导读:本文包含了电迁移效应论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:电迁移,铜互连,侧面冗余,数值分析
电迁移效应论文文献综述
耿保林[1]（2016）在《具有侧面冗余的铜互连线的电迁移效应研究》一文中研究指出芯片的可靠性决定了芯片的使用寿命。随着工艺节点的不断进步,互连线宽度持续减小,通过互连线的电流密度持续增大,电迁移效应越来越严重。传统的增加互连线宽度的电迁移修正方法会占用大量布线资源。而冗余结构能够通过占用少量的布线资源来显着提高电迁移抗性。传统的末端冗余结构超过关键长度后,不能进一步提高电迁移抗性。而有实验证明侧面冗余结构相比末端冗余结构,能更有效地提高电迁移抗性。因此侧面冗余结构对电迁移的影响需要进一步研究。本文基于铜互连线的阴极过孔结构,研究并对比了侧面冗余和末端冗余对该结构电迁移效应的影响。为了定量评估,本文提出了一种电迁移数值分析方法。具体包括基于ANSYS的耦合场有限元分析方法,基于内插法的数据点坐标映射方法,以及基于Matlab的温度与应力的梯度与散度求解方法。最终通过原子通量散度(Atomic Flux Divergence,AFD)的分布来分析侧面冗余对电迁移效应的影响。通过对具有侧面冗余的过孔结构的电迁移效应进行数值分析,本文解明了侧面冗余结构影响电迁移效应的物理机制。研究结果表明,侧面冗余结构能将过孔上方的最大AFD区域移到侧面冗余处,从而进一步降低了过孔上方区域的平均AFD,因此能突破末端冗余关键长度的限制,进一步提高电迁移抗性。其根本原因在于侧面冗余能够阻碍过孔上方区域应力的形成。(本文来源于《大连理工大学》期刊2016-04-25）
梁华国,李军,许达文,许晓琳,靳松[2]（2015）在《缓解异构MPSoC电迁移效应的任务调度算法》一文中研究指出随着集成电路制造工艺进入到纳米时代,日益严重的电路老化给多处理器片上系统(MPSo C)可靠度带来严峻挑战.针对在性能异构MPSo C中,已有的可靠度优化方法没有考虑处理器之间的可靠度差异的问题,提出一种减小处理器可靠度差异的任务调度算法.该算法结合电迁移效应下单个处理器的平均无故障时间模型分析了制约单个处理器可靠度的因素,得出性能异构MPSo C中处理器可靠度差异模型;基于此差异模型,提出一种交叉分配任务调度算法——cross,减小了处理器间可靠度差异,达到整体优化可靠度的目的.实验结果表明,与已有的均衡受压任务调度算法相比,cross任务调度算法下异构MPSo C中处理器的平均无故障时间变异系数降低了3.71%.(本文来源于《计算机辅助设计与图形学学报》期刊2015年08期）
许燕丽,徐伟龙,李金华[3]（2011）在《集成电路互联金属的电迁移效应研究》一文中研究指出电迁移效应是因传导电子动量对金属的轰击作用造成金属互连线原子迁移、堆积、断裂的现象,是集成电路损坏的重要原因。本课题用离子束溅射,在介质层上沉积Al,Al-Cu和Cu薄膜,然后对叁种薄膜材料进行光刻,得到所需的线条。对经光刻后的各种材质线条通以不同的电流密度,观察电迁移发生的极限电流密度,实验测得Al的极限电流密度为2.706×105 A/cm2,含10%Cu的Al-Cu合金的极限电流密度为1.331×106 A/cm2,通以Al线条45倍电流密度下,Cu没有观察到电迁移现象。由此可以得出结论,Cu有着很好的抗电迁移性能,在Al中掺入10%左右的Cu可以有效的提高其抗电迁移的能力。(本文来源于《常州大学学报(自然科学版)》期刊2011年04期）
王光伟,张建民,张平,许书云[4]（2009）在《电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应》一文中研究指出在外加直流电场作用下,Ni诱导非晶硅(a-Si)薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多,如场强、反应以及退火条件等。适当强度的电场能显着加快Ni横向诱导a-Si结晶速率,当场强超过某一临界值,则该速率降低。基于电迁移效应,给出较为合理的解释。(本文来源于《微电子学》期刊2009年04期）
杨邦朝,苏宏,任辉[5]（2005）在《无铅焊料的研究(4)——电迁移效应》一文中研究指出电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性,由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处;电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物(IMC)的生成与溶解,以及焊点下的金属化层(UBM)的溶解和消耗,使原子发生迁移并会产生孔洞,造成焊点破坏,缩短了焊点平均失效时间(MTTF),从而带来可靠性问题。(本文来源于《印制电路信息》期刊2005年10期）
苏宏,杨邦朝,任辉,胡永达[6]（2005）在《无铅焊料的电迁移效应》一文中研究指出电迁移是金属原子沿着电流方向的移动。本文阐述了无铅焊料中电迁移的物理特性, 由于焊点的特殊几何形状,电流拥挤效应将发生在焊点与导线的接点处:电迁移效应导致无铅焊料中金属间化合物(IMC)的生成与溶解,以及焊点下的金属化层(UBM)的溶解和消耗,使原子发生迁移并会产生孔洞,造成焊点破坏,缩短了焊点平均失效时间(MTTF),从而带来可靠性问题。(本文来源于《第十四届全国混合集成电路学术会议论文集》期刊2005-09-01）
胡子信,陈胜福,董伟淳[7]（2004）在《VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统》一文中研究指出本文首先针对半导体可靠性测试项目——电迁移的基本原理、可靠性问题、电迁移效应的防护措施及失效判定作概括性的介绍。第二部分主要介绍自制电迁移自动测试系统开发的目的,并比较国外进口电迁移自动测试系统的效率,最后以实验证明自制电迁移自动测试系统的性能和功能可以取代进口的同类产品,达到降低企业成本及节省产品验证时程的目的。(本文来源于《中国集成电路》期刊2004年01期）
章晓文,张晓明[8]（2001）在《金属化电迁移效应的评价中参数的设置》一文中研究指出评价金属条电迁移效应的试验常采用SWEAT方法即标准晶片级电迁移加速寿命试验。SWEAT方法具有速度快,简便,对金属化特性灵敏度高,测试自动化的特点。能在较短的时间内评估金属条的电迁移失效时间,是研究电迁移可靠性的有效方法。SWEAT试验必须采用计算机控制精密仪器来进行,快速采样数据,计算金属条的瞬态电阻值,不断与设定的标称值比较,循环测试,判断金属条的结构状态,直至金属条失效。SWEAT试验的关键之处在于Black方程中参数的设置,若参数的设置不当,会使试验很快中止,或者试验长时间不能停止,不能有效地对微金属条的可靠性作出正确的评价。常用的恒温恒流方式提取金属条激活能的方法费时太长,难于适应现代微电子工业发展的需要,文献资料中,对金属层本身特性决定的系数进行了提取,但是建立在一系列假设基础上的。本文利用恒定电流方式下,晶片级测试中温度的变化呈现出近似恒温的特点,对金属条的激活能进行了快速提取。利用提取出的激活能,用斜坡电流应力的方式,对金属层本身特性决定的系数进行了提取,用此参数可使试验过程的初始过程和应力过程顺利进行。给出了加速系数的一种算法,测试结果和计算结果进行了对比,二者相当一致。(本文来源于《中国电子学会第七届学术年会论文集》期刊2001-07-01）
电迁移效应论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
随着集成电路制造工艺进入到纳米时代,日益严重的电路老化给多处理器片上系统(MPSo C)可靠度带来严峻挑战.针对在性能异构MPSo C中,已有的可靠度优化方法没有考虑处理器之间的可靠度差异的问题,提出一种减小处理器可靠度差异的任务调度算法.该算法结合电迁移效应下单个处理器的平均无故障时间模型分析了制约单个处理器可靠度的因素,得出性能异构MPSo C中处理器可靠度差异模型;基于此差异模型,提出一种交叉分配任务调度算法——cross,减小了处理器间可靠度差异,达到整体优化可靠度的目的.实验结果表明,与已有的均衡受压任务调度算法相比,cross任务调度算法下异构MPSo C中处理器的平均无故障时间变异系数降低了3.71%.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电迁移效应论文参考文献
[1].耿保林.具有侧面冗余的铜互连线的电迁移效应研究[D].大连理工大学.2016
[2].梁华国,李军,许达文,许晓琳,靳松.缓解异构MPSoC电迁移效应的任务调度算法[J].计算机辅助设计与图形学学报.2015
[3].许燕丽,徐伟龙,李金华.集成电路互联金属的电迁移效应研究[J].常州大学学报(自然科学版).2011
[4].王光伟,张建民,张平,许书云.电场增强Ni诱导非晶硅横向结晶及其电迁移效应[J].微电子学.2009
[5].杨邦朝,苏宏,任辉.无铅焊料的研究(4)——电迁移效应[J].印制电路信息.2005
[6].苏宏,杨邦朝,任辉,胡永达.无铅焊料的电迁移效应[C].第十四届全国混合集成电路学术会议论文集.2005
[7].胡子信,陈胜福,董伟淳.VLSI电迁移效应及自制型电迁移测试系统[J].中国集成电路.2004
[8].章晓文,张晓明.金属化电迁移效应的评价中参数的设置[C].中国电子学会第七届学术年会论文集.2001