导读:本文包含了磁致电阻效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铁磁性半导体,隧道结,TMR
磁致电阻效应论文文献综述
鲁明亮,马丽娟,陶永春[1]（2019）在《GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应》一文中研究指出铁磁半导体构成隧道结的研究是凝聚态领域中一个重要的研究方向.k·p模型在处理半导体异质结空穴传输问题时非常有效,利用k·p模型研究GaMnAs/AlAs/GaMnAs隧道结的磁致电阻效应,通过将k·p微扰与多能带量子传输边界相结合的新方法,给出自旋量子轴的转换矩阵.计算了各种空穴的透射系数随能量的变化以及隧道结的磁致电阻,讨论了隧道磁致电阻对自旋量子轴方向的依赖关系,并对计算结果进行了理论分析.(本文来源于《淮阴师范学院学报(自然科学版)》期刊2019年01期）
马聆乐,朱鹏飞,孙旭,赵廷仪[2]（2018）在《二氧化碳激光的光致电阻效应》一文中研究指出通过激光照射可以在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中实现电阻变化,使用二氧化碳激光照射多壁碳纳米管-二氧化硅-硅(MWNTs-SiO_2-Si)结构,观察电阻随时间变化的瞬态响应.研究表明对硅片施加正偏压,可以增大器件的电阻值,对硅片施加负偏压,可以减小器件的电阻值.二氧化碳激光的功率越小,电阻达到极值所需的时间越长;反之,二氧化碳激光功率越大,电阻达到极值所需的时间越短.(本文来源于《上海工程技术大学学报》期刊2018年04期）
臧婷玉,吉帅,翟章印[3]（2018）在《铝/铁掺杂的非晶碳/铝结构的电致电阻效应研究》一文中研究指出采用脉冲激光沉积方法在石英玻璃衬底上沉积铁掺杂的非晶碳膜(a-C∶Fe),然后使用真空热蒸发设备在膜上镀铝(Al)电极层,形成Al/a-C∶Fe/Al结构的器件。该器件在±5 V测试电压范围内显示出可逆电致电阻效应,具有较好的开关电压、开关比等参数,可用作电阻型随机存储器。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2018年08期）
别业广,胡妮,刘丰铭,段天赐,裴玲[4]（2016）在《La_(0.4)Ca_(0.6)Mn_(0.98)Ru_(0.02)O_3中的电致电阻效应研究》一文中研究指出单相多晶锰氧化物样品La_(0.4)Ca_(0.6)Mn_(0.98)Ru_(0.02)O_3具有典型的电子相分离基态,即低温下铁磁金属相与电荷有序绝缘相共存并竞争,这为我们研究电致电阻效应提供了很好的模型。本论文基于此目的,采用固相合成法制备了La_(0.4)Ca_(0.6)Mn_(0.98)Ru_(0.02)O_3的多晶陶瓷样品,用X射线衍射证明了样品是单相,并详细测量了样品的电致电阻效应。实验结果表明,该体系的电阻率能够在大范围内被输入电流调控,获得的电致电阻效应高达80%以上。此外,低温下该样品的电阻态可以通过改变电流输入强度进行连续转换,反映了样品基态在电流的激发下发生了改变。通过讨论,我们认为这些观测到的物理效应起源于输入电流提升了样品中的铁磁金属相的稳定性。(本文来源于《无机材料学报》期刊2016年11期）
孟秋敏[5]（2016）在《渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究》一文中研究指出通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2—10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变化率越大;在2—10K,渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差,且场强越高,误差越大,误差随温度出现了近似V字形的变化,在7K处误差到达了最高值,16T、7K处的误差为-0.877K;在2—14K,渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大,在50—300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。(本文来源于《低温与超导》期刊2016年04期）
孟秋敏[6]（2016）在《35 T强磁场下Cernox和氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究》一文中研究指出以Cernox(CX-1050、CX-1030)和氧化钌(RX-202、RX-102)温度传感器为研究对象,研究了其在0—35 T场强、0.75—69.5 K温区下的磁致电阻效应。实验结果表明:CX-1050和RX-202的磁效应和在35 T下的测量误差都随温度的变化出现正负磁效应和正负温度误差交替的现象,且低于10 K时,磁效应随温度的变化率明显增大,在35 T、4.2 K处CX-1050和RX-202的磁效应分别为-6.63%、2.21%;总体来说强磁场下受磁阻影响由小到大分别为RX-202、CX-1050、CX-1030、RX-102,尤其RX-202,在1—35 T、4.2 K以下产生的测量误差小于-0.1 K。Cernox和氧化钌温度传感器受磁场的影响都较小。(本文来源于《低温工程》期刊2016年01期）
熊元强[7]（2015）在《磁性氧化物薄膜中电致电阻和电控磁效应研究》一文中研究指出近年来,随着科学技术的快速发展,人们对信息存储技术的要求越来越高。寻找到一种具有高存储密度、高读写速度、非易失性和低能耗的新型信息存储器是当前信息存储技术研究的目标。其中,用电场替代磁场或电流来控制磁性以实现信息的高速度、低功耗写入是至关重要的。为了实现这一目标,多铁性材料中的磁电耦合效应提供了一种可行性的方法。然而随着多铁性材料中电控磁研究的深入,一些存在的问题逐渐暴露出来,比如存储数据的易失性问题,制备工艺与传统CMOS工艺不兼容的问题。这些问题严重阻碍了电控磁效应在信息存储器件中的应用。因此,寻找到新的材料或者新的物理机制来实现室温下的与CMOS制备工艺兼容的非易失性电控磁效应是当前研究的重点。多重态电致电阻效应在高密度信息存储器中有重要应用,近年来被广泛的关注。目前,在很多材料中都发现了多重态电致电阻效应,但在这些材料中多重态电阻响应都很不稳定,这严重制约了其实际应用。因此,研究多重态电致电阻效应机制以及寻找到具有高性能的多重态电致电阻器件材料已成为当前重要的研究课题之一。本论文针对上述问题展开了研究,主要包括两个方面的内容:一部分是磁性氧化物中基于电致电阻效应的电控磁效应研究;一部分是钙钛矿锰氧化物La2/3Ba1/3MnO3中的多重态电致电阻效应研究。具体内容如下:1.Au/NiO/Pt器件中电致电阻效应对其磁性的调控研究采用脉冲激光沉积技术制备了 Au/NiO/Pt器件,器件具有良好的单极性电致电阻性能。利用SQUID测量了阻变前后器件的磁性变化。实验结果表明,器件在不同电阻态下具有不同的饱和磁矩,且在低阻态下的饱和磁矩比在高阻态时的饱和磁矩大。经过多次测量发现,器件的饱和磁矩随高低电阻态变化呈现出稳定的响应,且这种饱和磁矩的改变是非易失且是可逆的。通过分析发现其机制来源于电致电阻过程中金属Ni导电丝的生成与熔断。2.Au/La2/3Ba1/3MnO3/Pt器件中的电致电阻效应和对其磁性的调控研究利用脉冲激光沉积在(111)取向的Pt/Ti/SiO2/Si硅基衬底上制备了La2/3Ba1/3MnO3薄膜器件。器件具有优异的双极性电致电阻性能。利用SQUID测量了电致电阻效应对Au/La2/3Ba1/3MnO/Pt器件磁性的影响。实验结果显示,在阻变前后,Au/La2/3Ba1/3MnO3/Pt器件的饱和磁矩发生了明显变化。器件处于低阻态时的饱和磁矩明显高于器件处在高阻态时的饱和磁矩。且器件的饱和磁矩随高低电阻态呈现稳定的响应,与其他基于多铁材料的磁电耦合效应不同,我们得到的这种磁性变化具有非易失性。进一步分析发现其机制来源于电场作用下氧离子迁移导致的-Mn3+-O2--Mn4+-导电链的修复与断裂。3.Au/La2/3Ba1/3MnO3/Pt器件中多重态电致电阻效应研究利用脉冲激光沉积在(111)取向的Pt/Ti/Si02/Si硅基衬底上制备了La2/3Ba1/3MnO3薄膜,并利用自己搭建的电致电阻测试系统对其电致电阻效应进行了测量。实验结果显示,Au/La2/3Ba1/3MnO3/Pt器件表现出由Reset电压调制的多重态电致电阻效应。在超过3500次重复读写过程中,器件表现出稳定的多重态电阻响应,具有优异的多重态电致电阻性能。该效应的物理机制来源于电场作用下的氧离子或氧空位迁移所导致的-Mn3+-O2--Mn4+-链的修复与断裂。4.Au/CoFe2O4/Pt器件中的电致电阻效应和对其磁性的调控研究利用脉冲激光沉积在(111)取向的Pt/Ti/SiO2/Si硅基衬底上制备了 CoFe2O4薄膜器件。器件具有优异的单极性电致电阻性能。利用原子力显微镜(AFM)和磁力显微镜(MFM)原位的从微观上观测了薄膜阻变前后磁畴的变化情况。实验结果表明,阻变前后,CoFe2O4薄膜的磁畴有明显的变化,给出了利用电致电阻效应实现电场调控磁性的直接证据。(本文来源于《南京大学》期刊2015-05-01）
褚慧芳,梁坤,马志军,章天金,吴冰[8]（2014）在《Au/BaTiO_3/SrRuO_3异质结的制备与电致电阻效应研究》一文中研究指出异质结的高低阻态可以分别代表逻辑"0"和"1",从而实现二进制数据存储.采用磁控溅射法制备Au/BaTiO3/SrRuO3异质结.研究结果表明在不同工艺条件下制备的BaTiO3薄膜均具有(002)择优取向.电学测试表明:在较低气压下制备的薄膜,异质结中可以实现可逆的单极性到双极性电阻转变;在较高气压下制备的薄膜,异质结中可以实现不可逆的非对称双极性电阻转变.这些实验结果可以用界面调制的随机断路器网络模型统一解释.(本文来源于《湖北大学学报(自然科学版)》期刊2014年06期）
王灿[9]（2014）在《铁电可翻转二极管与电致电阻效应》一文中研究指出在铁电薄膜电容器结构中,铁电极化反转对薄膜的导电行为有显着的影响。这里将介绍铁电可翻转二极管与铁电电致电阻的研究进展,以及我们在BiFeO3外延薄膜研究中获得的相关实验结果。(本文来源于《2014中国功能材料科技与产业高层论坛摘要集》期刊2014-08-26）
孟建光,尚杰,薛武红,刘宜伟,王军[10]（2014）在《光对ZnO薄膜电致电阻转变效应的调控研究》一文中研究指出利用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备ZnO薄膜,X射线衍射测试表明ZnO薄膜为纯相结构,原子力显微镜测试显示ZnO薄膜表面平整均匀,均方根粗糙度为1.87nm.在室温下对Au/ZnO/Pt叁明治结构的电输运行为进行了研究,结果表明同时存在电致电阻转变效应和光伏效应,并且光照可调控电致电阻.当光强为360μW·cm-2时,电阻调控幅度达78%,这种光调控的电致电阻转变有助于实现多态存储,提高存储密度.(本文来源于《宁波大学学报(理工版)》期刊2014年03期）
磁致电阻效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
通过激光照射可以在金属-氧化物-半导体(MOS)结构中实现电阻变化,使用二氧化碳激光照射多壁碳纳米管-二氧化硅-硅(MWNTs-SiO_2-Si)结构,观察电阻随时间变化的瞬态响应.研究表明对硅片施加正偏压,可以增大器件的电阻值,对硅片施加负偏压,可以减小器件的电阻值.二氧化碳激光的功率越小,电阻达到极值所需的时间越长;反之,二氧化碳激光功率越大,电阻达到极值所需的时间越短.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
磁致电阻效应论文参考文献
[1].鲁明亮,马丽娟,陶永春.GaMnAs/AlAs/GaMnAs构成隧道结的隧道磁致电阻效应[J].淮阴师范学院学报(自然科学版).2019
[2].马聆乐,朱鹏飞,孙旭,赵廷仪.二氧化碳激光的光致电阻效应[J].上海工程技术大学学报.2018
[3].臧婷玉,吉帅,翟章印.铝/铁掺杂的非晶碳/铝结构的电致电阻效应研究[J].人工晶体学报.2018
[4].别业广,胡妮,刘丰铭,段天赐,裴玲.La_(0.4)Ca_(0.6)Mn_(0.98)Ru_(0.02)O_3中的电致电阻效应研究[J].无机材料学报.2016
[5].孟秋敏.渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究[J].低温与超导.2016
[6].孟秋敏.35T强磁场下Cernox和氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究[J].低温工程.2016
[7].熊元强.磁性氧化物薄膜中电致电阻和电控磁效应研究[D].南京大学.2015
[8].褚慧芳,梁坤,马志军,章天金,吴冰.Au/BaTiO_3/SrRuO_3异质结的制备与电致电阻效应研究[J].湖北大学学报(自然科学版).2014
[9].王灿.铁电可翻转二极管与电致电阻效应[C].2014中国功能材料科技与产业高层论坛摘要集.2014
[10].孟建光,尚杰,薛武红,刘宜伟,王军.光对ZnO薄膜电致电阻转变效应的调控研究[J].宁波大学学报(理工版).2014