导读:本文包含了浮栅型存储器论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:浮栅型Flash存储器,电离总剂量效应,擦写耐久,数据保持
浮栅型存储器论文文献综述
刘岐,沈鸣杰,董艺[1]（2019）在《电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究》一文中研究指出文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其迭加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略。为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数。(本文来源于《航天器环境工程》期刊2019年03期）
王粉霞[2]（2019）在《有机场效应晶体管（OFET）型浮栅存储器的研制》一文中研究指出存储器作为信息存储、传输以及交流的主要载体,在人们日常生活中越来越不可缺少。有机场效应晶体管(OFET)型浮栅存储器因具有无损读出、可单晶体管存储以及与半导体集成工艺兼容等优势成为了有机存储器件研究的重要方向。本论文使用多晶硅(poly-Si)和碳量子点(C-QDs)作为浮栅制备了OFET型浮栅存储器,并分析了器件特性。主要内容如下:以多晶硅作浮栅,研制了结构为重掺杂的硅衬底(n~(++)-Si)/SiO_2/poly-Si/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/并五苯(pentacene)/Au的OFET型浮栅存储器。研究结果表明,随着PMMA隧穿层薄膜厚度的增加,器件的迁移率、同栅压下器件的沟道电流以及器件的存储窗口减小。PMMA隧穿层的退火时间会影响隧穿层薄膜的粗糙度,过长和过短的退火时间都将导致器件特性变差。对OFET型多晶硅浮栅存储器的电荷保持时间进行测试,结果表明,存储在多晶硅浮栅的载流子在100 s内快速流失,1000 s后只有初始值的40%。使用一步微波合成法制备了碳量子点,并将其应用在OFET型浮栅存储器中。研制了结构为n~(++)-Si/SiO_2/C-QDs+聚乙烯吡咯烷酮(PVP)/pentacene/Au和n~(++)-Si/SiO_2/PVP/pentacene/Au的器件。研究结果表明,碳量子点浓度会影响器件各功能层粗糙度,当碳量子点浓度为碳量子点原液与无水乙醇1:1稀释时,器件特性最好。在光照条件下对制备得到的OFET型碳量子点/PVP混合浮栅存储器进行编程和擦除,成功增大了存储器的存储窗口和电荷保持时间。研制了结构为n~(++)-Si/SiO_2/poly-Si/C-QDs/PMMA/pentacene/Au的OFET型双浮栅存储器。研究结果表明,碳量子点有效地改善了基于多晶硅浮栅的OFET型浮栅存储器的器件特性,将器件迁移率从单多晶硅浮栅的0.04 cm~2 V~(-1) s~(-1)提高到了0.06 cm~2 V~(-1) s~(-1),增强了器件对电荷的存储能力并且在编程电压和擦除电压V_P/V_E=±55 V时,产生了近40 V的存储窗口。(本文来源于《兰州大学》期刊2019-05-01）
李焕群[3]（2018）在《基于浮栅型的有机场效应光敏晶体管存储器的研究》一文中研究指出在如今火热的大数据时代背景下,信息技术的高速发展对数据存储器提出了更高的要求,例如在存储速度、存储密度、元件尺寸、机械柔性、制备工艺以及价格成本等方面。而具有高性能的有机场效应晶体管存储器的发展趋势满足上述要求。有大量的研究者从有机场效应晶体管存储器的器件结构、器件各功能层的材料和薄膜形貌等方面入手,调控有机场效应晶体管存储器的性能。本论文先从材料入手,找到合适的器件结构,在此基础上对薄膜形貌进行调控,提升器件的存储性能,并且利用光辅助的手段研究光敏材料对器件的影响。研究成果包括一下内容:首先,我们使用CsPbCl_3量子点材料与PS进行掺杂,采用混合浮栅型器件结构,探究对器件存储性能的影响,实验表明,掺杂CsPbCl_3量子点后,该种纳米粒子可作为独立的电荷存储单位保存一定的电量,器件的存储性能有明显提高。在此基础上,对CsPbCl_3量子点的吸收光谱进行分析,观察不同波长的光对器件存储性能的影响,发现器件在365 nm波长光照射下会发生偏移,而550 nm和650 nm的光在相同条件下则不行。其次,我们选用较为成熟的PbS量子点材料作为电荷存储层,在研究CsPbCl_3量子点的基础上,利用PbS量子点具有相当大的存储窗口的优点,近一步对器件光调控方面进行研究,比较不同波长的光对基于PbS量子点的浮栅型有机场效应晶体管存储器的影响。分别采用420nm、550 nm、650 nm叁种不同波长的光进行测试与比较,发现在施加相同栅压下,在420nm光照射下偏移最明显,而650 nm的最弱,这主要与PbS量子点的吸收峰和相同光强下不同波长的光能量不同有关。最后,总结上述两种无机量子点材料的制备基础上,将无机量子点材料替换成PVK,利用PVK具有优异的疏水性、表面能适合与并五苯结晶以及良好的成膜性等优势,以PS/PVK作为混合浮栅层,利用PS的稳定性和耐受性以及PVK良好的存储特性,提高器件的存储窗口的同时,提高器件的稳定性与耐受性。实验表明,PS与PVK掺杂在5:1的条件下,器件在拥有较大存储窗口的基础上,具有更好的稳定性和耐受性。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2018-11-14）
欧阳托日[4]（2018）在《基于65nm浮栅工艺NOR flash存储器驱动电路设计》一文中研究指出Flash存储器是主流的非易失型存储器,对其进行编程和擦除需要对存储单元各端施加不同的高压。电荷泵电路由于面积小,不需要使用电感成为了片上升压电路的首选。为加快对存储器的编程和擦除,电荷泵的充电速度是一个关注的重点;而为确保编程操作的准确度,抑制电荷泵的纹波也是一个重要的问题。本文根据NOR Flash存储器的应用需求,设计完成了 NOR Flash存储器的字线驱动电路和位线驱动电路,此外设计了一款片上温度检测电路。本文主要工作以及创新点如下:1、对理想电荷泵进行了 simulink仿真,和电荷泵的经典模型进行了比较和印证,利用电荷泵的模型分析了电荷泵的最优级数。2、设计了字线驱动电路,包括编程正高压电荷泵调节电路和擦除负高压电荷泵调节电路,分别产生10V正高压和-9V负高压,采用SKIP模式以获得较高的效率。总结了 Dickson电荷泵的纹波特性,对SKIP模式的纹波进行了分析,论证了 SKIP模式下电荷泵纹波和上升时间的关系,对两者进行了优化和折中。设计了电荷泵的振荡器、四相时钟生成器、电平移位器和带隙基准电路。3、设计了一种新型宽负载纹波抑制位线驱动电路,在负载电流为0.1mA到1mA范围内产生3.6V正高压。电荷泵分为3路并联,采用SKIP模式和频率调节模式混合的调节电路。特点是复用误差放大器,将两级放大器的第一级用作比较器。轻载时产生控制信号关闭2路电荷泵,运放第二级输出实现频率调节。为区分中载和重载,2路电荷泵中一路电荷泵的控制信号由迟滞反相器提供,利用其双门槛特性和另一路电荷泵区分开来。为在轻载时保证同样的纹波性能,对电容驱动器实行连续调节。在很宽的负载电流变化下实现了纹波抑制。4、设计了温度检测电路,利用带隙基准电路中的PTAT电流和电阻串联产生PTAT电压,并用ADC将转为3位数字输出。电路设计基于XMC65nm浮栅工艺,电源电压为1.8V,使用Cadence Spectre进行仿真。在标准工艺角下,字线驱动电路中正电荷泵负载电容为10pF,输出电压为10V,上升时间为307ns,输出纹波约为154mV,功耗为413uW;字线驱动电路中负电荷泵负载电容为20pF,稳定后输出电压为-9V,输上升时间为1.69us,输出纹波约为35mV,功耗为651uW;位线驱动电路负载电容为20pF,输出电压为3.6V,轻载(负载电流100uA)时,上升时间为86ns,纹波为232mV;重载(负载电流1mA)时,上升时间为134ns,纹波为201mV,重载时效率为59%。核心版图面积为0.268mm~2。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2018-05-08）
张恒[5]（2017）在《基于无机量子点的纳米晶非易失浮栅存储器研究》一文中研究指出随着半导体集成度的不断提高和半导体器件特征尺寸的进一步减小,基于传统连续浮栅的非易失性存储器正面临着严峻的挑战,主要为越来越薄的隧穿层厚度导致的电荷泄露问题。非易失性纳米晶浮栅存储器由于能够实现电荷的分立式存储,可进一步降低器件的尺寸,提高编程速度和耐擦写能力等,有望取代传统浮栅存储器,所以得到广泛关注。本文首先对存储器的类型、市场和发展历程进行了详细介绍,然后对浮栅存储器的工作原理进行了细致的分析。为了进一步改善存储器性能,本文主要从沟道材料选择和存储层结构构建两个方面对纳米晶浮栅存储器进行了系统地研究。具体工作如下:1.采用全无机钙钛矿CsPbBr_3量子点作为沟道材料,金纳米晶和PMMA分别作为存储层和隧穿层,制备了基于双极性钙钛矿量子点的纳米晶浮栅存储器。通过对存储器的输出特性和转移特性测试发现,在±5V的编程/擦除电压下获得2.4V的存储窗口,由此得出双极性量子点有利于扩大存储窗口。而且由于CsPbBr_3量子点的稳定性,存储器的数据保持时间和耐擦写能力也得到改善。经过10~7s后,存储器的两个状态仍然能够清晰分辨。经过200次的擦写循环,存储器的性能保持良好。2.利用金纳米晶和氧化石墨烯构建了基于PbS量子点的双浮栅存储器,将氧化石墨烯作为上浮栅旋涂在金纳米晶上,能够降低隧穿层表面的粗糙度。同时,氧化石墨烯本身带有大量的基团和缺陷,能够和金纳米晶一起俘获更多的电荷,扩大存储窗口。由电学性能测试可知,制备的双浮栅存储器在±10V的编程/擦除电压下,获得2.02V的存储窗口。而且,上下浮栅之间的能级差形成较大的势垒,有利于提高存储器的数据保持时间。实验结果也证实,经过10~5s后,存储器的存储窗口基本保持不变。基于PbS量子点的双浮栅存储器由于优越的性能,使得其具有非常大的潜力取代传统浮栅存储器。(本文来源于《天津大学》期刊2017-12-01）
包岩[6]（2017）在《基于光调控的浮栅型有机场效应晶体管非易失性存储器研究》一文中研究指出有机场效应晶体管存储器是有机电子学大家庭中的核心成员。有机场效应晶体管存储器具有非破坏性读取、易与有机电路集成、制备工艺简单、可与柔性基底兼容等优点,获得了研究人员的关注,得到了迅速的发展。有机半导体存储器是对传统半导体存储器的重要补充,扩大了信息存储所应用的范围。但目前有机场效应晶体管存储器的高性能、存储稳定性、存储机制、制备工艺等方面还有许多问题等待解决。本论文通过设计制备一系列的基于光调控的高性能浮栅型有机场效应晶体管存储器,并对其性能进行表征,存储机理进行分析。1.分别制备了无PMMA修饰层Si/SiO_2/CsPbBr_3/PMMA/Pentacene/Au与有PMMA修饰层Si/SiO_2/PMMA/Cs PbBr_3/PMMA/Pentacene/Au两种结构。对比PMMA修饰层对晶体管性能与存储稳定性的影响,筛选出适合基于CsPb Br_3浮栅性能稳定的器件结构。为下一步研究浮栅形貌提供器件结构支撑。PMMA修饰层有效的消除了浅电荷陷阱,消除了易失性的存储窗口,提高了存储稳定性。2.制备了不同形貌基于CsPb Br_3浮栅有机场效应晶体管存储器,研究不同形貌的浮栅对场效应晶体管性能的影响和存储性能的影响。筛选出基于CsPb Br_3浮栅性能最优异的器件。其开关电流比达到了106,捕获电子后的维持时间达到了107s以上。3.采用一步溶液加工的方式将PS与Au NPs材料的功能集成到一起,制备出集电荷阻挡层与电荷捕获层一体的浮栅型场效应晶体管存储器,并研究其存储性能。(本文来源于《南京邮电大学》期刊2017-10-26）
武超[7]（2017）在《全旋涂工艺构建核心体系制备浮栅有机晶体管存储器的研究》一文中研究指出与当前已产业化的无机半导体存储器相比,基于有机半导体材料的有机存储器因具有工艺简单、可低温加工、成本低、柔性应用等先天性的优点,成为当前国际上的研究热点之一。在多种有机存储器中,基于浮栅结构的有机薄膜晶体管非易失性存储器(FG-OTFT-NVM)具有非破坏性可读、非易失性存储、存储单元的单一晶体管结构、与集成电路具有更好的兼容性等优点,因此受到研究人员更多的关注。除了叁个终端电极之外,标准的FG-OTFT-NVM器件的核心体系是由有机半导体层(也称为有源层)、隧穿层、浮栅层和阻挡层这四层薄膜依次堆栈而成。迄今为止,FG-OTFT-NVM的研制普遍地存在以下两个特点:(1)采用顶栅结构制备FG-OTFT-NVM的报道很少,相比于底栅结构,顶栅结构的FG-OTFT-NVM因上层的绝缘层和栅电极对有机半导体层的自封装作用,能显着提升存储器的贮存和使用寿命;(2)在绝大数已报道的FG-OTFT-NVM器件中,其核心体系中至少有一层或二层的功能性薄膜采用了高真空、高成本、高能耗的传统半导体工艺方法制备,不仅在很大程度上抵消了FG-OTFT-NVM自身拥有的制备工艺简单、可低温加工、成本低、柔性应用等方面优势,还因为不同制备工艺技术的切换,中断了器件制备的连续性。在本论文研究中,我们立足于FG-OTFT-NVM自身的先天性优势,提出并开展了采用全溶液旋涂工艺制备由多层薄膜堆栈构建的核心体系的顶栅结构的FG-OTFT-NVM的研究工作。首先,我们开展了相关的实验工作,论证了全溶液旋涂方式制备FG-OTFT-NVM的核心体系的工艺兼容性。选用p型的聚合物半导体P3HT作为存储器的有源层,以聚合物PS混合小分子半导体TIPS-Pen分别作为浮栅层,选用聚合物PMMA作为隧穿层和阻挡层,制备了顶栅结构的FG-OTFT-NVM,提取了存储器的各项性能参数,并分析了器件的存储工作机制。针对于采用p型聚合物半导体制备的FG-OTFT-NVM器件所呈现的问题:即,单一的空穴在写入/擦除电压操作下,被存储于浮栅或从浮栅层被排除,而导致的存储器的读取电压不能设定为0 V,相应的存储性能参数相对较差。我们提出并制备了基于双极性聚合物半导体P(NDI2OD-T2)有源层的FG-OTFT-NVM。采用全溶液旋涂工艺制备了存储器的核心体系,优化了浮栅层中聚合物PS和小分子半导体TIPS-Pen两者的比例关系。实现了双极性电荷(电子和空穴)分别在写入和擦除电压下,以过饱和覆写的方式,被注入并存储在浮栅层,增大了存储器的存储窗口,并实现了理想的读取电压VR=0V,延长了电荷存储保持时间。制备的存储器的整体性能参数与当前阶段国际上已报道的处于领先水平的同类器件相当。进一步的,我们从PS与TIPS-Pen的混合氯苯溶液,通过一次旋涂工艺制备了一体化的隧穿层/浮栅层薄膜,简化了FG-OTFT-NVM的器件结构和工艺制备流程,进一步突出了在工艺制备和成本方面的优势。研究了一体化的隧穿层/浮栅层中PS与TIPS-Pen的比例成分对器件存储性能参数的影响,并得到优化的结果。基于优化的一体化的隧穿层/浮栅层结构的FG-OTFT-NVM,获得了良好的存储器性能。最后,我们分别在PES和PI柔性衬底上,采用全溶液旋涂工艺构建存储器的核心体系,制备了FG-OTFT-NVM,两组柔性存储器均现了明显的非易失性存储效果。我们的研究表明,与当前已经产业化的Si基半导体的同类器件相比,能够采用全溶液法旋涂工艺构建器件的核心体系,实现FG-OTFT-NVM的制备,在可低温和大面积制备、能耗与成本等方面呈现了巨大的优势,也揭示了FG-OTFT-NVM在柔性、可穿戴的电子器件等领域有广阔的应用前景。(本文来源于《吉林大学》期刊2017-06-01）
王竞立[8]（2017）在《二硫化钼晶体管的界面优化及在浮栅存储器上的应用》一文中研究指出为了提高电子器件的性能和集成度,场效应晶体管的特征尺寸越来越小,而基于体半导体材料的场效应晶体管的尺寸主要由热效应所限制。静态功耗和源漏之间的短沟道效应造成的漏电流是导致功耗增加的主要原因。同时由于硅表面存在悬挂键,同时在硅的厚度降低到5 nm以下时无法获得质量很好的晶体,使得制程的缩小变得越来越困难。在以二维材料作为沟道的晶体管中,漏电流几乎可以被忽略,因为大部分的电子都集中在超薄的沟道中,而栅极电压对其可以有良好的栅极控制。继2004年石墨烯首次被发现之后,包括导体,绝缘体和半导体在内的的各种二维材料都相继被发现。其中二硫化钼因其单层0.6 nm超薄的厚度和1.8 eV的合适的禁带宽度,理论下达到400 cm2/V·s的室温迁移率以及108的超高的开关比使其成为替代硅的热门材料之一。研究二硫化钼的性质,提升其晶体管性能不仅能够解决当前在缩小半导体制程中所面对的困境,同时新型的晶体管结构在纳米尺度上展示出来不同的性质可能会展现出更加优良的性能,从而能够在存储器,柔性电子,生物传感等方面展现出其独有的优势而获得全新而又广泛的应用机会。本文的主要工作如下:1.组装基于二硫化钼晶体管的金属纳米晶浮栅存储器。本文首次将二硫化钼晶体管和金属纳米晶电荷俘获层的优势结合在一起,使用不同的金属纳米晶作为俘获层组装了基于二硫化钼晶体管的纳米晶浮栅存储器,并探讨了俘获层对存储器性能造成的影响。其中以金纳米晶作为俘获层的浮栅存储器获得了 10 V的存储窗口,接近105的稳定可重复的写入擦除比和近10年的存储时间,在非易失性存储器方面具有良好的应用前景。2.由于二硫化钼表面缺乏悬挂键,直接进行原子层沉积会在界面处形成岛状结构,影响器件的性能。我们首次使用紫外臭氧使二硫化钼表面功能化,在不使用缓冲层的情况下通过原子层沉积的方法得到了目前最薄的6 nm厚的氧化铪栅介质。基于此顶栅结构的器件迁移率可以达到46 cm2/V·s,亚阈值斜率达到75 mV/decade,接近理论极限,在6.5MeV/cm的电场下漏电流为0.2pA/μm2。同时结合界面缺陷对沉积栅介质造成的散射进行了统计性的分析发现界面散射对顶栅器件的影响随层厚的的增加而减小,2～3层的器件更适合组装逻辑器件而要组装高性能的晶体管,需要更厚的二硫化银。当沟道长度降低到250 nm,同时选择合适的二硫化钼厚度,我们的二硫化钼器件获得了 612 μA/μm超高的饱和输出电流。3.首次使用化学气相沉积生长的超薄氮化硼作为隧穿层,降低了金属和二硫化钼界面的金属诱导能隙态。同时得益于h-BN超薄的厚度和平滑的表面,有效地减小了隧穿势垒和费米钉扎效应,使器件的肖特基势垒由158 meV降低到31 meV,接触电阻由5.1 kΩ·μm降低到1.8 kΩ·μm,迁移率由46.7 cm2/V·s提高到了 73.0cm2/V·S,在77K的下的迁移率可以达到321.4cm2/V·S。此外,我们在低温下还观测到了由自加热效应引起的负微分电阻效应,表现出了散热对高性能二硫化钼器件的重要性。这种方法为优化金属二硫化钼界面,降低二硫化钼晶体管的接触电阻以及优化器件性能提供了一种实用的方法。(本文来源于《武汉大学》期刊2017-04-01）
王志明[9]（2017）在《砷化镓为基的量子点浮栅型存储器保持特性研究》一文中研究指出随着信息技术的发展,非易失性存储器应用越来越广泛。使用分散的量子点代替目前连续的多晶硅悬浮栅作为存储层结构得到了人们极大的关注。由于量子点具有抗疲劳性好、功耗低、小尺寸等优异的性能,使得它成为目前半导体存储技术研究的一个热点。与此同时,GaAs材料具有高电子迁移率和载流子注入速度,相比Si基材料具有更多的优势。本论文即围绕上述内容开展了理论与实验的相关研究工作,研究了GaAs为基量子点浮栅存储器保持特性模型与退火温度对存储特性的影响。理论方面,(1)建立了单层量子点结构浮栅存储器的保持特性模型,结合直接隧穿电流密度和量子点浮栅存储器阈值电压偏移量的关系,分别模拟出以Si、Ge、InP叁种量子点作为存储层的器件保持特性。根据量子限域效应,随着量子点直径的减小,隧穿势垒减小,器件的保持能力减弱,且随着量子点密度在一定范围内增大,保持能力增强;隧穿层厚度越大,隧穿几率减小,保持能力越强;分别以ZrO_2、Al_2O_3、HfO_2作为控制层和隧穿层的模拟情况表明选择合适的介质层材料,既能减小器件尺寸,又能得到很好的保持特性。(2)建立了双层量子点浮栅存储器模型,发现在双层量子点浮栅存储器中,结合电荷输运机制分析,底层量子点在量子限域效应和库伦阻塞效应的作用下会对上层量子点内电荷的输运过程有阻碍作用,从而减小了电荷从上层量子点进出的几率;然后,分别对单层和双层结构的保持特性和编程擦除特性进行模拟比较。结果表明,双层量子点存储结构在一定程度上会阻碍上层量子点的充放电过程,虽然减慢了编程/擦除速度,但却能明显提高保持能力。实验方面,设计并制备了Al/HfO_2/Si/HfO_2/TaON/GaAs的迭层栅堆栈结构,通过相关电学特性测量,分析了器件的存储性能与退火温度的关系。实验结果表明,不同退火温度的样品的存储窗口都在1~2V,都表现出了很好的电荷存储能力。从I-V测量结果来看退火可以有效改善HfO_2介质层的质量,以获得比较好的隧穿层和控制层,有助于获得更好的电荷存储性能。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-01-01）
葛聪[10]（2017）在《基于GaAs衬底的量子点浮栅存储器编程与擦除特性研究》一文中研究指出当今信息社会,更大的储存容量、更快的读写速度、更高的数据安全性及更低的功耗是人们对存储器性能的要求,这就使得存储器件的尺寸不断减小。尺寸减小会导致漏电增大,数据安全性降低,这成为存储器进一步发展的障碍。使用离散的量子点代替传统的连续浮栅作为存储层,因其低操作电压、低漏电等优点近年备受到科研人员的关注。由于砷化镓相比传统的Si衬底具有高速性能和低功耗等优点,因此,基于GaAs衬底的量子点浮栅存储(QDNVM)技术在下一代非易失性存储技术应用中会起到主导作用。本文主要从理论和实验两个方面对GaAs为衬底的量子点浮栅存储器的特性进行了研究。理论方面,(1)借助Silvaco TCAD仿真软件,使用热载流子注入作为编程机制,通过ATLAS建模研究了衬底材料、隧穿层材料等对存储器编程特性的影响,模拟结果表明相比于传统的Si衬底材料,使用GaAs衬底材料能获得更好的编程特性;(2)通过考虑量子点的库伦阻塞效应、量子限制效应等,利用FN隧穿机制建立了精确的量子点浮栅存储单元的编程与擦除特性模型,在验证模型正确性的基础上,利用该模型研究了隧穿层厚度、量子点密度、温度、栅极电压等因素对存储器编程和擦除特性的影响,仿真结果表明,温度越低,栅极电压越大,隧穿层厚度越小越有利于提高编程与擦除速度。实验方面,本文采用磁控溅射的方法制备高K材料薄膜,然后采用薄膜凝聚的原理制备Si量子点,制备出Al/ZrO_2/Si/ZrO_2/GaAs器件单元。采用400℃、500℃、600℃叁个不同的温度对器件进行快速退火处理,并通过测量存储单元的C-V特性,得到器件的存储窗口。实验结果表明,400℃退火温度下器件具有最大的存储窗口,并且随着退火温度的升高,存储窗口逐渐减小。因此,实验过程中采用合适的温度对器件退火,会对存储性能产生很大影响。(本文来源于《华中科技大学》期刊2017-01-01）
浮栅型存储器论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
存储器作为信息存储、传输以及交流的主要载体,在人们日常生活中越来越不可缺少。有机场效应晶体管(OFET)型浮栅存储器因具有无损读出、可单晶体管存储以及与半导体集成工艺兼容等优势成为了有机存储器件研究的重要方向。本论文使用多晶硅(poly-Si)和碳量子点(C-QDs)作为浮栅制备了OFET型浮栅存储器,并分析了器件特性。主要内容如下:以多晶硅作浮栅,研制了结构为重掺杂的硅衬底(n~(++)-Si)/SiO_2/poly-Si/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/并五苯(pentacene)/Au的OFET型浮栅存储器。研究结果表明,随着PMMA隧穿层薄膜厚度的增加,器件的迁移率、同栅压下器件的沟道电流以及器件的存储窗口减小。PMMA隧穿层的退火时间会影响隧穿层薄膜的粗糙度,过长和过短的退火时间都将导致器件特性变差。对OFET型多晶硅浮栅存储器的电荷保持时间进行测试,结果表明,存储在多晶硅浮栅的载流子在100 s内快速流失,1000 s后只有初始值的40%。使用一步微波合成法制备了碳量子点,并将其应用在OFET型浮栅存储器中。研制了结构为n~(++)-Si/SiO_2/C-QDs+聚乙烯吡咯烷酮(PVP)/pentacene/Au和n~(++)-Si/SiO_2/PVP/pentacene/Au的器件。研究结果表明,碳量子点浓度会影响器件各功能层粗糙度,当碳量子点浓度为碳量子点原液与无水乙醇1:1稀释时,器件特性最好。在光照条件下对制备得到的OFET型碳量子点/PVP混合浮栅存储器进行编程和擦除,成功增大了存储器的存储窗口和电荷保持时间。研制了结构为n~(++)-Si/SiO_2/poly-Si/C-QDs/PMMA/pentacene/Au的OFET型双浮栅存储器。研究结果表明,碳量子点有效地改善了基于多晶硅浮栅的OFET型浮栅存储器的器件特性,将器件迁移率从单多晶硅浮栅的0.04 cm~2 V~(-1) s~(-1)提高到了0.06 cm~2 V~(-1) s~(-1),增强了器件对电荷的存储能力并且在编程电压和擦除电压V_P/V_E=±55 V时,产生了近40 V的存储窗口。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
浮栅型存储器论文参考文献
[1].刘岐,沈鸣杰,董艺.电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究[J].航天器环境工程.2019
[2].王粉霞.有机场效应晶体管（OFET）型浮栅存储器的研制[D].兰州大学.2019
[3].李焕群.基于浮栅型的有机场效应光敏晶体管存储器的研究[D].南京邮电大学.2018
[4].欧阳托日.基于65nm浮栅工艺NORflash存储器驱动电路设计[D].中国科学技术大学.2018
[5].张恒.基于无机量子点的纳米晶非易失浮栅存储器研究[D].天津大学.2017
[6].包岩.基于光调控的浮栅型有机场效应晶体管非易失性存储器研究[D].南京邮电大学.2017
[7].武超.全旋涂工艺构建核心体系制备浮栅有机晶体管存储器的研究[D].吉林大学.2017
[8].王竞立.二硫化钼晶体管的界面优化及在浮栅存储器上的应用[D].武汉大学.2017
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标签：浮栅型Flash存储器; 电离总剂量效应; 擦写耐久; 数据保持;