导读:本文包含了浅能级论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:InGaN,单结太阳电池,浅能级杂质,理论计算
浅能级论文文献综述
林硕,沈晓明,张保平,李福宾,李建功[1]（2010）在《InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟》一文中研究指出通过氢有效质量理论(HEMT)对In0.65Ga0.35N(高In组分,Eg=1.31eV)太阳电池材料进行分析,计算出其浅能级施主和受主的重要性质参数电离能:ΔED～10.8meV,ΔEA～90meV.在此基础上得到了室温条件下In0.65Ga0.35N的浅能级施主和受主强电离时的杂质浓度范围:施主9.56×108～4.57×1016cm-3,受主9.56×108～7.84×1016cm-3;并估算了产生杂质能带的最低杂质浓度:施主～1×1018cm-3,受主～5.79×1020cm-3.然后借助AMPS-1D软件对含有部分电离的浅能级施主、受主In0.65Ga0.35N单结太阳电池进行模拟,详细讨论了施主能级和受主能级对载流子的俘获对太阳电池效率的影响.本文结果为InGaN单结和多结太阳电池的掺杂(尤其是p型掺杂)和制备提供了理论参考和帮助。(本文来源于《科学通报》期刊2010年15期）
袁豪[2]（2009）在《导纳谱应用于测量半导体中浅能级的研究》一文中研究指出本文重点研究如何利用导纳谱测量半导体中的浅能级。第一部分主要研究与分析利用导纳谱测量半导体中浅能级的理论模拟计算。导纳谱是一种很强大的电学测量方法,在77K-300K温度范围内,通常被运用于测量半导体中的深能级,但是在利用导纳谱测量浅能级方面至今没有很系统的研究。本文的目的就是想通过浅能级导纳谱曲线的理论模拟,确定一种分析浅能级的最佳方法。在理论模拟中,所采用的统一模型中同时考虑了肖特基势垒电容和衬底电阻的变化对导纳谱的贡献。最后,通过分析理论模拟的曲线,确定了ω_r=A·exp(-Ea/K_0T)(A是一个与温度无关的常数)为最佳的分析方法,同时对于硼和磷的实验数据的计算分析也表明了这种方法的正确性。第二部分重点研究了利用导纳谱测量半导体中浅能级的塞曼效应。以往,半导体中浅能级的塞曼效应基本上都是靠光学方法测量的,而且光学方法测量的也只是基态能级和激发态能级之间的跃迁,而利用光学测量基态能级与价带之间的跃迁比较麻烦,同时要求测量温度很低,要达到mK甚至更低的温度。电学方法也一直没有在这个方面有很好的应用。在本文中,不仅利用了导纳谱测量到了半导体中的浅能级的激活能,同时还首次利用了导纳谱测量了磁场下基态能级与价带之间的跃迁的变化。显然,导纳谱在测量浅能级在磁场下分裂这个研究方向上有着光学方法所无法比拟的优点:(1)仪器简单,测量方便:(2)测量温度要求不高(20K-80K)。(本文来源于《复旦大学》期刊2009-05-24）
越方禹,邵军,魏彦峰,吕翔,黄炜[3]（2007）在《变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级》一文中研究指出利用变温吸收谱(11—300K)对非故意掺杂液相外延Hg1-xCdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(<70K)出现的约7—20meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.(本文来源于《物理学报》期刊2007年05期）
胡居广,许心光,牟晓东,张树君,陈焕矗[4]（2001）在《光折变晶体Cu∶KNSBN中的浅能级中心》一文中研究指出从光栅擦除特性、光致吸收和热激发能叁方面的实验和理论分析 ,证明了掺铜KNSBN晶体中除了掺入的铜离子作为深能级中心外 ,还存在浅能级中心 ,并认为它是晶体生长过程形成的氧空位。实验发现温度在 36 0K附近有最大的光折变二波耦合 (TWM )增益系数 ,利用双中心双光栅模型对此作了解释 ,阐明了此浅能级中心在光折变效应中的作用。(本文来源于《光学学报》期刊2001年02期）
张万荣,罗晋生,李志国,穆甫臣,郭伟玲[5]（1998）在《应变p型Si_(1-x)Ge_x层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应》一文中研究指出研究了ｐ型Ｓｉ１－ｘＧｅｘ应变层中补偿浅能级杂质（Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ）的低温陷阱效应。研究发现，１）叁种补偿浅能级杂质Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ相比较，Ｓｂ的陷阱效应最小，Ａｓ的最大；２）Ｇｅ组份ｘ越大，低温陷阱效应越小；３）补偿浅能级杂质浓度ＮＤ越大，低温陷阱效应越显着，温度越低，陷阱作用越明显。(本文来源于《微电子学》期刊1998年03期）
郑茳,娄朝刚,魏同立,孟江生,陈卫东[6]（1991）在《低温下半导体浅能级杂质的陷阱行为》一文中研究指出本文研究了低温下半导体浅能级杂质的陷阱行为,计算结果表明:当补偿杂质浓度较高时,浅能级杂质将有明显的陷阱作用,并在10~(17)cm~(-3)时达到最大.在此基础上,本文讨论了浅能级杂质的陷阱行为对双极晶体管截上频率性能的影响.(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊1991年01期）
谌季强,龙期威,汪克林[7]（1989）在《小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率》一文中研究指出若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态,则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性。这种温度依赖性有两种类型,且比捕获率的取值也可能相当高,显示了与位错的很大不同。(本文来源于《物理学报》期刊1989年08期）
浅能级论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文重点研究如何利用导纳谱测量半导体中的浅能级。第一部分主要研究与分析利用导纳谱测量半导体中浅能级的理论模拟计算。导纳谱是一种很强大的电学测量方法,在77K-300K温度范围内,通常被运用于测量半导体中的深能级,但是在利用导纳谱测量浅能级方面至今没有很系统的研究。本文的目的就是想通过浅能级导纳谱曲线的理论模拟,确定一种分析浅能级的最佳方法。在理论模拟中,所采用的统一模型中同时考虑了肖特基势垒电容和衬底电阻的变化对导纳谱的贡献。最后,通过分析理论模拟的曲线,确定了ω_r=A·exp(-Ea/K_0T)(A是一个与温度无关的常数)为最佳的分析方法,同时对于硼和磷的实验数据的计算分析也表明了这种方法的正确性。第二部分重点研究了利用导纳谱测量半导体中浅能级的塞曼效应。以往,半导体中浅能级的塞曼效应基本上都是靠光学方法测量的,而且光学方法测量的也只是基态能级和激发态能级之间的跃迁,而利用光学测量基态能级与价带之间的跃迁比较麻烦,同时要求测量温度很低,要达到mK甚至更低的温度。电学方法也一直没有在这个方面有很好的应用。在本文中,不仅利用了导纳谱测量到了半导体中的浅能级的激活能,同时还首次利用了导纳谱测量了磁场下基态能级与价带之间的跃迁的变化。显然,导纳谱在测量浅能级在磁场下分裂这个研究方向上有着光学方法所无法比拟的优点:(1)仪器简单,测量方便:(2)测量温度要求不高(20K-80K)。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
浅能级论文参考文献
[1].林硕,沈晓明,张保平,李福宾,李建功.InGaN单结太阳电池中的浅能级杂质的理论计算和模拟[J].科学通报.2010
[2].袁豪.导纳谱应用于测量半导体中浅能级的研究[D].复旦大学.2009
[3].越方禹,邵军,魏彦峰,吕翔,黄炜.变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级[J].物理学报.2007
[4].胡居广,许心光,牟晓东,张树君,陈焕矗.光折变晶体Cu∶KNSBN中的浅能级中心[J].光学学报.2001
[5].张万荣,罗晋生,李志国,穆甫臣,郭伟玲.应变p型Si_(1-x)Ge_x层中补偿浅能级杂质的低温陷阱效应[J].微电子学.1998
[6].郑茳,娄朝刚,魏同立,孟江生,陈卫东.低温下半导体浅能级杂质的陷阱行为[J].固体电子学研究与进展.1991
[7].谌季强,龙期威,汪克林.小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率[J].物理学报.1989