导读:本文包含了正电子湮没谱学论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氢致缺陷,正电子湮没谱学,空位团,位错
正电子湮没谱学论文文献综述
罗见兵,张鹏,朱特,曹兴忠,张怀强[1]（2018）在《应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究》一文中研究指出铁基合金中的氢致缺陷是造成合金机械性能恶化的重要因素之一。氢对材料中微观组织结构的影响,特别是氢致缺陷微观机理的研究是铁基合金的一个基础研究课题。本文主要应用正电子湮没寿命谱(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy,PALS)和符合多普勒谱(Coincidence Doppler Broadening Spectrum,CDB)方法,研究了不同处理条件的Fe-1.0%Cu合金样品充氢过程中氢致缺陷的形成机制、缺陷类型以及氢与缺陷的相互作用及其微观机理等。结果表明,1 073 K高真空热处理和20%形变后723 K退火处理的样品充氢后会产生少量的位错,而1 173 K高真空淬火样品充氢后还会产生少量的空位团,在充氢过程中空位缺陷成为氢的捕获点,并与氢相互作用成为聚集空位的核心而形成空位团。CDB结果还表明,Cu析出物对本文合金样品的氢致缺陷的形成无明显影响。(本文来源于《核技术》期刊2018年02期）
田红伟[2]（2016）在《壳聚糖基过渡金属配合物微结构的正电子湮没谱学研究》一文中研究指出正电子湮没测量技术是研究高聚合材料电子密度和动量分布以及缺陷或空穴变化等微观结构信息的灵敏无损的测量手段,它是基于探测材料中正负电子对湮没产生光子的动量、时间和能量信息来分析材料结构特性的。因为正电子在功能聚合物中湮没情况的复杂性,所以正电子湮没测量技术应用于少数导电功能聚合物和选择渗透性功能材料研究中。探索正电子湮没测量技术在功能高聚物材料中的综合应用却是十分必要的。本论文中,我们研究了壳聚糖基过渡金属配合高聚物中金属离子与壳聚糖的不同配比、阴离子和金属离子种类对这种配合物结构的影响,利用红外吸收光谱、紫外可见吸收光谱、X射线粉末衍射及吸水膨胀性能测试对壳聚糖基过渡金属配合物的结构进行了表征,依此提出合理的物理结构模型;同时我们重点分析聚合物金属复合材料中氯离子、硝酸根离子和醋酸根离子对电子偶素的形成及湮没的影响,揭示正电子湮没测量技术在复杂体系研究的适用性。具体内容如下:1.利用溶胶凝胶方法在真空干燥条件下制备壳聚糖钯薄膜催化材料,对比分析壳聚糖钯催化薄膜样品和壳聚糖吸附钯粉末样品中电子偶素寿命及强度变化,说明配合物薄膜中氯离子的存在对电子偶素的形成有抑制作用。2.应用正电子湮没寿命谱测量技术和符合多普勒展宽能谱测量技术,结合FTIR、XRD、UV-vis和吸水膨胀性的测试,研究了壳聚糖镍配合物薄膜的结构:结晶性、金属离子与壳聚糖相互作用。在此基础上,重点研究薄膜材料中氯离子、硝酸根离子或醋酸根离子存在时,聚合体系中正电子湮没特性,发现阴离子抑制电子偶素的形成,在阴离子含量增加时,电子偶素寿命值在表征材料中自由体积特性方面则失去意义。3.着重研究了在少量阴离子存在的配合物中,不同种类金属配合物中,正电子湮没符合多普勒展宽能谱的变化。含有氯离子或硝酸根离子的配合物中阴离子对正电子湮没处化学环境的变化起主要作用,含有醋酸根离子的金属配合物中,金属种类不同其CDB商谱的峰形和峰位完全不同。(本文来源于《兰州大学》期刊2016-05-01）
张春雄[3]（2015）在《基于正电子湮没谱学研究Fe17Cr12Ni模型钢中缺陷的演变》一文中研究指出奥氏体不锈钢作为第四代反应堆和聚变堆的重要候选材料之一被广泛的研究。本文利用淬火、电子辐照以及重离子辐照的方法引入缺陷,主要研究Fe17Cr12Ni奥氏体模型钢空位型缺陷的演变机制以及Mo元素的添加对Fe17Cr12Ni奥氏体模型钢的影响。实验样品是Fe17Cr12Ni奥氏体叁元合金和掺杂2Mo元素的Fe17Cr12Ni模型钢合金,国标316不锈钢作为实验参考样品。利用正电子湮没谱学技术研究了Fe17Cr12Ni模型钢淬火后在300 K到973 K等时退火过程中空位型缺陷的回复机制。在退火温度从室温到523 K的过程中空位型缺陷会随着退火温度的增加出现先聚集长大,而等时退火温度523 K到673K的过程中逐渐回复。可以看出掺杂的2Mo元素以及其它的非金属元素不是决定空位缺陷回复温度的决定性因素。673 K及更高的退火温度处理以后,正电子寿命值都保持的165 ps左右,这说明样品内部缺陷并没有完全回复而是转变成为其它类型的缺陷。掺杂2Mo元素的Fe17Cr12Ni模型钢在淬火过程中会形成很多Mo原子和空位的复合体,从而导致了掺杂2Mo元素的Fe17Cr12Ni模型钢的缺陷密度比没有添加Mo元素的Fe17Cr12Ni模型钢的缺陷密度小。而国标316不锈钢样品中的缺陷尺寸比两种模型钢中的缺陷尺寸都小,这主要是因为316内部大量的非金属元素存在,这些非金属元素对空位型缺陷有较强的吸引力,从而阻碍了空位缺陷的聚集长大。多普勒展宽谱测试结果与正电子湮没寿命谱测试结果是一致的。我们利用正电子湮没谱技术和维氏硬度研究了8 MeV高能电子注入Fe17Cr12Ni模型钢的缺陷演变,辐照剂量分别为1.7×10-4 dpa和5×10-4 dpa。辐照后,样品中产生了大量的空位型缺陷,空位型缺陷浓度大约在10-5-10-7ppm之间,其中2Mo元素的添加并没有引起Fe17Cr12Ni模型钢中有明显的析出物产生,但是却阻止了空位缺陷的长大,从而抑制了样品随着辐照剂量的增大所引起的样品硬化。为了利用正电子湮没谱学技术和透射电子显微镜研究Fe17Cr12Ni模型钢在不同辐照剂量下的损伤机制,我们用2.0 MeV的Fe离子注入Fe17Cr12Ni模型钢和添加2Mo元素的Fe17Cr12Ni模型钢中,其中用于正电子慢束测试的样品剂量为2.09×1013/cm2,1.62×1014/cm2,4.85×1014/cm2和1.46×1015/cm2。辐照后的样品S参数明显增大,这说明Fe离子注入导致了Fe17Cr12Ni模型钢中产生了大量的缺陷。但是,随着辐照剂量的增大,S参数呈现出下降的变化趋势,这说明了在重离子注入过程中,材料中缺陷浓度随着辐照剂量增加而减少。首先,这是因为Cr元素在Fe基金属中的固溶度是8%-9%,超过固溶度之后Cr元素会随着辐照剂量的增大会析出成核,W参数的增大很好的证明了这点；其次,样品内部有大量空位-杂质元素的复合体存在；最后,S-W参数表明样品中有复杂的多种缺陷类型,而位错缺陷是重离子辐照之后样品中密度最大的缺陷类型,通过透射电子显微镜的图片可以看出,样品辐照之后有浓度较高的位错环产生,并且随着辐照剂量增大,位错环生长成为线位错,而在位错环生长的过程中伴随着大量的空位缺陷会向着位错环移动并且最终在位错边界被吸收。(本文来源于《兰州大学》期刊2015-06-01）
王胜,杨静,田丽霞,于胜楠,曹兴忠[4]（2015）在《用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜》一文中研究指出应用正电子湮没寿命谱(Positron annihilation lifetime spectroscopy,PALS)和正电子湮没符合多普勒展宽能谱(Coincidence Doppler broadening energy spectroscopy,CDBES)等正电子湮没谱学技术能从微观尺度上对聚合物-金属有机骨架材料杂化膜的微观结构进行表征。结果表明,随着金属有机骨架(Metal-Organic Frameworks,MOFs)添加量的增大,杂化膜中较小的和较大的自由体积的尺寸都减小了;杂化膜的正电子湮没符合多普勒展宽能谱显示,MIL-101(Material Institute Lavoisier-101)亚纳米粒子的加入使得正电子在聚二甲基硅氧烷(Poly(dimethyl siloxane),PDMS)氧原子上的偏向湮没效应减弱,部分正电子与来自MIL-101亚纳米粒子中金属原子的电子发生湮没,表明MOFs加入改变了聚合物基体自由体积周围的化学环境。(本文来源于《核技术》期刊2015年03期）
张静,吴亚茹,杨静,Abu,Zayed,李玉晓[5]（2014）在《LDPE-Na_2SO_4:Sm~(3+)复合发光材料的制备与正电子湮没谱学的研究》一文中研究指出采用低温熔融共混-热压法,首次成功制备出LDPE-Na2SO_4:Sm~(3+)复合材料,并利用X射线衍射仪、正电子湮没寿命谱仪及荧光光谱仪,针对合成的LDPE-Na_2SO_4:Sm~(3+)复合材料的晶体结构、自由体积特性和发光性能等进行了测试,研究了Na_2SO_4:Sm~(3+)掺杂浓度及γ射线辐照对复合材料的微观结构和发光性能等特性的影响。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
王丹丹,陈志权[6]（2014）在《界面缺陷对纳米ZrO_2磁性影响的正电子湮没谱学研究》一文中研究指出近年来,在很多未掺杂的半导体和氧化物薄膜以及纳米颗粒中均发现了室温铁磁性。其磁性随着晶粒尺寸的增大而减弱,直到纳米晶体烧结成块材时消失。该铁磁性被认为是来源于晶粒的尺寸效应或者是表面缺陷。本文以纳米ZrO_2材料为研究对象,在不同温度下对其进行了退火处理。XRD和高分辨透射电镜表征结果揭示了2rO_2纳米晶在退火过程晶粒生长比较缓慢,1000℃以下退火晶粒基本没有生长。正电子湮没测量结果显示存在3个寿命(τ_1、τ_2和τ_3)。短寿命成分τ_1约184 ps,为正电子在自由态以及较小的空位中的湮没寿命。第二寿命τ_2约420 ps,表明纳米材料中有较大的空位团,主要存在于纳米晶界区域。最长的长寿命τ_3约3~7 ns,而τ_3是正电子在晶粒间的微孔洞或者孔洞形成o-Ps的寿命。而它的强度I_3又非常小,经历高温烧结后,直接降低至O.3%,可以忽略不计。ZrO_2纳米晶经过600~700℃退火后,τ_1仍维持在184 ps左右,但当温度高达1300℃时,才缓慢降178 ps。在低于500℃的温度下退火时,τ_2的增加幅度很小,随着退火温度的升高,τ_2开始逐步减小,温度达到1300℃时,减小至270ps。500℃之前τ_2的上升过程显然是空位团的团聚过程,而500℃以上,τ_2减小的表明空位团开始恢复。1200℃退火后界面缺陷基本消除。多普勒展宽的S参数随退火温度的变化趋势和平均寿命的变化趋势基本一致。S参数和对应W参数可以很好地用一条直线进行拟合,这说明在退火过程,缺陷的类型一直没有发生变化。磁性测量结果显示100℃,500℃退火时存在明显磁滞回线,700℃退火时磁性消失。在排除掉晶粒尺寸效应对铁磁性的影响之后,我们观察到了铁磁性与界面缺陷之间很好的对应关系。说明磁性很可能与界面缺陷有关,而不是来自于晶粒尺寸效应。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
樊少娟,张杰,肖翀,李周,李强[7]（2014）在《正电子湮没谱研究缺陷在NiS相变中的变化》一文中研究指出本实验利用温度依赖的CDB谱和正电子寿命谱研究不同含Ni量的六角Ni_(1-Δ)S的缺陷结构。结合正电子寿命计算,得到无论高温相还是低温相,材料中均含有高浓度的Ni空位。并且,该种缺陷的捕获率在相变前后没有发生任何变化。材料中高温相可能为电子和空穴载流子的混合相。此外,随着Ni含量的减少,相变温度降低以及热滞后宽度变窄。我们认为,缺陷对相变的过程有着重要的影响。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
张春雄,卢二阳,靳硕学,张鹏,李玉红[8]（2014）在《FeCrNi合金微观缺陷的正电子湮没谱学研究》一文中研究指出利用正电子湮没谱学技术研究FeCrNi模型钢在淬火之后引入的空位型缺陷在300 K到973 K等时退火过程中空位型缺陷的回复机制。空位型缺陷会随着退火温度增加出现先聚集长大接着逐渐回复的过程。参杂Mo元素会形成了很多Mo原子和空位的复合体,这些复合体也随着等时退火温度增加逐渐的回复。SUS316在淬火后等时退火中有沉积物析出。多普勒展宽S参数的结果与长寿命结果一致。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
杨静,于润升,吴亚茹,王胜,曹兴忠[9]（2014）在《过渡金属分散聚合物催化薄膜的正电子湮没谱学研究》一文中研究指出钯,铜等过渡金属,是有机合成如Heck反应中常使用的催化剂。通常,它们是以均相催化剂的形式出现在反应中。由于催化剂,反应底物,反应产物同相,反应完成后催化剂很难分离和回收,容易污染产品,提高了催化剂的使用成本。而过渡金属分散聚合物催化薄膜作为一种非均相催化材料,在反应后可以通过固液分离的方法将催化材料从反应体系中分离,易于回收和再利用,因此,该体系倍受关注。(本文来源于《第十二届全国正电子谱学会议论文集》期刊2014-07-09）
成国栋[10]（2013）在《正电子湮没谱学研究Fe-Cu合金微观缺陷》一文中研究指出固体材料的微观缺陷会在很大程度上影响材料的性能(如光学性能和电学性能),因此在固体材料科学的研究中非常重要。由于这些缺陷大部分都是原子尺度量级的,因此,一般的实验手段很难探测到。微观缺陷研究的常用的实验方法主要有：TEM(投射电子显微镜),APFIM(原子探针场离子显微镜),3D-AP(叁维原子探针)。这些实验技术能在一定的范围内给出材料中的空位型缺陷和纳米析出物的信息,但是精度有限。上个世纪40年代,许多研究者在研究正电子与凝聚态中电子相互作用时,发展了正电子湮没谱学(PAS)。正电子湮没谱学能够对空位型缺陷‘自寻’探测,使得正电子成为材料研究中的独特手段。一般认为,正电子湮没谱学技术是一种无损检测,能够反映凝聚态物质材料中电子结构等信息。其物理机制主要是基于正电子被缺陷捕获的湮没机制,如空位、位错、空位团以及析出物等。正电子湮没谱学技术主要包括：正电子湮没寿命谱(PALS),多普勒展宽能谱(DBS),角关联湮没谱(ACAR),符合多普勒展宽能谱(CDBS),寿命-动量关联谱(AMOC)。正电子湮没寿命谱原理是测量22Na放射性同位素源发射正电子的同时发射一个1.27MeV的γ光子与正电子与电子湮没产生的00511MeV的γ射线之间的时间差。DBS和ACAR主要测量湮没辐射过程中正电子湮没为处的电子动量分布信息。多普勒展宽能谱通过中心区域的S参数和翼区W参数来反映正电子湮没特性。S参数主要与价电子湮没,W参数主要与芯电子发生湮没,通过S、W参数可以区分不同的类型的缺陷。符合多普勒展宽能谱可以减少能谱测量中的本底和提高响应函数。符合多普勒展宽能谱通过减低本地,提取能谱中高动量区域的湮没信息,通过探测正电子与芯电子湮没研究缺陷处的化学环境。AMOC主要是研究电子动量随时间的分布信息。经过半个世纪的努力,正电子湮没谱学技术被认为是一种研究空位型缺陷的灵敏手段,但是对无缺陷材料中嵌入式纳米颗粒并不敏感。本论文主要应用正电子湮没谱学技术研究Fe-Cu合金的微观缺陷。Fe-Cu合金的微观缺陷主要包括空位、间隙原子、空位-Cu复合体、空位团以及纯Cu析出物。通过对Fe-Cu合金微观缺陷的研究,验证正电子湮没谱学对微观缺陷的表征能力。为了进一步分析实验结果,通过两分量密度泛函理论对Fe-Cu合金微观缺陷的正电子湮没寿命以及电子动量分布进行计算。(本文来源于《成都理工大学》期刊2013-05-01）
正电子湮没谱学论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
正电子湮没测量技术是研究高聚合材料电子密度和动量分布以及缺陷或空穴变化等微观结构信息的灵敏无损的测量手段,它是基于探测材料中正负电子对湮没产生光子的动量、时间和能量信息来分析材料结构特性的。因为正电子在功能聚合物中湮没情况的复杂性,所以正电子湮没测量技术应用于少数导电功能聚合物和选择渗透性功能材料研究中。探索正电子湮没测量技术在功能高聚物材料中的综合应用却是十分必要的。本论文中,我们研究了壳聚糖基过渡金属配合高聚物中金属离子与壳聚糖的不同配比、阴离子和金属离子种类对这种配合物结构的影响,利用红外吸收光谱、紫外可见吸收光谱、X射线粉末衍射及吸水膨胀性能测试对壳聚糖基过渡金属配合物的结构进行了表征,依此提出合理的物理结构模型;同时我们重点分析聚合物金属复合材料中氯离子、硝酸根离子和醋酸根离子对电子偶素的形成及湮没的影响,揭示正电子湮没测量技术在复杂体系研究的适用性。具体内容如下:1.利用溶胶凝胶方法在真空干燥条件下制备壳聚糖钯薄膜催化材料,对比分析壳聚糖钯催化薄膜样品和壳聚糖吸附钯粉末样品中电子偶素寿命及强度变化,说明配合物薄膜中氯离子的存在对电子偶素的形成有抑制作用。2.应用正电子湮没寿命谱测量技术和符合多普勒展宽能谱测量技术,结合FTIR、XRD、UV-vis和吸水膨胀性的测试,研究了壳聚糖镍配合物薄膜的结构:结晶性、金属离子与壳聚糖相互作用。在此基础上,重点研究薄膜材料中氯离子、硝酸根离子或醋酸根离子存在时,聚合体系中正电子湮没特性,发现阴离子抑制电子偶素的形成,在阴离子含量增加时,电子偶素寿命值在表征材料中自由体积特性方面则失去意义。3.着重研究了在少量阴离子存在的配合物中,不同种类金属配合物中,正电子湮没符合多普勒展宽能谱的变化。含有氯离子或硝酸根离子的配合物中阴离子对正电子湮没处化学环境的变化起主要作用,含有醋酸根离子的金属配合物中,金属种类不同其CDB商谱的峰形和峰位完全不同。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
正电子湮没谱学论文参考文献
[1].罗见兵,张鹏,朱特,曹兴忠,张怀强.应用正电子湮没谱学对Fe-1.0%Cu合金氢致缺陷的研究[J].核技术.2018
[2].田红伟.壳聚糖基过渡金属配合物微结构的正电子湮没谱学研究[D].兰州大学.2016
[3].张春雄.基于正电子湮没谱学研究Fe17Cr12Ni模型钢中缺陷的演变[D].兰州大学.2015
[4].王胜,杨静,田丽霞,于胜楠,曹兴忠.用正电子湮没谱学技术表征一种有机-无机杂化膜[J].核技术.2015
[5].张静,吴亚茹,杨静,Abu,Zayed,李玉晓.LDPE-Na_2SO_4:Sm~(3+)复合发光材料的制备与正电子湮没谱学的研究[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[6].王丹丹,陈志权.界面缺陷对纳米ZrO_2磁性影响的正电子湮没谱学研究[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[7].樊少娟,张杰,肖翀,李周,李强.正电子湮没谱研究缺陷在NiS相变中的变化[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[8].张春雄,卢二阳,靳硕学,张鹏,李玉红.FeCrNi合金微观缺陷的正电子湮没谱学研究[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[9].杨静,于润升,吴亚茹,王胜,曹兴忠.过渡金属分散聚合物催化薄膜的正电子湮没谱学研究[C].第十二届全国正电子谱学会议论文集.2014
[10].成国栋.正电子湮没谱学研究Fe-Cu合金微观缺陷[D].成都理工大学.2013