导读:本文包含了掺氮栅氧化硅论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:聚多巴胺,自限制,铂,空心结构
掺氮栅氧化硅论文文献综述
李健,刘睿[1]（2017）在《二氧化硅-聚多巴胺核壳自限制模板制备超稳定负载金属的空心掺氮纳米碳球》一文中研究指出多巴胺是一种生物神经递质,可以在弱碱环境中氧化聚合成形成一种具有超强粘附性的涂层。利用聚多巴胺的表面活性和几乎对于任何材料都具有的粘附性,通过精巧的设计和条件控制,可以有效地改善材料表面性能,实现诸如对单细胞进行封装,对纳米材料进行功能化改性等等一系列的应用。这些研究加深了人们对纳米尺度下物质变化和能量转换的认识,为进一步构造出新颖高效的纳米材料打下了基础。基于此,我们以二氧化硅-聚多巴胺核壳材料为自限制模板和碳化前驱体,简易制备了负载金属的空心掺氮纳米碳球。在合成的过程中,二氧化硅-聚多巴胺一方面作为载体,另一方面我们利用聚多巴胺的超强粘附性实现对金属纳米粒子在高温碳化过程中限域的作用,成功制备了负载Pt、Pt Ni或Ag Pd等金属(或合金)纳米粒子的空心掺氮纳米碳球。得到的材料在保持金属纳米粒子固有性能的同时,能有效提高材料的稳定性,并表现出优异的电化学催化性能。(本文来源于《中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题I：能源高分子》期刊2017-10-10）
陆肇勇[2]（2009）在《掺氮氧化硅栅介质对0.13um CMOS器件1/f噪声特性影响的研究》一文中研究指出当CMOS工艺发展到深亚微米阶段,传统的二氧化硅栅氧介质已经接近其物理极限。为减少栅氧化层的隧穿电流,提高其对硼的阻挡能力,势必要引入新的栅介质材料。在0.15μm至0.065μm的CMOS工艺中,通常的做法是在氧化层中掺氮。氮的掺入会提高栅介质的介电常数,缓解短沟器件对栅氧化层减薄的依赖,降低栅介质的隧穿电流,提高其对硼的阻挡能力。但是,传统的掺氮方法是在热氧化后通过高温氮化退火实现,氮掺杂在Si-SiO_2界面。由于氮在界面的引入改变了界面附近的晶格结构,使CMOS器件某些性能出现退化,其中特别值得注意的是,氮在界面的掺杂降低了器件的某些可靠性,增加了器件的1/f噪声(flicker noise,也叫闪烁噪声),这对低频应用的模拟器件尤其不利。通常认为CMOS器件的1/f噪声来自沟道中载流子密度或迁移率的不规则变化,前者取决于Si-SiO_2界面态密度及其在禁带能级中的位置,后者则由载流子与声子群的散射决定。本文探讨了不同氮化及退火条件生成的掺氮氧化硅栅介质对0.13μm CMOS器件1/f噪声特性的影响。通过在线测试掺氮氧化层界面陷阱密度、氧化层总电荷、氧化层可移动电荷、氮浓度及其分布等,分析氮在氧化层中的掺杂分布对氧化层特性及作为栅介质时对CMOS器件1/f噪声特性的影响。在线监控表明,氮在Si-SiO_2界面的掺杂增加了氧化层的总电荷,在相同的退火条件下,氮的掺杂浓度越高,或其分布越靠近界面,则氧化层总电荷越高。而CMOS器件的1/f噪声测试结果表明,氮在Si-SiO_2界面的掺杂是0.13μm掺氮氧化硅栅介质CMOS器件1/f噪声特性恶化的主要原因。其机理可能是氮在界面的引入使Si-N键替代了扭曲的Si-O键,释放了过渡氧化层的应力,改变了界面附近的硅衬底的晶格结构,增强了载流子与由晶格结构决定的声子群的散射,导致CMOS器件的1/f噪声恶化。通过先氮化后氧化等方法,可将氮掺杂由Si-SiO2界面提升到SiO_2表面附近,降低氮掺杂对Si-SiO_2界面应力的影响,该方法将0.13μm CMOS器件的1/f噪声降低了14～20dB。在进行CMOS掺氮栅氧化工艺开发时,可设计不同的掺氮工艺条件,通过在线监控氧化层总电荷的方法,选择较优的栅氧化工艺来降低器件的1/f噪声,缩短工艺开发周期和成本。(本文来源于《复旦大学》期刊2009-03-25）
曾庆城[3]（1988）在《掺氮热氧化硅工艺的研究》一文中研究指出本文介绍一种在氮、氧混合气氛下对硅器件的高温氧化扩散工艺。它用于NPN或PNP晶体管以及双极型集成电路的制造,对减少热氧化诱生堆垛层错的密度和大小是行之有效的方法。(本文来源于《南昌大学学报(理科版)》期刊1988年01期）
掺氮栅氧化硅论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
当CMOS工艺发展到深亚微米阶段,传统的二氧化硅栅氧介质已经接近其物理极限。为减少栅氧化层的隧穿电流,提高其对硼的阻挡能力,势必要引入新的栅介质材料。在0.15μm至0.065μm的CMOS工艺中,通常的做法是在氧化层中掺氮。氮的掺入会提高栅介质的介电常数,缓解短沟器件对栅氧化层减薄的依赖,降低栅介质的隧穿电流,提高其对硼的阻挡能力。但是,传统的掺氮方法是在热氧化后通过高温氮化退火实现,氮掺杂在Si-SiO_2界面。由于氮在界面的引入改变了界面附近的晶格结构,使CMOS器件某些性能出现退化,其中特别值得注意的是,氮在界面的掺杂降低了器件的某些可靠性,增加了器件的1/f噪声(flicker noise,也叫闪烁噪声),这对低频应用的模拟器件尤其不利。通常认为CMOS器件的1/f噪声来自沟道中载流子密度或迁移率的不规则变化,前者取决于Si-SiO_2界面态密度及其在禁带能级中的位置,后者则由载流子与声子群的散射决定。本文探讨了不同氮化及退火条件生成的掺氮氧化硅栅介质对0.13μm CMOS器件1/f噪声特性的影响。通过在线测试掺氮氧化层界面陷阱密度、氧化层总电荷、氧化层可移动电荷、氮浓度及其分布等,分析氮在氧化层中的掺杂分布对氧化层特性及作为栅介质时对CMOS器件1/f噪声特性的影响。在线监控表明,氮在Si-SiO_2界面的掺杂增加了氧化层的总电荷,在相同的退火条件下,氮的掺杂浓度越高,或其分布越靠近界面,则氧化层总电荷越高。而CMOS器件的1/f噪声测试结果表明,氮在Si-SiO_2界面的掺杂是0.13μm掺氮氧化硅栅介质CMOS器件1/f噪声特性恶化的主要原因。其机理可能是氮在界面的引入使Si-N键替代了扭曲的Si-O键,释放了过渡氧化层的应力,改变了界面附近的硅衬底的晶格结构,增强了载流子与由晶格结构决定的声子群的散射,导致CMOS器件的1/f噪声恶化。通过先氮化后氧化等方法,可将氮掺杂由Si-SiO2界面提升到SiO_2表面附近,降低氮掺杂对Si-SiO_2界面应力的影响,该方法将0.13μm CMOS器件的1/f噪声降低了14～20dB。在进行CMOS掺氮栅氧化工艺开发时,可设计不同的掺氮工艺条件,通过在线监控氧化层总电荷的方法,选择较优的栅氧化工艺来降低器件的1/f噪声,缩短工艺开发周期和成本。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
掺氮栅氧化硅论文参考文献
[1].李健,刘睿.二氧化硅-聚多巴胺核壳自限制模板制备超稳定负载金属的空心掺氮纳米碳球[C].中国化学会2017全国高分子学术论文报告会摘要集——主题I：能源高分子.2017
[2].陆肇勇.掺氮氧化硅栅介质对0.13umCMOS器件1/f噪声特性影响的研究[D].复旦大学.2009
[3].曾庆城.掺氮热氧化硅工艺的研究[J].南昌大学学报(理科版).1988