本文主要研究内容
作者许佳佳,黄敏,徐庆庆,徐志成,王芳芳,白治中,周易,陈建新,何力（2019）在《InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究》一文中研究指出：报道了采用Cl2/N2电感耦合等离子（ICP）组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。
Abstract
bao dao le cai yong Cl2/N2dian gan ou ge deng li zi （ICP）zu ge ti ke shi gong yi zai InAs/GaSb Ⅱlei chao jing ge gong wai jiao ping mian tai mian jia gong guo cheng zhong de yan jiu jie guo ,shi yan cai yong fen zi shu wai yan ji shu zai GaSbchen de shang sheng chang de PINxing chao jing ge cai liao 。jie guo biao ming ,qi ti liu liang bi li zhi jie dui ke shi su lv he ke shi xing mao chan sheng ying xiang ,lv qi han liang yue gao ,ke shi su lv yue da ,dang dan qi han liang zeng jia ,ke shi su lv jiang di bing qu yu yi ding zhi 。dang lv qi he dan qi de liu liang bi li he deng li zi qiang ti nei ya li deng can shu yi ding shi ,sui zhao wen du sheng gao ,ke shi su lv he shua ze bi zai you xian fan wei nei tong shi xian xing zeng da ,tai mian de qing jiao qu yu zhi jiao ,tai mian lun kuo ceng zhuang wen li zhu jian xiao shi ,dan gou dao nei bian de cu cao bu ping ,bing chu xian keng dian 。zai shi yan yan jiu fan wei nei ,dian gan ou ge deng li zi yuan de ICPgong lv he RFgong lv dui ke shi jie guo chan sheng de ying xiang jiao xiao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自红外与毫米波学报的许佳佳,黄敏,徐庆庆,徐志成,王芳芳,白治中,周易,陈建新,何力，发表于刊物红外与毫米波学报2019年02期论文，是一篇关于电感耦合等离子论文,刻蚀论文,类超晶格论文,焦平面论文,红外与毫米波学报2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自红外与毫米波学报2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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