导读:本文包含了晶圆干燥论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:晶圆干燥,氮气加热,半导体生产
晶圆干燥论文文献综述
陈平,舒福璋,段成龙,郑佳晶[1]（2013）在《旋转式晶圆自动干燥装置的设计与研究》一文中研究指出阐述了制造半导体器件的晶圆在清洗过程中的高洁净度自动烘干环节的重要性,介绍了旋转式晶圆自动干燥装置的结构原理,设计并实现了适合于工业化生产的晶圆自动干燥装置,满足了半导体生产企业对晶圆表面的烘干要求。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2013年05期）
段海东[2]（2011）在《带光阻晶圆在湿法工艺中的干燥技术研究》一文中研究指出随着集成电路芯片特征尺寸的缩小,芯片制造业对晶圆表面洁净度的要求越来越高,这使得湿法工艺,即湿法刻蚀和湿法清洗工艺在集成电路生产中扮演着越来越重要的角色。干燥是湿法工艺中最后一个步骤,是极大影响芯片成品率的重要环节,这使得干燥技术面临着新的挑战。本文以0.13μm逻辑工艺中双栅湿法刻蚀(Dual Gate Wet Etch)工艺以及自对准多晶硅化物阻挡层的湿法刻蚀(Salicide Block Wet Etch)工艺为对象,研究分析了表面覆盖光阻的晶圆在二氧化硅湿法刻蚀工艺中干燥时产生的光阻损伤、自然氧化物和晶圆边缘处的颗粒缺陷,通过KLA晶片检测系统(KLA Surface Scan)、光学显微镜OM (Optical Microscope)检测机台、扫描式电子显微镜SEM (Scanning Electron Microscope)等不同仪器的分析,找出了晶圆表面缺陷的分布规律以及成分。文中通过晶圆在不同干燥条件下的实验得到缺陷与晶圆干燥时IPA的温度、流量及晶圆脱水速度的关系。研究结果表明,当异丙醇(IPA)温度低于40℃时,光阻在干燥过程中无损伤；水痕缺陷和晶圆边缘颗粒缺陷随着IPA的流量的增加而降低,随着晶圆脱水速度的减慢而减少。此外,通过在不同光刻条件下的实验得到了光刻胶类型,HMDS处理时间及Hard Bake温度与二氧化硅湿法刻蚀后光阻覆盖情况的关系。本文最后对比各个实验条件下的缺陷情况分析找出了解决问题的最佳方案。确定了表面覆有光阻的晶圆在干燥过程中IPA温度保持在室温,流量为25L/min。并结合实际生产情况在干燥过程中晶圆脱水速度采用两段式脱水(即晶圆上半部分脱水速度为1mm/s,下半部分采用0.5mm/s),这样即保证了晶圆干燥的质量,又提高了生产效率。将该方案应用于在线产品后,晶圆良率可以提高8%。除此之外,对于已经产生缺陷的晶圆,文中通过实验分析总结了一些再处理的方法以及处理后的良率对比以供参考。随着世界各国对环境污染及资源可循环利用的日益关注,文章最后对绿色湿法工艺和干燥技术的前景作了展望。(本文来源于《复旦大学》期刊2011-03-26）
G,W,Gale,H,Ohno[3]（2005）在《晶圆干燥缺陷的机理与控制》一文中研究指出长期以来,人们对于硅片在经过HF湿法处理之后出现的水印早已有所认识,尤其是图形包含亲水和疏水层时最为明显。我们系统地研究了经过HF后道处理之缺陷形成的机理,并确认了与先前报道的水印截然不同的缺陷类型。根据X射线和其它分析表明,认为这些缺陷与周围环境残余的汽相HF和随后的晶圆表面反应有关。根据反应腔室HF浓度的不同可以产生不同类型的缺陷。由于水印是由硅在水中的氧化和随后产生的氧化物的分解形成的,少量的HF具有加速这个过程的效果。形成不同缺陷的条件,还有避免这些缺陷的策略均得以认定。正确的排空管理是一个关键的因素。最后发现,重参杂的硅更易产生缺陷。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2005年07期）
晶圆干燥论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着集成电路芯片特征尺寸的缩小,芯片制造业对晶圆表面洁净度的要求越来越高,这使得湿法工艺,即湿法刻蚀和湿法清洗工艺在集成电路生产中扮演着越来越重要的角色。干燥是湿法工艺中最后一个步骤,是极大影响芯片成品率的重要环节,这使得干燥技术面临着新的挑战。本文以0.13μm逻辑工艺中双栅湿法刻蚀(Dual Gate Wet Etch)工艺以及自对准多晶硅化物阻挡层的湿法刻蚀(Salicide Block Wet Etch)工艺为对象,研究分析了表面覆盖光阻的晶圆在二氧化硅湿法刻蚀工艺中干燥时产生的光阻损伤、自然氧化物和晶圆边缘处的颗粒缺陷,通过KLA晶片检测系统(KLA Surface Scan)、光学显微镜OM (Optical Microscope)检测机台、扫描式电子显微镜SEM (Scanning Electron Microscope)等不同仪器的分析,找出了晶圆表面缺陷的分布规律以及成分。文中通过晶圆在不同干燥条件下的实验得到缺陷与晶圆干燥时IPA的温度、流量及晶圆脱水速度的关系。研究结果表明,当异丙醇(IPA)温度低于40℃时,光阻在干燥过程中无损伤；水痕缺陷和晶圆边缘颗粒缺陷随着IPA的流量的增加而降低,随着晶圆脱水速度的减慢而减少。此外,通过在不同光刻条件下的实验得到了光刻胶类型,HMDS处理时间及Hard Bake温度与二氧化硅湿法刻蚀后光阻覆盖情况的关系。本文最后对比各个实验条件下的缺陷情况分析找出了解决问题的最佳方案。确定了表面覆有光阻的晶圆在干燥过程中IPA温度保持在室温,流量为25L/min。并结合实际生产情况在干燥过程中晶圆脱水速度采用两段式脱水(即晶圆上半部分脱水速度为1mm/s,下半部分采用0.5mm/s),这样即保证了晶圆干燥的质量,又提高了生产效率。将该方案应用于在线产品后,晶圆良率可以提高8%。除此之外,对于已经产生缺陷的晶圆,文中通过实验分析总结了一些再处理的方法以及处理后的良率对比以供参考。随着世界各国对环境污染及资源可循环利用的日益关注,文章最后对绿色湿法工艺和干燥技术的前景作了展望。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶圆干燥论文参考文献
[1].陈平,舒福璋,段成龙,郑佳晶.旋转式晶圆自动干燥装置的设计与研究[J].科技创新与应用.2013
[2].段海东.带光阻晶圆在湿法工艺中的干燥技术研究[D].复旦大学.2011
[3].G,W,Gale,H,Ohno.晶圆干燥缺陷的机理与控制[J].电子工业专用设备.2005