本文主要研究内容
作者许北燕,郭刚,曾自强,杨京鹤,韩金华（2019）在《高能电子单粒子效应模拟实验研究》一文中研究指出：本文基于2 MeV自屏蔽电子加速器和10 MeV电子直线加速器,开展了电子单粒子效应实验研究,并分析了其机理。在保持入射电子能量不变的情况下,在±20%范围内改变器件的工作电压进行了单粒子翻转实验。实验结果表明:45 nm SRAM(额定工作电压1.5 V)芯片在电子直线加速器产生的高能电子照射下能产生明显的单粒子翻转,单粒子翻转截面随入射电子能量的变化趋势与文献数据相符合;电子引起的单粒子翻转截面随器件工作电压的变化趋势与理论预期一致,即工作电压越小,单粒子翻转临界电荷越小,翻转截面也越高。
Abstract
ben wen ji yu 2 MeVzi bing bi dian zi jia su qi he 10 MeVdian zi zhi xian jia su qi ,kai zhan le dian zi chan li zi xiao ying shi yan yan jiu ,bing fen xi le ji ji li 。zai bao chi ru she dian zi neng liang bu bian de qing kuang xia ,zai ±20%fan wei nei gai bian qi jian de gong zuo dian ya jin hang le chan li zi fan zhuai shi yan 。shi yan jie guo biao ming :45 nm SRAM(e ding gong zuo dian ya 1.5 V)xin pian zai dian zi zhi xian jia su qi chan sheng de gao neng dian zi zhao she xia neng chan sheng ming xian de chan li zi fan zhuai ,chan li zi fan zhuai jie mian sui ru she dian zi neng liang de bian hua qu shi yu wen suo shu ju xiang fu ge ;dian zi yin qi de chan li zi fan zhuai jie mian sui qi jian gong zuo dian ya de bian hua qu shi yu li lun yu ji yi zhi ,ji gong zuo dian ya yue xiao ,chan li zi fan zhuai lin jie dian he yue xiao ,fan zhuai jie mian ye yue gao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自原子能科学技术的许北燕,郭刚,曾自强,杨京鹤,韩金华，发表于刊物原子能科学技术2019年02期论文，是一篇关于高能电子论文,单粒子效应论文,电子加速器论文,原子能科学技术2019年02期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自原子能科学技术2019年02期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
标签：高能电子论文; 单粒子效应论文; 电子加速器论文; 原子能科学技术2019年02期论文;