导读:本文包含了电离施主论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:碳化硅,基态施主能级分裂,杂质电离,掺杂浓度
电离施主论文文献综述
戴振清,杨克武,杨瑞霞[1]（2009）在《SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响》一文中研究指出对SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响,与温度、掺杂浓度和杂质能级深度的关系进行了系统研究。发现只有在高温且掺杂浓度低的情况下,能级分裂的影响很小可忽略不计,其他条件下均需考虑能级分裂因素。随掺杂浓度的增加,能级分裂的影响增强;随温度的升高,能级分裂影响的整体趋势下降,但存在峰值。当杂质能级深度发生变化时,能级分裂的影响显得比较复杂;曲线上的峰值随着能级深度的增加而向高温方向移动,能级越浅峰就越小;并且在高于某一温度时,随能级的加深能级分裂的影响逐渐增强。(本文来源于《半导体技术》期刊2009年03期）
张溪文,阙端麟,石晓红,沈学础[2]（1997）在《气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究》一文中研究指出以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．(本文来源于《半导体学报》期刊1997年05期）
石晓红,刘普霖,张溪文,陈张海,史国良[3]（1996）在《氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究》一文中研究指出利用光热电离光谱方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅热施主的热退火行为．结果表明，氮气氛下生长的Ｓｉ单晶，原生样品中就存在与Ｎ、Ｏ有关的浅热施主（ＳＴＤ）．在４５０℃退火条件下，ＳＴＤ浓度最大；６５０℃退火后，部分ＳＴＤ消失；在９００℃高温下作较长时间退火，由于氧的浓度降低，ＳＴＤ完全消失(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊1996年04期）
胡灿明,黄叶肖,叶红娟,沈学础,祁明维[4]（1991）在《含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究》一文中研究指出报道N型含氮直拉硅单晶的光热电离光谱(PTIS)除观察到P的谱线系列外,还观察到叁个与氮、氧有关的复合型浅施主中心D(N-O)的谱线系,首次报道了它们3p_±以上的谱线位置,并精确测定了其电离能为36.16meV、36.41meV和37.37meV。变温分析表明,它们不是源于同一化学中心的基态分裂,而是独立的复合施主中心。(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊1991年05期）
俞志毅,叶红娟,沈学础,Eugene,E,Haller[5]（1988）在《超纯Ge中剩余浅施主的光热电离光谱》一文中研究指出报道了高纯Ge单晶中剩余浅施主的高分辨率光热电离光谱。不仅观察到P、As和D(Li,O)复合施主化较低基态到各激发态的一系列较强尖锐跃迁谱线还观察到P及As从叁重基态1S(T_2)到各激发态的较弱跃迁谱线。由此更精确地得出P、As的1S基态分裂值4A分别为22.74cm~(-1)(2.82meV)和33.980m~(-1)(4.21meV)。(本文来源于《红外研究(A辑)》期刊1988年Z1期）
秦国毅[6]（1986）在《电离施主的振动电流对半无限的第I类半导体超晶格内表面电子集体激发模式的修正》一文中研究指出本文计算了电离施主的振动电流对半无限的第Ⅰ类半导体超晶格内电子集体激发表面模式的修正,结果是在整个波矢范围内频率降低,而且在波矢的一些区间内,模式有微小的分裂.(本文来源于《半导体学报》期刊1986年02期）
刘振鹏[7]（1983）在《半导体表面附近施主原子电离能计算》一文中研究指出利用一维化Euler方程的方法计算了表面附近施主原子电离能.结果表明,当核处于表面上时,该一维方程具有与Levine精确解相匹配的解析解,且定量地符合Hellmann-Feynman定理的要求;当核远离表面时,方程的渐近解与自由施主原子一致.(本文来源于《半导体学报》期刊1983年04期）
电离施主论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以光热电离光谱方法指证了减压充氮气氛下生长的微氮直拉硅单晶中的氮关浅施主NRD（NitrogenRelatedDonor）．确认NRD的形成温区为300～800℃，900℃以上退火将被不可逆消除．指出NRD可能有N－O复合体和氧凝聚态浅施主两种形式，各有不同的热处理行为．
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电离施主论文参考文献
[1].戴振清,杨克武,杨瑞霞.SiC中基态施主能级分裂对杂质电离的影响[J].半导体技术.2009
[2].张溪文,阙端麟,石晓红,沈学础.气氛掺氮直拉硅单晶中氮关施主的光热电离光谱研究[J].半导体学报.1997
[3].石晓红,刘普霖,张溪文,陈张海,史国良.氮气气氛下生长的Si单晶中N—O浅热施主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报.1996
[4].胡灿明,黄叶肖,叶红娟,沈学础,祁明维.含氮直拉硅中复合浅施主的光热电离光谱研究[J].红外与毫米波学报.1991
[5].俞志毅,叶红娟,沈学础,Eugene,E,Haller.超纯Ge中剩余浅施主的光热电离光谱[J].红外研究(A辑).1988
[6].秦国毅.电离施主的振动电流对半无限的第I类半导体超晶格内表面电子集体激发模式的修正[J].半导体学报.1986
[7].刘振鹏.半导体表面附近施主原子电离能计算[J].半导体学报.1983