导读:本文包含了多层直接键合论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:多层键合,预键合,正交实验,键合分析软件
多层直接键合论文文献综述
袁星,陶智,李海旺,谭啸,孙加冕[1]（2016）在《从双层到多层带有微结构的硅硅直接键合技术研究》一文中研究指出通过理论分析和实验验证对多层带有微结构的硅硅直接键合技术进行了研究.采用的硅片表面活化处理方法是亲水湿法,采用的键合工艺流程是先将硅片在键合机中进行预键合,再使用退火炉进行高温退火.其中预键合参数对多层键合成功与否起到决定性的作用,为节约实验时间,针对3个主要预键合参数(温度、压力、时间)的选取进行了详细的正交实验分析.使用项目组自制的硅硅键合分析软件对键合片的红外图像进行处理分析,计算键合率.采用实验得到的最佳预键合工艺参数,多层键合的键合率达到了86.652 7%.(本文来源于《航空动力学报》期刊2016年11期）
聂磊,钟毓宁,张业鹏,何涛,胡伟男[2]（2011）在《硅圆片多层直接键合工艺研究》一文中研究指出多层圆片键合是实现叁维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅圆片放置在紫外光下进行照射,经过3min的光照后显着提高了表面能,在不借助外力及电压的情况下,实现了自发性的预键合。通过红外透射观测键合界面,发现键合界面中心区无明显缺陷;对界面横断面的直接观测表明键合过渡层十分薄,证明了多层硅圆片已经结合成为一个整体,其键合工艺可应用于叁维垂直通孔互连中。(本文来源于《半导体光电》期刊2011年06期）
阮传植[3]（2009）在《多层硅硅直接键合实验研究》一文中研究指出随着MEMS技术的发展,直接键合技术由于其较好的键合质量,以及相对于其他键合技术对被键合材料的限制较少,受到了广泛的关注。但现在大部分的研究均集中在键合理论研究本身,工艺试验大部分是双片键合,而对键合难度更大,实验要求更高,应用范围更广的多层键合技术,却少有提及。本文在已有的硅片直接键合理论研究基础之上,进行了大量的实验,着眼于解决多层键合中的缺陷控制问题,找出了一种能实现多层直接键合的可行的工艺方案,具体工作如下:1、通过设计两组正交实验,研究了预处理工艺中,RCA1溶液各参数对硅片表面接触角及硅片表面形貌的影响,通过分析,优化了处理工艺2、通过多次实验,比较了不同的预键合方案的优劣,并最终选择了UV光照活化的预键合方案3、研究了实现多层直接键合的实验步骤,设计并改进了键合甩干夹具,并通过实验,实现了硅片的多层直接键合4、提出了一种基于硅硅多层直接键合工艺的叁维微模具制造方法,以解决采用非晶合金材料加工微零件时面临的困难(本文来源于《华中科技大学》期刊2009-05-01）
杨道虹,徐晨,沈光地[4]（2005）在《乙二醇辅助多层硅/硅直接键合》一文中研究指出利用乙二醇的分子结构和氢键在 10万级的超净环境下成功地进行了多层乙二醇环境下的硅 /硅直接键合 ,并在氮气保护下 110 0℃热处理后进行了拉力强度测试 ,平均键合强度达到了 10MPa .SEM观测表明 ,在键合界面没有发现孔洞和空隙 .该方法同样适用于Ⅲ Ⅴ族化合物的直接键合 .这为发展多层结构、多功能集成的MEMS结构器件奠定了良好的工艺基础 .(本文来源于《半导体学报》期刊2005年02期）
多层直接键合论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
多层圆片键合是实现叁维垂直互连封装的重要工艺步骤。利用紫外辅助表面活化技术,实现了多层硅圆片的直接键合。实验将清洗后的硅圆片放置在紫外光下进行照射,经过3min的光照后显着提高了表面能,在不借助外力及电压的情况下,实现了自发性的预键合。通过红外透射观测键合界面,发现键合界面中心区无明显缺陷;对界面横断面的直接观测表明键合过渡层十分薄,证明了多层硅圆片已经结合成为一个整体,其键合工艺可应用于叁维垂直通孔互连中。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多层直接键合论文参考文献
[1].袁星,陶智,李海旺,谭啸,孙加冕.从双层到多层带有微结构的硅硅直接键合技术研究[J].航空动力学报.2016
[2].聂磊,钟毓宁,张业鹏,何涛,胡伟男.硅圆片多层直接键合工艺研究[J].半导体光电.2011
[3].阮传植.多层硅硅直接键合实验研究[D].华中科技大学.2009
[4].杨道虹,徐晨,沈光地.乙二醇辅助多层硅/硅直接键合[J].半导体学报.2005