导读:本文包含了离子源辅助论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:真空蒸发,光学镀膜,射频离子辅助沉积,光学膜厚监控
离子源辅助论文文献综述
曾琨[1]（2019）在《射频离子源辅助与精密光控在真空蒸发镀膜中的应用》一文中研究指出射频离子源辅助真空镀膜能提高膜层致密度,从而减少波长漂移,是镀制高波长定位精度光学薄膜的首选工艺之一。精密光学膜厚控制系统则是镀制高精密光学薄膜的重要一环。二者同时使用,可镀制出无漂移高精密光学薄膜。这在一些进口真空镀膜机上已经是成熟的工艺。本文略论离子源的同时,仅就射频离子源在大口径真空镀膜机中的均匀性问题介绍一些作者的相关工作,以及精密光学膜厚控制系统方面的工作。并给出一些成膜结果。(本文来源于《第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2019-11-28）
贺贞,孙德恩,黄佳木[2]（2019）在《偏压对离子源辅助Hi PIMS制备纳米TiN薄膜力学性能和耐蚀性能的影响》一文中研究指出为提高磁控溅射制备薄膜的致密度,减少结构缺陷,研究薄膜显微结构对硬度、韧性及耐蚀性能的影响,尝试在改变离子源和基材偏压的条件下,采用离子源辅助HiPMIS技术在304不锈钢和P型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜。采用扫描电子显微镜、小角X射线衍射仪对薄膜的形貌和晶体结构进行分析;采用纳米压痕仪和维氏硬度计分别测量计算薄膜的硬度和韧性,并通过电化学工作站对薄膜的耐蚀性能进行检测。结果表明:随着偏压的增加以及离子源的引入,离子的轰击效应增强,薄膜的沉积速率下降,致密度增加。偏压为-200 V时,薄膜的硬度达到最大值16.2 GPa,且对应的晶粒尺寸最小,(111)晶面衍射峰的强度最高。离子源的加入使所制备薄膜的硬度略有下降。此外,随着偏压的增加,薄膜的韧性和耐腐蚀性能也有一定提高。(本文来源于《中国表面工程》期刊2019年01期）
刘伟基,冀鸣[3]（2018）在《真空辅助镀膜的离子源技术应用》一文中研究指出本文介绍了离子源的各种分类应用。重点分析了离子源在真空辅助沉积镀膜领域的特殊应用。基于这种应用我们分别列举了直流离子源、射频离子源、霍尔离子源在这个领域的优点和不足。同时介绍了着叁款离子源的工作基本原理和典型工作参数。最后我们汇总了一下着叁款离子源做了对比。结尾我们介绍了一下新技术的应用,开发出中空阴极离子源。该类型离子源大大提供了传统热灯丝离子源的工作寿命,使得传统离子源满足工业级应用。(本文来源于《粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集》期刊2018-11-30）
单嗣宏[4]（2018）在《M50钢离子源辅助渗氮层的组织与性能》一文中研究指出本文以高端轴承应用为背景,研究M50钢阳极层离子源辅助渗氮层组织和性能,在减少对试样表面粗糙度影响的基础上,获得所需的组织与性能。研究了阳极层离子源等离子体的产生特性,分析空间位置、等离子体供电电流、炉内气压对等离子体密度与离子能量的影响及变化规律;研究了渗氮温度、含氮等离子体密度、炉内气氛与气压、渗氮时间对M50钢阳极层辅助离子源渗层组织性能的影响;同时作为对比试验,分析了参数对M50钢辉光放电辅助渗氮层的组织与性能的影响。采用朗缪尔探针对产生的等离子体密度与能量进行测量分析;采用OM、SEM、EDS对渗层组织结构、磨痕形貌、磨痕元素成分、磨损量进行观察计算分析;对渗层的硬度梯度分布、摩擦磨损性能进行测试分析;采用轮廓仪对渗氮后试样的表面粗糙度进行测量分析。研究结果表明对于阳极层离子源产生的等离子体,其密度随着所加电流的增加而增大;在某一气压下达到峰值,过高或过低都会使其降低;存在一“等离子体密度高、能量小”的稳定区间,作为渗氮时试样的摆放位置。对于阴极板辉光放电产生的等离子体,其密度随着阴极电压的增加而升高,但都处于1015 m-3量级,正对着阴极板区域内等离子体的密度与能量均很稳定。M50钢经过4小时阳极层离子源辅助获得的渗氮层,深度可达40μm,渗层未出现白亮化合物层,扩散层中无脉状组织;渗氮温度、等离子体密度、混合气体中氢气含量的增加,均会提升渗氮层的硬度梯度与深层深度;表面硬度提升至1000HV0.1左右,渗层硬度分布下降缓慢,磨损机制主要为氧化磨损与粘着磨损,磨损率较未处理M50钢降低80%以上,表面粗糙度由抛光后的0.015μm升至最高0.06μm。使用辉光放电辅助渗氮的M50钢,相对于离子源辅助渗氮,获得的渗层深度较浅,渗层硬度与表面硬度较低,渗层中无氮化物脉状组织;渗氮温度、等离子体密度、氮气气压的增加,均会促进氮的扩散;磨损率较未处理M50钢降低75%以上,磨损机制主要为氧化磨损与粘着磨损,粗糙度改变极小最高增加至0.04μm。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2018-06-01）
李助军,刘怡飞,田灿鑫,杨兵,付德君[5]（2018）在《离子源辅助电弧离子镀制备MoSx自润滑涂层》一文中研究指出以Ar为输送气体,H_2S为S源,纯金属Mo为Mo源,采用中空阴极弧光离子源结合电弧离子镀系统,在单晶Si(100)和硬质合金衬底上制备MoSx自润滑涂层,系统研究H_2S流量对MoSx自润滑涂层结构及性能的影响,为电弧离子镀技术制备MoSx自润滑涂层积累实验数据。结果表明,H_2S流量对MoSx自润滑涂层的晶体结构、硬度及摩擦因数具有明显影响。随H_2S流量升高,MoSx自润滑涂层中Mo晶粒尺寸逐渐减小,没有明显的硫化物结晶相,MoSx涂层硬度逐渐减小,摩擦因数也逐渐减小,且均小于0.35(对磨材料硬质合金)。H_2S可以作为S源通过中空阴极离子源离化作用为MoSx自润滑涂层的制备提供S元素;电弧离子镀制备出的MoSx自润滑涂层为金属Mo纳米晶粒与非晶MoS、MoS_2组成的纳米复合结构。(本文来源于《粉末冶金材料科学与工程》期刊2018年02期）
杭乐,徐周毅,杭纬[6]（2017）在《脉冲辉光放电离子源与氦气辅助激光电离离子源在垂直引入式飞行时间质谱仪上分析性能的对比》一文中研究指出固体直接分析法相比于其他分析方法,因不需要样品前处理,有更快的分析速度,而拥有巨大的优势[1]。质谱法可以同时快速实现元素的高灵敏和高准确分析。激光电离源[2]和脉冲辉光放电电离源[3]是两种非常常用的基于等离子体的固体直接采样质谱离子源。高能激光溅射产生的离子拥有上千电子伏特的动能及很大的能量分散,引入的氦气作为辅助气体对降低离子动能起到了关键作用。为了对比脉冲辉光放电离子源与氦气辅助激光电离离子源的分析性能,我们设计了一个兼容这两种离子源的样品室,用同一台垂直引入式飞行时间质谱对这两种离子源进行分析性能的测试。实验结果表明脉冲辉光放电离子源可以进行固体样品的总成分分析和纳米级薄层分析,但是由于放电过程中不可避免的存在杂质气体和加和离子,谱图中出现大量的干扰气体峰和多种加和离子峰,对元素的测定,尤其是非金属元素的测定造成了非常大的干扰。相比于脉冲辉光放电离子源,氦气辅助激光电离离子源的样品通量大、背景干扰小、谱图简洁、检测结果更精确,同时可进行固体样品的微区分析和叁维成像分析。(本文来源于《第叁届全国质谱分析学术报告会摘要集-分会场6：无机质谱》期刊2017-12-09）
欧文敏,代明江,韦春贝,侯惠君,林松盛[7]（2016）在《离子源辅助磁控溅射MoS_2-Zr复合薄膜的制备及其性能研究》一文中研究指出MoS_2薄膜在真空中具有较低的摩擦系数,适用于高低温、高真空、强辐射等特殊工况且对环境无污染,被誉为"固体润滑之王"。但其在潮湿的大气环境中容易与水和氧气发生反应,形成硬质MoO_3颗粒和腐蚀性的H_2SO_3从而导致摩擦系数增大。本文采用离子源辅助磁控溅射技术在GCr15基体上沉积不同Zr含量的MoS_2-Zr复合薄膜,通过SEM分析薄膜的表面及截面形貌:EDS检测薄膜的成分;显微维氏硬度计测试薄膜的硬度:Rockwell-C硬度计测试薄膜的结合力;球-盘式旋转摩擦磨损试验机评价薄膜的摩擦磨损性能。结果表明:MoS_2-Zr复合薄膜的致密程度和硬度随着Zr含量的增加而增大,其硬度值在HV300~500范围,约为纯MoS_2的5~8倍。复合薄膜与基体的结合力先随着Zr含量的增加而增强,但当Zr含量过高时,结合力下降。含Zr量为15at.%的MoSa-Zr复合薄膜具有最好的摩擦学性能,其平均摩擦系数为0.09,磨损率为9.33×10~(-7)mm~3.N~(-1).m~(-1),耐磨寿命达5.25×10~5r。Zr的掺杂,改善了纯MoS_2薄膜的疏松结构,提高了MoS_2薄膜的硬度和结合力,适量的Zr掺杂可以获得较低的摩擦系数和较长的耐磨寿命。(本文来源于《珠叁角光电产业与真空科技创新论坛暨广东省真空学会2016年学术年会论文集》期刊2016-12-02）
朱旭东,周愿,梁振,梁玉,张丽华[8]（2015）在《有机溶剂辅助封闭式电喷雾离子源的设计及其在痕量蛋白质组样品分析中的应用》一文中研究指出将康达效应应用于电喷雾离子源,设计了气氛可调康达效应电喷雾离子源(Coanda effect electrospray ionization source,CEESI)。考察了不同饱和蒸气压、不同极性的有机溶剂对标准肽段在质谱上信号响应的影响。结果表明,辅助气中添加乙醇后,标准肽段质谱信号提高约1000倍,而且对于1 ng BSA酶解产物,蛋白序列覆盖率提高约10%。在最佳条件下,采用nano-HPLC-CEESI-LTQ XL MS系统,实现了6,10,20和50 ng He La细胞全提蛋白质酶解产物的定性分析,与常用的开放式nano-ESI相比,肽段和蛋白质的可鉴定数目分别提高20%~360%和20%~200%。本研究表明,采用CEESI源有利于痕量蛋白质组样品的高灵敏度分析。(本文来源于《分析化学》期刊2015年10期）
黄俊俊,王辉,丁明,周守发,李梦雨[9]（2016）在《束流对氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜结构特性的影响》一文中研究指出利用氢离子源辅助磁控溅射制备氢化非晶硅薄膜(a-Si:H),借助拉曼光谱仪、红外光谱仪和椭圆偏振光谱仪等分析测试手段,研究氢离子源束流对a-Si:H薄膜结构特性影响规律。结果表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜,有利于改善a-Si:H薄膜结构特性;当离子源束流为5 mA时,薄膜的结构特性最优,a-Si:H薄膜在0.8 eV处的吸收系数、氢含量、微结构因子和光学带隙分别是0.7 cm~(-1)、10.2%(原子比)、0.47和2.02 eV。表明采用氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜满足器件要求。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2016年06期）
张泽祯[10]（2016）在《分离耦合电场辅助离子源设计及其应用》一文中研究指出质谱利用离子的质荷比,可以分析大量的物质分析,包括它们的结构、成分,广泛的应用于各个领域,包括同位素的检测应用于刑侦和考古,生物分子的结构鉴定用于医学和农学,未知化合物和混合物的定性定量分析用于药学和爆炸物检测,环境检测方面等等。对于质谱来说,离子源是质谱的关键部件,直接决定着质谱检测的精确和灵敏度。随着技术的发展,先后由不同的人提出并设计了多种针对不同物质分离分析的质谱的离子源,目前对于液体的样品检测,最常用的离子源是(纳升)电喷雾离子源。它利用电场产生带电液滴,经过去溶剂化过程最终产生被测物离子,进入质谱分析。所有如何设计功能最多,效率最高,操作最简单的离子源,是如今质谱离子源发展的方向。因此在本文中,依据毛细管电泳的原理,提出并设计了一类简单的离子源--分离耦合电场辅助离子源。这种离子源在纳升电喷雾离子源的基础上,添加辅助电场,根据样品物质本身的淌度,分子量大小,带电荷数等在电喷雾过程中进行分离。本文提出了多种设计方案,并对设计的方案进行了优化和改进,最终得到了一种现阶段最优的设计。实验使用了多种样品对设计的分离耦合电场辅助离子源进行了试验验证。结果表明,和传统的纳升电喷雾离子源相对比,这种电场辅助的分离耦合离子源可以有效减少样品离子化过程中产生的电荷的竞争效应,从而提高一些生物分子的检测灵敏度。再使用混合样品进行试验时,从质谱图中可以看出设计的装置比较明显的分离效果。同时,这种设计还可以避免在生物大分子(比如蛋白质)检测中的前处理,即不加酸的情况下对其进行检测,保护了生物分子的自然结构,操作简单。也正基于分离耦合电场辅助离子源的这些优点,它可以被应用与生物类复杂样品上,例如细胞成分分析等。(本文来源于《北京理工大学》期刊2016-05-01）
离子源辅助论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为提高磁控溅射制备薄膜的致密度,减少结构缺陷,研究薄膜显微结构对硬度、韧性及耐蚀性能的影响,尝试在改变离子源和基材偏压的条件下,采用离子源辅助HiPMIS技术在304不锈钢和P型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜。采用扫描电子显微镜、小角X射线衍射仪对薄膜的形貌和晶体结构进行分析;采用纳米压痕仪和维氏硬度计分别测量计算薄膜的硬度和韧性,并通过电化学工作站对薄膜的耐蚀性能进行检测。结果表明:随着偏压的增加以及离子源的引入,离子的轰击效应增强,薄膜的沉积速率下降,致密度增加。偏压为-200 V时,薄膜的硬度达到最大值16.2 GPa,且对应的晶粒尺寸最小,(111)晶面衍射峰的强度最高。离子源的加入使所制备薄膜的硬度略有下降。此外,随着偏压的增加,薄膜的韧性和耐腐蚀性能也有一定提高。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
离子源辅助论文参考文献
[1].曾琨.射频离子源辅助与精密光控在真空蒸发镀膜中的应用[C].第叁届粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2019年广东省真空学会学术年会论文集.2019
[2].贺贞,孙德恩,黄佳木.偏压对离子源辅助HiPIMS制备纳米TiN薄膜力学性能和耐蚀性能的影响[J].中国表面工程.2019
[3].刘伟基,冀鸣.真空辅助镀膜的离子源技术应用[C].粤港澳大湾区真空科技创新发展论坛暨2018年广东省真空学会学术年会论文集.2018
[4].单嗣宏.M50钢离子源辅助渗氮层的组织与性能[D].哈尔滨工业大学.2018
[5].李助军,刘怡飞,田灿鑫,杨兵,付德君.离子源辅助电弧离子镀制备MoSx自润滑涂层[J].粉末冶金材料科学与工程.2018
[6].杭乐,徐周毅,杭纬.脉冲辉光放电离子源与氦气辅助激光电离离子源在垂直引入式飞行时间质谱仪上分析性能的对比[C].第叁届全国质谱分析学术报告会摘要集-分会场6：无机质谱.2017
[7].欧文敏,代明江,韦春贝,侯惠君,林松盛.离子源辅助磁控溅射MoS_2-Zr复合薄膜的制备及其性能研究[C].珠叁角光电产业与真空科技创新论坛暨广东省真空学会2016年学术年会论文集.2016
[8].朱旭东,周愿,梁振,梁玉,张丽华.有机溶剂辅助封闭式电喷雾离子源的设计及其在痕量蛋白质组样品分析中的应用[J].分析化学.2015
[9].黄俊俊,王辉,丁明,周守发,李梦雨.束流对氢离子源辅助磁控溅射制备a-Si:H薄膜结构特性的影响[J].真空科学与技术学报.2016
[10].张泽祯.分离耦合电场辅助离子源设计及其应用[D].北京理工大学.2016