导读:本文包含了吸收边论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:SiO_2薄膜,带隙宽度,带尾能量,氧空位缺陷
吸收边论文文献综述
孔明东,李斌成,郭春,柳存定,何文彦[1]（2019）在《SiO_2光学薄膜的吸收边特性》一文中研究指出二氧化硅(SiO_2)是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观结构、缺陷等信息对于研究和提高薄膜的性能具有重要作用。本文通过电子束蒸发、离子辅助、磁控溅射方法制备SiO_2薄膜并进行测试,计算出其吸收边光谱,对吸收边光谱的强吸收区、e指数区、弱吸收区进行分段分析得到SiO_2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据。进一步分析叁种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO_2薄膜的微观原子排列结构、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO_2薄膜的原子排列结构、微观缺陷的差异和变化进行了分析和讨论。(本文来源于《光电工程》期刊2019年04期）
史文俊[2]（2017）在《多物理场中锗在吸收边附近的介电函数模型与测量》一文中研究指出锗是常用红外光学材料(波长大于1900nm为透明区),也是性能优异的敏感材料。在半导体材料,乃至常规光学材料中,其热光和弹光特性都非常突出。但是,半导体材料吸收区的光学参数的理论模型和实验数据都非常缺乏,而光通信窗口(C波段)恰好处于锗的吸收边附近。前期对光纤—半导体薄膜温度传感器的研究工作中发现:锗在吸收边附近出现反常色散现象,即折射率随波长增大而增大,并且其压力—折射率系数为正值,与已有文献报道的锗在透明区(小于0.8eV)的折射率随波长变化趋势相反,且压力—折射率系数是负值不符。为了解释这种反常现象,本论文注重研究吸收边附近锗的折射率建模和测量。论文在理论上对已有半导体的折射率模型进行了深入的讨论,发现通常被忽略的位于吸收边附近的激子效应是更合理解释反常实验现象的钥匙。因此,论文在折射率模型中引入临界点模型(Critical Points model或CPs)以描述激子的色散效应,并获得了不同温度和压力下折射率的谱线图,实现了与实验数据完美吻合。论文实验部分包括晶态锗薄膜制备和折射率测量两个部分。前期的探针制备实验研究发现,镀膜工艺决定了锗薄膜的成膜质量,而具有较好结晶质量的锗薄膜的晶态是产生反常色散现象的关键因素。本文锗薄膜的制备采用电子束蒸发配合基底加热,在光纤的端面上蒸镀300nm的锗膜,并在镀膜后进行退火处理,最终制备得到高结晶度的锗膜。在折射率测量实验中巧妙利用镀有锗薄膜的光纤传感探针结构,成功测量得到锗薄膜在温度场(-20~100~oC)和压力场(0~25MPa)条件下吸收边附近(1530~1560nm)的反射率,进而通过我们修正的吸收区薄膜干涉公式计算得到折射率。论文实验工作所得到的数据结果填补了锗薄膜光学参数—热光和弹光系数在吸收边附近的空白,工作结果对锗薄膜在通信C波段的应用提供了有价值的数据。(本文来源于《武汉理工大学》期刊2017-03-01）
史文俊,易迎彦,黎敏[3]（2016）在《锗在吸收边附近的压力—折射率系数》一文中研究指出目前半导体锗在吸收边附近(1550 nm)的压力-折射率系数在实验和理论上并未研究清楚.本文通过测量在不同压力下镀在光纤端面的高结晶度锗薄膜的反射率,来计算得到锗在吸收边附近的压力-折射率系数.本文的实验结果显示,锗在吸收边附近出现反常色散现象,即折射率随能量变化呈正相关,并且其压力-折射率系数出现反常,为正值,这是由于多晶结构中的激子吸收所引起.通过引入描述激子色散的临界点模型,得到锗在吸收边附近的反常色散范围和压力-折射率系数呈正值的范围.本文的结果将有助于基于锗薄膜的通信C波段光学器件的研究.(本文来源于《物理学报》期刊2016年16期）
范明明[4]（2015）在《具有单一吸收边的混相ZnMgO薄膜及其紫外探测器件的制备和特性研究》一文中研究指出Zn Mg O基材料具有宽的带隙调节范围(从3.37 e V到7.8 e V)、高的电子饱和漂移速度、强的抗辐射能力、匹配的单晶衬底(Zn O和Mg O)、低的缺陷密度、容易合成、无毒无害、资源丰富和环境友好等优于窄带隙半导体和其他宽带隙半导体的材料性质,使其成为紫外探测的候选材料之一。低的暗电流和高的响应度一直是Zn Mg O紫外探测器的追求。六角相Zn Mg O紫外探测器通常具有较高的响应度,然而暗电流却较大;立方相Zn Mg O紫外探测器虽然具有较低的暗电流,但是响应度却较低。混相Zn Mg O由于同时具有六角相和立方相Zn Mg O,其紫外探测器有望同时具有两者的优势。目前,已报到的混相Zn Mg O紫外探测器通常具有较高的响应度,器件的暗电流依然较大。更重要的是,由于混相薄膜具有两个区分明显的吸收边导致器件具有两个探测带并且探测截止边不可控。这些问题限制了混相Zn Mg O紫外探测器的进一步应用。针对目前混相Zn Mg O紫外探测器具有双探测截止边以及暗电流较大等问题,本论文进行了细致的研究并取得了一些突破性的成果,具体如下:(1)针对目前混相Zn Mg O薄膜具有两个区分明显的吸收边这一问题,我们利用MBE技术并采用与Zn O和Mg O都具有较小晶格失配的a-Al2O3作为衬底,在国际上首次实现了具有单一吸收边的混相Zn Mg O薄膜,其吸收边可从3.9 e V到4.8 e V范围内可调。(2)我们利用光刻和湿法刻蚀工艺,在具有单一吸收边的混相Zn Mg O薄膜上实现了具有单一探测带的MSM结构混相Zn Mg O紫外探测器,其探测截止边可以从325 nm到275 nm范围内可调。器件具有较低的暗电流(40 V下,暗电流为8 p A~130 p A)以及较高的响应度(40 V下,峰值响应度为9 A/W~410 A/W)。此外,器件的紫外可见抑制比在3个量级以上,响应时间为37 ms~1 s。器件具有较低的暗电流与本征高阻的立方相Zn Mg O以及大量的六角相和立方相Zn Mg O之间的异质结晶粒间界有关;器件具有较高的响应度与大量的异质结晶粒间界和体内深缺陷充当空穴陷阱,延长空穴寿命有关。(3)同其他Zn Mg O器件相比,我们的混相Zn Mg O器件具有更好的综合性能,即:较低的暗电流、较高的响应度、较高的可见抑制比以及相对快速的响应时间。高性能的混相Zn Mg O紫外探测器的实现将对其在紫外探测领域的发展与应用具有巨大的指导意义。(本文来源于《中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2015-04-01）
舒卓[5]（2015）在《锗在吸收边附近热光系数的理论建模与测量》一文中研究指出折射率和热光系数是表征材料光学性质重要的参量。作为常用的红外光学材料,锗在透明区光学性质研究很成熟,但在吸收边附近(1550nm附近,属于近红外区),它的折射率和热光系数相关研究较少,论文仔细分析了锗材料在吸收边附近区域的光学吸收过程,指出本征吸收与激子吸收对吸收边热光效应存在较大的影响;利用吸收系数和折射率的内在联系,建立锗材料在吸收边附近的热光系数模型;并搭建实验平台实际测量了吸收边附近区域锗的热光系数。理论建模的具体思路为:在吸收边附近主要的吸收过程有本征吸收与激子吸收。本征吸收是由电子带间跃迁引起的,包括带间间接跃迁和带间直接跃迁,建模时忽略带间间接跃迁影响,只考虑跃迁概率较高的带间直接跃迁,这一部分借助经典的谐振子模型来描述。其中,按照对热光系数贡献的大小,带间直接跃迁又分为E0直接跃迁和其余直接跃迁。用简单的抛物线能带结构来描述E0直接跃迁;其余直接跃迁对热光系数的贡献则用透明区的折射率模型来计算。鉴于所讨论为吸收边附近区域,论文重点讨论激子吸收对吸收边附近热光效应的影响,采用wannier激子模型描述。尝试建立wannier模型中变量与温度函数关系,即可推导出介电常数与温度的关系,进而得到折射率—温度关系。最后,将谐振子模型与wannier激子模型结合,实现对吸收边光学现象的描述。根据所建模型进行理论计算发现,吸收边附近热光效应出现反常现象,即随温度升高呈递增趋势的锗的热光系数曲线在吸收边附近出现一个突变,即热光系数由正值变为负值之后,再趋于某一正值。论文搭建了基于光纤传感器的实验平台对锗膜的热光系数进行准确测量。利用蒸镀工艺在光纤端面镀上锗膜作为传感单元,利用高低温实验箱产生可调温度场,实验测量置于温箱中的锗膜反射率随温度的变化曲线,进而根据反射率—折射率关系得到折射率—温度系数,即热光系数。实验结果表明:如理论模型所预测,在吸收边附近,锗的热光系数随温度升高出现由正到负的变化。实验结果与理论模型基本相符,但实验结果中热光系数的减小趋势比理论预测要小。论文最后分析了理论模型与实验结果存在误差的原因,并指出之后工作的重点和努力方向。(本文来源于《武汉理工大学》期刊2015-04-01）
赵阳[6]（2014）在《温稠密等离子体吸收边光谱特性研究》一文中研究指出温稠密等离子体广泛存在于天体、惯性约束聚变及其他高能量密度系统中,研究温稠密等离子体的X光辐射特性是研究稠密等离子体系统的重要手段,具有重要的基础研究意义与应用价值。但由于温稠密等离子体中离子问的强关联效应,理论描述十分复杂,亟待发展与完善,而实验研究受实验条件限制,实验数据非常缺乏,是目前国际研究的前沿和热点问题之一。美国能源部、劳伦斯利弗莫尔国家实验室(LLNL)、德国的FAIR装置和欧洲的HiPER都将温稠密物质列入了研究计划。(本文来源于《中国工程物理研究院科技年报(2014年版)》期刊2014-11-01）
宋游,郑维明,刘桂娇,陈晨[7]（2014）在《L_Ⅲ吸收边法测定台架实验中的铀》一文中研究指出采用自制的LⅢ吸收边分析装置,建立了测量20~200g/L铀浓度的分析方法。通过实验确定了测量中铀的LⅢ吸收边左拟合区间为1 659~1 856道,右拟合区间为2 063~2 280道,铀的LⅢ吸收边为1 995道。9mol/L以下的硝酸、10g/L以下的Al以及10g/L以下的Fe对铀测量无显着影响。在铀的工作曲线范围内,其测量精密度均优于0.5%,稳定性好。利用本装置测量铀回收处理台架实验中的部分样品,取得了满意结果。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2014年08期）
徐朝鹏,王永贞,张伟,王倩,吴国庆[8]（2014）在《Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究》一文中研究指出采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,建立了未掺杂与不同浓度的Tl原子取代In原子的In1-xTlxI超胞模型,分别对模型进行了几何优化、能带分布、态密度分布和吸收光谱的计算.结果表明:Tl掺杂浓度越小,In1-xTlxI形成能越低,晶体结构越稳定;Tl的掺入使得InI体系导带向高能方向移动,而价带顶位置基本没变,导致禁带宽度变宽,InI吸收光谱出现明显蓝移现象.(本文来源于《物理学报》期刊2014年14期）
易荣清,马陈燕,樊启文[9]（2014）在《银吸收边附近X射线衰减系数测量》一文中研究指出在北京同步辐射装置的4B7A中能X光束线上,光源能区为2.1~6.0keV,能量分辨大于5000,高次谐波小于0.1%,光源强度大于109光子/s。通过全能区多能点的透过率精确测量Ag样品质量厚度,然后采用Ag薄膜对单能X光子的透过率进行测量,给出了Ag薄膜在吸收边(3.4~3.9keV)的衰减系数。建立了Ag样品吸收边附近衰减系数同步辐射测量方法。通过不确定度分析给出衰减系数测量不确定度小于1%,填补了在该区间衰减系数的空白。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2014年07期）
邵志栋,周晓明,刘雄英[10]（2014）在《粒径和应力对ZnS吸收边的影响》一文中研究指出提出透射光谱的新方法研究粒径和应力对半导体禁带宽度的影响。用传统化学方法制备得到ZnS样品,通过控制不同反应溶液的浓度来得到不同粒径的样品,烘干后对大、小颗粒样品进行X射线衍射分析;将ZnS粉末在环氧树脂胶体中收缩产生应力,得到所有需要的样品后测试其相应的透射光谱。对实验结果进行理论分析表明:叁种不同粒径样品经过数据处理后发现粒径越大,ZnS禁带宽度越小,吸收边发生红移现象;应力作用比无应力作用下ZnS禁带宽度大,吸收边发生蓝移现象。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2014年03期）
吸收边论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
锗是常用红外光学材料(波长大于1900nm为透明区),也是性能优异的敏感材料。在半导体材料,乃至常规光学材料中,其热光和弹光特性都非常突出。但是,半导体材料吸收区的光学参数的理论模型和实验数据都非常缺乏,而光通信窗口(C波段)恰好处于锗的吸收边附近。前期对光纤—半导体薄膜温度传感器的研究工作中发现:锗在吸收边附近出现反常色散现象,即折射率随波长增大而增大,并且其压力—折射率系数为正值,与已有文献报道的锗在透明区(小于0.8eV)的折射率随波长变化趋势相反,且压力—折射率系数是负值不符。为了解释这种反常现象,本论文注重研究吸收边附近锗的折射率建模和测量。论文在理论上对已有半导体的折射率模型进行了深入的讨论,发现通常被忽略的位于吸收边附近的激子效应是更合理解释反常实验现象的钥匙。因此,论文在折射率模型中引入临界点模型(Critical Points model或CPs)以描述激子的色散效应,并获得了不同温度和压力下折射率的谱线图,实现了与实验数据完美吻合。论文实验部分包括晶态锗薄膜制备和折射率测量两个部分。前期的探针制备实验研究发现,镀膜工艺决定了锗薄膜的成膜质量,而具有较好结晶质量的锗薄膜的晶态是产生反常色散现象的关键因素。本文锗薄膜的制备采用电子束蒸发配合基底加热,在光纤的端面上蒸镀300nm的锗膜,并在镀膜后进行退火处理,最终制备得到高结晶度的锗膜。在折射率测量实验中巧妙利用镀有锗薄膜的光纤传感探针结构,成功测量得到锗薄膜在温度场(-20~100~oC)和压力场(0~25MPa)条件下吸收边附近(1530~1560nm)的反射率,进而通过我们修正的吸收区薄膜干涉公式计算得到折射率。论文实验工作所得到的数据结果填补了锗薄膜光学参数—热光和弹光系数在吸收边附近的空白,工作结果对锗薄膜在通信C波段的应用提供了有价值的数据。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
吸收边论文参考文献
[1].孔明东,李斌成,郭春,柳存定,何文彦.SiO_2光学薄膜的吸收边特性[J].光电工程.2019
[2].史文俊.多物理场中锗在吸收边附近的介电函数模型与测量[D].武汉理工大学.2017
[3].史文俊,易迎彦,黎敏.锗在吸收边附近的压力—折射率系数[J].物理学报.2016
[4].范明明.具有单一吸收边的混相ZnMgO薄膜及其紫外探测器件的制备和特性研究[D].中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所).2015
[5].舒卓.锗在吸收边附近热光系数的理论建模与测量[D].武汉理工大学.2015
[6].赵阳.温稠密等离子体吸收边光谱特性研究[C].中国工程物理研究院科技年报(2014年版).2014
[7].宋游,郑维明,刘桂娇,陈晨.L_Ⅲ吸收边法测定台架实验中的铀[J].原子能科学技术.2014
[8].徐朝鹏,王永贞,张伟,王倩,吴国庆.Tl掺杂对InI禁带宽度和吸收边带影响的第一性原理研究[J].物理学报.2014
[9].易荣清,马陈燕,樊启文.银吸收边附近X射线衰减系数测量[J].强激光与粒子束.2014
[10].邵志栋,周晓明,刘雄英.粒径和应力对ZnS吸收边的影响[J].固体电子学研究与进展.2014