导读:本文包含了层转移论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电化学腐蚀,多孔硅,层转移,超薄晶硅
层转移论文文献综述
唐群涛,沈鸿烈,邢正伟[1]（2016）在《多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展》一文中研究指出介绍了基于电化学腐蚀多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展,对多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的四个主要步骤:双层多孔硅的制备、活性超薄晶硅外延层生长、基于多孔硅的层转移和超薄晶硅太阳电池研制进行了概述,并对超薄晶硅太阳电池的前景进行了展望。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2016年07期）
赵岩,吴立枢,石归雄,程伟,栗锐[2]（2014）在《GaAs pHEMT外延层转移技术研究》一文中研究指出随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2014年04期）
赵岩,程伟,吴立枢,吴璟,石归雄[3]（2014）在《基于外延层转移的GaAs PIN与Si异构集成技术》一文中研究指出南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方面的研究,并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术,成功地将3μm厚的76.2 mm(3英寸)GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),并进行了Si基GaAs PIN二极管的制备。测试表明,Si基GaAs PIN二极管性能与GaAs基PIN二极管性能相比没有发生退化(如图2所示),且具有较好的片内一致性(如图3所示),这说明整套外延层转移工艺并未对外延层的质量产生影响。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2014年02期）
王柏玲[4]（2011）在《一场家长会 全家同忐忑》一文中研究指出家长去开家长会，过去会让孩子很紧张，可如今感到压力的不仅是孩子们，身为人父人母的家长同样心情忐忑。章女士就是其中之一，近一个星期来，她每天下班都心急火燎往家赶，在读一年级的儿子小迪面临期末考，她必须回去“督阵”。照理一年级考试不需要这么紧张，但章女士却感(本文来源于《文汇报》期刊2011-06-24）
赵素芬,刘晓艳[5]（2010）在《复合膜铝层转移现象分析》一文中研究指出影响铝转移的因素主要为镀铝基膜本身的粘结强度、胶粘剂的渗透破坏及界面层产生内应力3方面,从镀铝膜基膜、胶黏剂、张力控制及熟化等几个方面,对镀铝膜在复合过程中发生铝层转移现象进行理论分析,为复合软包装的生产厂家提供参考。(本文来源于《包装工程》期刊2010年05期）
成远发[6]（2008）在《再谈镀铝膜复合铝层转移》一文中研究指出在软包装生产过程中，由于镀铝膜具有良好的装饰性及成本比铝箔低廉，而广泛用于复合包装中。在复合过程中常使用的主要是VMPET、VMCPP这两种膜，VMPET主要用于叁层结构复合，VMCPP主要用于(本文来源于《中国包装报》期刊2008-03-03）
[7]（2008）在《B3G研究重点向网络层转移》一文中研究指出随着移动通信技术的不断发展，在不久的将来，B3G可能应用于一些新的频谱，技术的选择和系统的设计将会受到这些新频段的特性的影响。在网络层、物理层、新频谱特性等方面，B3G技术将呈现出一些新的特点。有专家指出，目前看来，B3G将采用的物理层技术大部分已经在W(本文来源于《人民邮电》期刊2008-01-31）
陈海波,王威,王建安[8]（2007）在《江北帮扶困难群众不留“断层”》一文中研究指出本报讯(江北站 陈海波王威 通讯员王建安)这几天，江北区民政干部分路走访慰问全区低保边缘户，为他们送去棉被、衣物等。 近年来，一些因病、因灾、因残而陷入困境或者重新陷入贫困的家庭产(本文来源于《宁波日报》期刊2007-12-25）
刘卫丽[9]（2002）在《多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究》一文中研究指出SOI技术和多孔硅纳米发光技术研究是当今微电子与光电子研究领域的前沿课题，本文根据科学院创新工程研究工作的需要，开展了多孔硅外延层转移ELTRAN-SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究，获得的主要结果如下： 系统研究了硅片掺杂浓度、掺杂类型和阳极氧化条件等因素对多孔硅结构、单晶性能和表面状态的影响，发现多孔硅与衬底并不是严格的四方畸变，在多孔硅/硅衬底的界面上，多孔硅的晶格与衬底完全一致，但在孔的边缘，多孔硅的晶格发生弛豫。研究结果为多孔硅衬底上材料的生长和光学性能的研究提供了良好的实验依据。 首次采用超高真空电子束蒸发的方法在多孔硅上成功地外延出晶体质量和电学性能良好的单晶硅。深入研究了影响外延的各种因素，特别是多孔硅的孔隙率和外延温度对外延层质量的影响，发现多孔硅的预氧化可以有效地阻止外延时B的扩散，外延层中主要的缺陷是沿着{111}面生长的层错。从晶体生长动力学角度分析了多孔硅上外延硅的生长机理。 研究了多孔硅在HF/H_2O_2溶液中的腐蚀行为，发现多孔硅的腐蚀以孔内腐蚀为主，腐蚀液通过毛细效应进入纳米孔内，孔壁被腐蚀掉后使得多孔硅整层同时坍塌。多孔硅在HF/H_2O_2溶液中的腐蚀速率比体硅的高几个数量级。 优化了外延条件，结合低温键合与多孔硅的剥离技术，在国内首次用多孔硅外延层转移技术成功地制备出了SOI材料。分析表明，ELTRAN-SOI的顶层硅厚度均匀，单晶质量优良；界面清晰、陡直；电学特性优异。 首次研究了碳等离子体注入对多孔硅的改性，得到了强蓝光发射，详细研究了退火温度对发光强度的影响，发现在400℃时达到最大值，并探讨了相关的机理。这一研究结果为硅基蓝光材料的制备提供了一种新的技术。 深入研究了等离子体浸没式氢注入硅的发光性能，发现在700—1000nm范围内获得低温荧光，当退火温度为400℃时荧光强度达最大。从600℃退火的注氢样品上获得白色室温电致发光。根据对注氢样品的结构和成分分析结果，分析了可能的发光原因。 摘 要 首次研究了硅中碳氢共注样品的发光性能c发现在适当碳含量的碳化硅样品中注入氢可以获得室温蓝光发射，追火温度对荧光有明显的影响。分析表明该荧光可能与碳化硅／硅的界面有关，氢在此起重要的作用。 探索硕－究了用脉冲檄光沉积的方法在多孔硅衬底上制备BST薄膜。发现多孔硅的孔隙率对BST的晶粒尺寸有明显的影I’向，与相同条件下在体硅衬底上生长的SST薄膜相比，其晶体质量有所改善。＊ST与多孔硅界面处的非晶＊ST是山于田T多孔硅的界面相互扩散引起的。多孔硅衬底上的＊盯结构为高灵敏度、低热噪音的红外探测器的制备提供了新材料。(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2002-07-01）
刘卫丽,多新中,张苗,沈勤我,王连卫[10]（2001）在《多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究》一文中研究指出用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)和扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直。对制备多孔硅的衬底材料也作了研究,结果表明P型重掺杂的硅衬底在暗场下阳极氧化后仍保持很好的单晶性能,用超高真空电子束蒸发方法能外延出质量很好的单晶硅,并且,在一定浓度的HF/H2O2溶液中具有较高的腐蚀选择率,保证了上层硅厚度的均匀性。(本文来源于《功能材料与器件学报》期刊2001年04期）
层转移论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着化合物半导体技术日益成熟,利用晶体管级异构集成技术在同一芯片内实现Si CMOS与化合物半导体的集成以获得最佳的电路/系统性能,既是技术发展的内在需求也是后摩尔时代的必然趋势。南京电子器件研究所开展了基于外延层转移技术的晶体管级异构集成方面的研究,在国内首次将1.5|im厚的76.2 mm(3英寸)GaAs pHEMT外延层薄膜完整地剥离并转移到Si衬底上(如图1所示),
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
层转移论文参考文献
[1].唐群涛,沈鸿烈,邢正伟.多孔硅层转移法制备超薄晶硅太阳电池的研究进展[J].真空科学与技术学报.2016
[2].赵岩,吴立枢,石归雄,程伟,栗锐.GaAspHEMT外延层转移技术研究[J].固体电子学研究与进展.2014
[3].赵岩,程伟,吴立枢,吴璟,石归雄.基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术[J].固体电子学研究与进展.2014
[4].王柏玲.一场家长会全家同忐忑[N].文汇报.2011
[5].赵素芬,刘晓艳.复合膜铝层转移现象分析[J].包装工程.2010
[6].成远发.再谈镀铝膜复合铝层转移[N].中国包装报.2008
[7]..B3G研究重点向网络层转移[N].人民邮电.2008
[8].陈海波,王威,王建安.江北帮扶困难群众不留“断层”[N].宁波日报.2007
[9].刘卫丽.多孔硅外延层转移SOI新材料制备与改性多孔硅发光性能的研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2002
[10].刘卫丽,多新中,张苗,沈勤我,王连卫.多孔硅外延层转移制备SOI材料的研究[J].功能材料与器件学报.2001