本文主要研究内容
作者李琳,李成明,杨功寿,胡西多,杨少延,苏宁（2019）在《三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟》一文中研究指出：本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此外,对于真空腔体设计,顶层与底层流动速度,都进行细致研究,确保在材料生长区域的壁面,反应前驱物源气体保持在稳定且无漩涡流动状态,并使反应物主要分布在衬底位置处,有效提高反应物利用率,并避免在腔壁等处发生反应,最后进行热壁MOCVD材料生长,得到厚度分布比较均匀,x射线双晶衍射的半峰全宽(FWHM)为149.8弧度秒,表明生长出质量良好的氮化镓(GaN)薄膜单晶材料。
Abstract
ben wen dui san ceng re bi shui ping liu jin shu you ji hua xue qi xiang chen ji (MOCVD)zhen kong fan ying qiang de she ji yi ji zui zhong liu chang fen bu dou jin hang le li lun mo ni 。zai shua ze you hua pen guan pai bu ji chu shang ,zai chen de tuo pan 、chen de si zhou de bi ,yi ji chen de suo zai ou yu shang bi lin jin ou yu fan wei jia re ,xing cheng ju bu re bi wai yan zhen kong fan ying qiang ti 。ci wai ,dui yu zhen kong qiang ti she ji ,ding ceng yu de ceng liu dong su du ,dou jin hang xi zhi yan jiu ,que bao zai cai liao sheng chang ou yu de bi mian ,fan ying qian qu wu yuan qi ti bao chi zai wen ding ju mo xuan guo liu dong zhuang tai ,bing shi fan ying wu zhu yao fen bu zai chen de wei zhi chu ,you xiao di gao fan ying wu li yong lv ,bing bi mian zai qiang bi deng chu fa sheng fan ying ,zui hou jin hang re bi MOCVDcai liao sheng chang ,de dao hou du fen bu bi jiao jun yun ,xshe xian shuang jing yan she de ban feng quan kuan (FWHM)wei 149.8hu du miao ,biao ming sheng chang chu zhi liang liang hao de dan hua jia (GaN)bao mo chan jing cai liao 。
论文参考文献
论文详细介绍
论文作者分别是来自真空的李琳,李成明,杨功寿,胡西多,杨少延,苏宁，发表于刊物真空2019年01期论文，是一篇关于金属有机化学气相沉积论文,反应腔体论文,热壁论文,喷管论文,数值模拟论文,真空2019年01期论文的文章。本文可供学术参考使用，各位学者可以免费参考阅读下载，文章观点不代表本站观点，资料来自真空2019年01期论文网站，若本站收录的文献无意侵犯了您的著作版权，请联系我们删除。
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