导读:本文包含了双介质埋层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:槽栅,SOI,MOSFET,比导通电阻
双介质埋层论文文献综述
郑直,李威,李平[1]（2013）在《低比导通电阻P埋层SOI双介质槽MOSFET》一文中研究指出提出了一种带P型埋层的新型SOI双介质槽MOSFET。通过在SOI层底部引入P型埋层作为补偿,在耐压优化情况下增加漂移区的浓度,降低了比导通电阻。MEDICI TCAD仿真结果表明:在281V击穿电压下,该结构的比导通电阻为4.6mΩ.cm2,与不带P型埋层的结构相比,在达到同样耐压的情况下,比导通电阻降低了19%。(本文来源于《微电子学》期刊2013年04期）
陈开锋[2]（2008）在《双介质埋层SOI高压器件的研制》一文中研究指出SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照等优点已成为功率集成电路重要的发展方向。作为SOI HVIC的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压限制了其在高压功率集成电路中的应用,为此,国内外众多学者提出了一系列新结构以提高SOI横向高压器件的纵向耐压。但迄今为止,SOI横向高压器件均采用SiO_2作为埋层,且当前进入实用阶段的SOI器件击穿电压没有过600V。本文围绕SOI横向高压器件的耐压问题,提出了具有双介质埋层的SOI高压器件新结构。该器件结构的特征在于其埋层由双氧化层以及两氧化层之间的多晶硅构成,且第一氧化层存在窗口。通过第一氧化层的窗口对电场进行调制,在多晶硅界面引入电荷而增强第二埋氧层的电场,从而提高器件的纵向耐压。而且窗口的存在和较薄的第二埋氧层,大大减缓了器件的自热效应。在横向,结合场板技术、降场层技术来提高器件的整体耐压。分析了双介质埋层结构的SOI LDMOS的纵向耐压机理,该结构利用两层埋氧承受耐压,且在多晶硅下界面引入电荷Qs。根据电位移矢量的全连续性,界面电荷Qs使第二埋层内电场增加,从而提高纵向击穿电压,很好地解决了器件的纵向耐压问题。利用器件二维数值仿真软件MEDICI,详细研究多晶硅界面的电荷以及顶层硅和氧化层内电场分布,分析了开窗口位置大小和埋二氧化层厚度对耐压的影响。器件参数仿真后,借助TSUPREM4对其工艺进行优化设计。仿真结果表明,对于第一、二埋氧层厚度分别为2.5μm和0.5μm,顶层硅厚度为20μm的新结构器件,耐压从常规结构(2.5μm埋氧层厚度)的597V升高到799V。在理论分析、器件仿真和工艺模拟的基础上,进行大量的工艺实验研究,开发了基于SDB(Silicon Direct Bonding)技术的非等平面埋氧层SOI材料的制备工艺。此外,设计具有双介质埋层结构的SOI LDMOS器件的版图和工艺制备流程,并进行了工艺制备。最终研制出了耐压761V的双介质埋层SOI器件,其中第二埋氧层电场从常规结构的低于120V/μm增至400V/μm以上。(本文来源于《电子科技大学》期刊2008-04-01）
双介质埋层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
SOI(Silicon On Insulator)高压集成电路(High Voltage Integrated Circuit,HVIC)因其隔离性能好、漏电流小、速度快、功耗低和抗辐照等优点已成为功率集成电路重要的发展方向。作为SOI HVIC的核心器件,SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压限制了其在高压功率集成电路中的应用,为此,国内外众多学者提出了一系列新结构以提高SOI横向高压器件的纵向耐压。但迄今为止,SOI横向高压器件均采用SiO_2作为埋层,且当前进入实用阶段的SOI器件击穿电压没有过600V。本文围绕SOI横向高压器件的耐压问题,提出了具有双介质埋层的SOI高压器件新结构。该器件结构的特征在于其埋层由双氧化层以及两氧化层之间的多晶硅构成,且第一氧化层存在窗口。通过第一氧化层的窗口对电场进行调制,在多晶硅界面引入电荷而增强第二埋氧层的电场,从而提高器件的纵向耐压。而且窗口的存在和较薄的第二埋氧层,大大减缓了器件的自热效应。在横向,结合场板技术、降场层技术来提高器件的整体耐压。分析了双介质埋层结构的SOI LDMOS的纵向耐压机理,该结构利用两层埋氧承受耐压,且在多晶硅下界面引入电荷Qs。根据电位移矢量的全连续性,界面电荷Qs使第二埋层内电场增加,从而提高纵向击穿电压,很好地解决了器件的纵向耐压问题。利用器件二维数值仿真软件MEDICI,详细研究多晶硅界面的电荷以及顶层硅和氧化层内电场分布,分析了开窗口位置大小和埋二氧化层厚度对耐压的影响。器件参数仿真后,借助TSUPREM4对其工艺进行优化设计。仿真结果表明,对于第一、二埋氧层厚度分别为2.5μm和0.5μm,顶层硅厚度为20μm的新结构器件,耐压从常规结构(2.5μm埋氧层厚度)的597V升高到799V。在理论分析、器件仿真和工艺模拟的基础上,进行大量的工艺实验研究,开发了基于SDB(Silicon Direct Bonding)技术的非等平面埋氧层SOI材料的制备工艺。此外,设计具有双介质埋层结构的SOI LDMOS器件的版图和工艺制备流程,并进行了工艺制备。最终研制出了耐压761V的双介质埋层SOI器件,其中第二埋氧层电场从常规结构的低于120V/μm增至400V/μm以上。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双介质埋层论文参考文献
[1].郑直,李威,李平.低比导通电阻P埋层SOI双介质槽MOSFET[J].微电子学.2013
[2].陈开锋.双介质埋层SOI高压器件的研制[D].电子科技大学.2008