(1-x)Al_xN量子点中杂质态的影响[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2007