导读:本文包含了自旋偏压论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:量子点,AB干涉器,格林函数,Rashba自旋轨道耦合
自旋偏压论文文献综述
殷秀梅[1]（2013）在《自旋偏压驱动的量子点环AB干涉器中电子的输运性质》一文中研究指出我们知道量子点的结构是准零维的，其具有的量子效应已被深入研究，例如量子隧穿效应、库仑阻塞效应、Kondo效应以及Fano效应等。经研究发现，当量子点相互耦合时，其电子输运性质会更为复杂。当电极与量子点列阵相互耦合时，我们可以用非平衡态格林函数方法研究电子通过该量子点列阵的输运性质，得出了很多有趣的结论：量子点的能级、量子点列阵的几何结构、量子点间的耦合强度以及磁通都会影响输运性质，这些电子输运性质是非常有应用价值的，研究这些输运特性将会有利于纳米电子器件的研制。在纳米结构中，对电子自旋的操纵可以实现其在量子计算机和量子信息领域的应用，利用自旋控制半导体的电导行为具有很多优势，因此自旋操控已经成为人们广泛研究的课题。量子点中电子自旋是量子比特的自然候选者，因此量子点已经成为量子比特的一个基本单元，所以对量子点内电子自旋的操控受到广泛关注。很多理论工作研究了电极存在自旋偏压时量子点中的电子输运，得出了一些有趣的现象。因此，在实验和理论工作的基础上，就很容易理解在量子点系统中，电极中的自旋偏压对电子输运和自旋操控起了很重要的作用。本文采用了非平衡态格林函数方法，研究了耦合量子点体系中在自旋偏压驱动下电子的自旋极化输运性质在量子点结构中，每个量子点可以和其他的耦合,量子点结构决定了电子输运行为，所以这里我们讨论的是叁个量子点环结构中自旋偏压驱动的电子输运性质。在这种结构中包含了量子相干机制，例如fano效应，AB效应，另外局部的磁通可以改变本证能级和电子占有数。我们预料自旋偏压和量子干涉将会引起有趣的结论。凭借当前的纳米和中尺度技术，量子点环中叁个或者四个量子点都是可以制造出来的。所以研究在电极存在自旋偏压的叁量子点结构中的自旋偏压驱动电子性质是很有价值的。结果显示，由于量子干涉效应，自旋偏压驱动了明显的电荷和自旋电流，自旋偏压也诱导了各个量子点中的自旋积累，这些都帮我们深入阐明了自旋行为的结果。此外，我们发现与电极耦合的量子点的能级最终影响电子输运性质。另外，我们也展示了量子点中的自旋积累。它们帮助我们弄清了受自旋偏压影响的自旋性质，尤其是存在电子相互作用的情况。当我们用二级近似的方法处理多体效应存在时的情况时，多体效应在改变电荷和自旋输运上起了独特作用。简而言之，自旋操纵理论上是可行的。(本文来源于《辽宁大学》期刊2013-04-01）
李慧[2]（2011）在《量子点器件中由自旋偏压诱导的自旋输运》一文中研究指出半导体量子点是准零维的介观结构,其中的载流子(如：电子)受到量子束缚而具有分立的能级和较强的库仑相互作用,这使得单个量子点的电子特性类似于自然界的原子,而被称为“人造原子”。与单个量子点相比,量子点分子结构具有更多的结构参数可以调控,其所实现的丰富的物理效应可作为未来量子信息及量子计算等纳米电子学功能器件的物理基础,量子点分子结构的电子输运特性是目前关于量子点研究的热点方向。本文采用非平衡态格林函数方法,对平行双量子点中的电子以及自旋输运性质进行了较为系统的理论研究,得到了一些有意义的结果。本论文工作开展如下两个方面的理论研究：一方面,我们通过考虑源电极的自旋偏压来研究双量子点ABF干涉仪中自旋极化电子的输运,我们发现自旋偏压调整了非共振通道的电子输运,驱动了漏极的电荷流和自旋流。同时,在共振通道的量子点出现明显的由自旋偏压诱导的自旋积累,这种特性是严格依赖于点内库仑相互作用。此外,当在源电极和漏极引入偏压时,通过改变偏压的振幅对漏极的电流和共振通道量子点的自旋积累进行有效的操控,包括电流和自旋积累方向和振幅的改变。另一方面,在理论上,通过叁终端叁量子点环来研究电子输运。在一个单独的量子点上引入局域的Rashba自旋轨道相互作用,我们发现在一个终端的自旋偏压明显的驱动了另一终端的电荷流,而且振幅相同,方向相反。这意味着在这样的结构中,可以通过电荷流的属性来测量自旋偏压。与此同时,通过自旋偏压诱导的自旋输运显着。当引用磁通量时,我们发现它在操控电荷输运和自旋输运方面是非常重要的。随着我们获得的结果,我们也建议这种结构可以用于电荷流和自旋流修正的原型。(本文来源于《东北大学》期刊2011-06-01）
段亚南[3]（2010）在《自旋偏压驱动的量子输运特性研究》一文中研究指出自旋电子学一直是当今的前沿研究领域,其发展对于微电子、光电子以及信息产业影响重大。本文首先回顾了量子输运的一些效应,如量子隧穿、库仑阻塞效应,介绍了自旋偏压和纯自旋流的研究现状以及非平衡态格林函数方法。接着,我们研究了微波场下自旋偏压驱动的量子点模型。结果表明,外加磁场破坏量子点能级的自旋简并,使得电荷流和自旋流的共振峰劈裂开,得不到纯自旋流。加上微波场后,电子可以吸收光子获得能量,等效于增加量子点输运的通道数,电流中出现光子边带峰。特别在强微波场作用下,由于多光子过程的作用光子边带峰的数量明显增多。最后,我们研究了自旋偏压驱动的单分子磁体的量子输运特性。我们只考虑分子磁体的两个自旋简并基态,将其简化为一个二能级模型,分子的中性态和荷电态以及它们的自旋简并基态可以等价于一个耦合的双量子点模型,利用分子的福克态构造系统输运的哈密顿量,由非平衡格林函数的方法计算系统自旋分离的荷电流,自旋偏压下,系统中形成纯的自旋流。通过门电压,可以改变分子磁体从中性态变到荷电态跃迁能的大小,这些跃迁能级刚好就是电子输运的共振能级,随着共振能级相继进入自旋偏压窗口,相应的自旋流出现了共振峰,共振峰很好的对应着跃迁能级。这些结论对有助于更好的了解量子输运过程,同时为自旋电子学的发展提供了很好的理论帮助。(本文来源于《山西大学》期刊2010-06-01）
段亚南,李志坚[4]（2010）在《微波场下自旋偏压驱动的量子点输运特性》一文中研究指出采用非平衡态格林函数方法,研究了外磁场、微波场对自旋偏压驱动量子点输运特性的影响.数值结果表明:外磁场破坏量子点能级的自旋简并,相应自旋流的共振峰劈裂,电荷流不为零,不能获得纯自旋流;微波场作用下,量子点会有更多的隧穿通道,产生了许多的边带峰,特别是强微波场作用下多光子过程起了重要作用.(本文来源于《山西大学学报(自然科学版)》期刊2010年02期）
程永喜,段亚南,李志坚[5]（2010）在《矩形自旋偏压驱动下的量子点动力学》一文中研究指出文章计算了矩形自旋偏压驱动下电流随时间演化的表达式,并由此研究了受磁场影响量子点系统的瞬时隧穿过程.数值结果表明:在矩形自旋偏压驱动下出现了进出电荷的现象;无磁场时会产生纯自旋流,而加磁场时会对电荷流和自旋流的值产生影响,电荷流和自旋流在量子点系统中同时存在.(本文来源于《太原师范学院学报(自然科学版)》期刊2010年01期）
自旋偏压论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
半导体量子点是准零维的介观结构,其中的载流子(如：电子)受到量子束缚而具有分立的能级和较强的库仑相互作用,这使得单个量子点的电子特性类似于自然界的原子,而被称为“人造原子”。与单个量子点相比,量子点分子结构具有更多的结构参数可以调控,其所实现的丰富的物理效应可作为未来量子信息及量子计算等纳米电子学功能器件的物理基础,量子点分子结构的电子输运特性是目前关于量子点研究的热点方向。本文采用非平衡态格林函数方法,对平行双量子点中的电子以及自旋输运性质进行了较为系统的理论研究,得到了一些有意义的结果。本论文工作开展如下两个方面的理论研究：一方面,我们通过考虑源电极的自旋偏压来研究双量子点ABF干涉仪中自旋极化电子的输运,我们发现自旋偏压调整了非共振通道的电子输运,驱动了漏极的电荷流和自旋流。同时,在共振通道的量子点出现明显的由自旋偏压诱导的自旋积累,这种特性是严格依赖于点内库仑相互作用。此外,当在源电极和漏极引入偏压时,通过改变偏压的振幅对漏极的电流和共振通道量子点的自旋积累进行有效的操控,包括电流和自旋积累方向和振幅的改变。另一方面,在理论上,通过叁终端叁量子点环来研究电子输运。在一个单独的量子点上引入局域的Rashba自旋轨道相互作用,我们发现在一个终端的自旋偏压明显的驱动了另一终端的电荷流,而且振幅相同,方向相反。这意味着在这样的结构中,可以通过电荷流的属性来测量自旋偏压。与此同时,通过自旋偏压诱导的自旋输运显着。当引用磁通量时,我们发现它在操控电荷输运和自旋输运方面是非常重要的。随着我们获得的结果,我们也建议这种结构可以用于电荷流和自旋流修正的原型。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自旋偏压论文参考文献
[1].殷秀梅.自旋偏压驱动的量子点环AB干涉器中电子的输运性质[D].辽宁大学.2013
[2].李慧.量子点器件中由自旋偏压诱导的自旋输运[D].东北大学.2011
[3].段亚南.自旋偏压驱动的量子输运特性研究[D].山西大学.2010
[4].段亚南,李志坚.微波场下自旋偏压驱动的量子点输运特性[J].山西大学学报(自然科学版).2010
[5].程永喜,段亚南,李志坚.矩形自旋偏压驱动下的量子点动力学[J].太原师范学院学报(自然科学版).2010
标签：量子点; AB干涉器; 格林函数; Rashba自旋轨道耦合;