本文主要研究内容
作者毛兴宇,徐恭勤,陈晓伟（2019）在《铋锑合金中Weyl费米子的磁输运性质研究》一文中研究指出：铋锑合金(Bi1-xSbx)的能带结构随x而变化,在拓扑绝缘体和拓扑半金属的研究中具有重要的地位。对Bi0.96Sb0.04的研究表明,该合金的电阻率随温度的升高先升后降,具有典型的半金属特点。在极低温度下可以观察到纵向磁电阻和横向霍尔电阻随外磁场的Shubnikov de Haas振荡,且两者的振荡相位正好相反。随磁场增加的不饱和线性磁电阻可以解释为在具有无能隙或极小能隙材料中,费米面附近电子线性色散关系带来的量子效应。在低温下,通过外加磁场可使简并的Dirac锥电子,分离成不同手性的Weyl电子,在磁场方向与电流方向一致时观察到了手性反常引起的负磁电阻效应。
Abstract
bi ti ge jin (Bi1-xSbx)de neng dai jie gou sui xer bian hua ,zai ta pu jue yuan ti he ta pu ban jin shu de yan jiu zhong ju you chong yao de de wei 。dui Bi0.96Sb0.04de yan jiu biao ming ,gai ge jin de dian zu lv sui wen du de sheng gao xian sheng hou jiang ,ju you dian xing de ban jin shu te dian 。zai ji di wen du xia ke yi guan cha dao zong xiang ci dian zu he heng xiang huo er dian zu sui wai ci chang de Shubnikov de Haaszhen dang ,ju liang zhe de zhen dang xiang wei zheng hao xiang fan 。sui ci chang zeng jia de bu bao he xian xing ci dian zu ke yi jie shi wei zai ju you mo neng xi huo ji xiao neng xi cai liao zhong ,fei mi mian fu jin dian zi xian xing se san guan ji dai lai de liang zi xiao ying 。zai di wen xia ,tong guo wai jia ci chang ke shi jian bing de Diraczhui dian zi ,fen li cheng bu tong shou xing de Weyldian zi ,zai ci chang fang xiang yu dian liu fang xiang yi zhi shi guan cha dao le shou xing fan chang yin qi de fu ci dian zu xiao ying 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自功能材料的毛兴宇,徐恭勤,陈晓伟，发表于刊物功能材料2019年07期论文，是一篇关于铋锑合金论文,拓扑量子材料论文,半金属论文,负磁电阻论文,线性磁电阻论文,功能材料2019年07期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自功能材料2019年07期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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