导读:本文包含了透明导电氧化论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:纳米银线,还原氧化石墨烯,柔性透明导电薄膜,混合纤维素膜
透明导电氧化论文文献综述
王可,杨星,杜得喜,李志凌,谢辉[1]（2019）在《还原氧化石墨烯对纳米银线/还原氧化石墨烯复合柔性透明导电薄膜影响（英文）》一文中研究指出纳米银线和还原氧化石墨烯为导电相,混合纤维素膜为基底,采用真空抽滤法制备了柔性透明导电薄膜。研究了还原氧化石墨烯对柔性透明导电薄膜的光电及机械性能的影响。结果表明,随着还原氧化石墨烯含量的增加,导电薄膜的透过率变化不大,但薄膜的方阻逐渐下降。通过胶带测试200次原位监控方阻变化以及弯曲疲劳200次测试原位监控方阻变化,研究纳米银线和石墨烯导电相在混合纤维素膜表面的附着力和薄膜的弯曲疲劳特性。结果表明,经过200次的胶带测试,薄膜的方阻几乎没有改变。弯曲测试结果表明,薄膜方阻约有3%的改变,说明薄膜具有良好的稳定性。分析认为,纳米银线-石墨烯复合薄膜具有良好的稳定性与纳米银线和石墨烯埋在混合纤维素膜表面有关。(本文来源于《稀有金属材料与工程》期刊2019年07期）
张锐,刘汉东,周奕华,钱俊,廖宇[2]（2019）在《还原氧化石墨烯基纳米银线透明导电薄膜研究进展》一文中研究指出透明导电薄膜已广泛应用于印刷电子领域,传统的透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)因其高脆性低柔韧性而不能满足高速发展的柔性电子行业;纳米银线(AgNWs)和石墨烯均具有良好光学性能、导电性能以及机械性能,使其能成为制备透明导电薄膜的理想材料。综述了近年来还原氧化石墨烯(rGO)基AgNWs透明导电薄膜的研究进展。介绍了柔性导电薄膜的关键参数及rGO/AgNWs透明导电薄膜的成膜工艺;归纳了影响rGO/AgNWs透明导电薄膜光电性能的主要因素和相关研究;阐述了rGO/AgNWs透明导电薄膜在印刷电子领域的应用现状,并展望了rGO/AgNWs透明导电薄膜的未来发展趋势。(本文来源于《包装学报》期刊2019年02期）
臧传伟[3]（2019）在《掺钨氧化铟透明导电氧化物薄膜性能研究》一文中研究指出In2O3透明导电氧化物薄膜是一种重要光学材料,在已知的其他透明导电氧化物如ZnO、SnO2中,In2O3因禁带宽度大,电阻率低,电子迁移率高、在可见光区的透过率高等优良的特性因此在太阳能电池、透明薄膜晶体管、激光器、平板显示、发光二极管、触摸屏、紫外探测器和电磁屏蔽保护层等领域有着及其广泛的应用前景,但是如何提高透明导电氧化物的性能,成为近几年来科研人员努力的方向,采用高价态的金属离子掺入主体材料中在一定程度上解决此问题。在掺杂钨的In2O3薄膜中,因为钨原子以正六价的高价态的离子形式存在,在沉积过程中可以替代晶格中的In3+,在相同的掺杂浓度下,阳离子价态之差大于2,可以得到更多的自由载流子,换句话说,有少量杂质掺杂的情况下,就可以获得足够的自由载流子。适量的掺杂金属离子,一方面可以获得足够的载流子,提高载流子浓度;另一方面适量的掺杂能够减小带电离子散射,提高载流子迁移率和透过率,最终获得具有更高的离子迁移率和高透过率的透明导电氧化物薄膜。本实验采用了直流磁控溅射技术制备掺杂钨的In2O3透明导电薄膜。使用的靶材是:掺有2%金属钨离子的In2O3。研究了不同的衬底温度、不同的膜厚、通入不同的沉积气压等条件对In2O3透明导电薄膜性质的影响。利用SEM、XRD、四探针探测法,霍尔效应测试系统等手段进行表征与分析,具体结果如下:(1)通过实验得到了最优生长结果:稳定镀膜的压强为2Pa、稳定镀膜的功率为100W、稳定溅射的气体流量20Sccm、溅射真空度在6×10-4Pa、镀膜沉积时间在20min时获得了质量最佳薄膜。在这个工艺条件下制备的IWO薄膜的电阻率为0.83×10-4?cm,载流子迁移率为38.6cm2V-1S-1,在可见光的范围内最高透过率为93﹪,平均透过率在80%以上。(2)在合适的衬底温度和合适的工艺参数下(如镀膜气压,氩气流量,镀膜功率,镀膜时间),溅射离子能够获得合适的能量,薄膜结晶度好,颗粒堆垛致密均匀,晶界较为明显。掺杂的W6+离子可以有效代替In2O3中的In3+离子,形成n型半导体,薄膜中的有空位氧和掺杂离子提供了主要的自由载流子。(3)我们通过用XRD图谱、能谱仪对氧化铟薄膜材料进行分析,制备出没有杂质(钨除外),晶体结构完整,颗粒堆垛致密均匀的薄膜。(本文来源于《山东师范大学》期刊2019-06-03）
汪江浩[4]（2019）在《铜纳米线/氧化石墨烯透明导电薄膜制备及其OLED研究》一文中研究指出有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)以其驱动电压低、视角宽、适用性与可塑性好等优点,成为近些年最具发展前景的显示器件。OLED技术也是未来发展的一大趋势。现如今大部分的液晶显示屏都是镀有氧化铟锡(Indium Tin Oxides,ITO)专用导电玻璃,这是由于ITO透过率高,导电能力强,但同时ITO具有易碎性,成本昂贵、制备过程中所需条件苛刻,这些均不能满足抗冲击、易弯曲、低成本等柔性显示设备使用。因此急需一种价格低廉,生产工艺简单,能与柔性衬底很好兼容,可实现规模化批量生产的可替代材料,而铜纳米线(CuNWs)就很好符合上述要求。本文主要研究水热法合成CuNWs,并简要分析不同情况下CuNWs的生长情况,温度以及不同试剂配比对其生长长度,分散度影响,再通过压片抽滤法制备出低方阻,高透过率的CuNWs透明导电薄膜,最后将其作为透明阳极应用于有机发光器件中。本文主要内容分为叁个部分:首先,CuNWs的制备,利用水热法合成CuNWs,主要化学试剂有封端剂十八烷基胺(C_(18)H_(39)N,ODA),还原剂葡萄糖(C_6H_(12)O_6)以及少量的叁氯化铁粉末(FeCl_3),铜源二水氯化铜(CuCl_(2·)2H_2O)制备出分散度较好,超长超细的CuNWs。研究反应时间、反应温度、ODA、叁氯化铁对CuNWs生长的影响,并调整实验参数寻找出最适合生长铜纳米线的条件,分别利用SEM、TEM、XRD以及光学显微镜对铜纳米线进行表征,最终可生长出平均长度>120μm,平均直径≈40nm的CuNWs.其次,CuNWs复合透明导电薄膜的制备,将制备好的CuNWs利用真空抽滤方法转移到以PET柔性基底上,制备出CuNWs透明导电薄膜,方阻15Ω/sq~20Ω/sq,透过率85%~90%(λ=550nm),但是由于制备出CuNWs导电薄膜易氧化,且表面粗糙度不够好,因此采用旋涂氧化石墨烯(GO)来有效隔绝空气并降低表面粗糙度。最后,由于CuNWs/GO复合透明导电薄膜功函数依旧不高,为提高复合薄膜的功函数,我们旋涂已经配制好的聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)溶液,制备出CuNWs/GO/PEDOT:PSS复合透明导电薄膜,利用制备出的复合薄膜开始依次蒸镀有机材料(NPB,Alq_3)和无机材料(LiF,Al),最终制备出柔性绿光OLED器件,并和以CuNWs/PEDOT:PSS为阳极的器件进行对比,实验结果表明:以CuNWs/GO/PEDOT:PSS为阳极的OLED器件最大发光亮度3007.4cd/m~2,相比于CuNWs/PEDOT:PSS为阳极的OLED器件最大亮度提高了近10%。(本文来源于《电子科技大学》期刊2019-04-01）
吴波,陈梦唯,吴永亮,陈志鹏,徐朝晖[5]（2019）在《纳米纤维素/还原氧化石墨烯透明导电薄膜的制备及表征》一文中研究指出通过层层自组装法将氧化石墨烯沉积在TEMPO氧化纳米纤维素薄膜表面,制备了纳米纤维素/氧化石墨烯(CNFs/[GO]_n)复合薄膜,最后经抗坏血酸还原得到纳米纤维素/还原氧化石墨烯(CNFs/[RGO]_n)透明导电复合薄膜,并对其性能进行了表征。透光率检测显示,CNFs薄膜经过组装GO并还原成CNFs/[RGO]_n复合薄膜后仍具有良好的透光性。原子力学显微镜检测结果显示,CNFs/[RGO]_n复合薄膜粗糙度增加,还原氧化石墨烯(RGO)纳米片层均匀地分布在CNFs薄膜表面。傅里叶红外光谱图、拉曼光谱和X射线光电子能谱仪分析证实了GO被成功地沉积到CNFs薄膜表面,且被抗坏血酸还原成RGO。四探针电导率测试仪测试显示,随着层层自组装循环次数的增加,CNFs/[RGO]_n杂化薄膜的电导率逐渐增大,当自组装循环次数为25次时,电导率达到最大值0.782 S/cm。应力-应变测试表明,随着层层自组装循环次数的增加,CNFs/[RGO]_n薄膜的机械强度有所降低,但当自组装循环次数为25次时,最大应力仍高达80 MPa左右。通过该方法制备的柔性透明导电薄膜可广泛用于柔性透明显示器、超级电容器和可穿戴柔性电子器件等产品的制备。(本文来源于《林业工程学报》期刊2019年02期）
张文豪,李彦良,高彦杰,赵晓伟,王维勋[6]（2018）在《纳米锑掺杂二氧化锡(ATO)水凝胶的水热法制备以及ATO导电薄膜的透明和隔热性能》一文中研究指出以醋酸盐共沉淀法制备了锑掺杂二氧化锡(ATO)湿凝胶;将其作为前驱体,在一定温度下经水热法得到ATO水凝胶.考察了前驱体洗涤程度,水热反应温度、p H以及煅烧温度对ATO水凝胶导电性能的影响.进而将酸性条件下得到的ATO水凝胶制备成导电薄膜,考察了其透明和隔热性能.结果表明:前驱体洗涤程度对ATO水凝胶导电性能的影响不大;随着水热反应温度的升高,水凝胶导电性能改善;当凝胶煅烧温度提高到600℃时,ATO样品的电阻率为0.8Ω·cm.此外,ATO导电薄膜的可见光透过率达85%,红外光吸光率为53%,显示出优异的透明和隔热性能.(本文来源于《化学研究》期刊2018年01期）
冯梦现,黄新友,孙景峰,谢逊,陈磊[7]（2018）在《二氧化锡透明导电薄膜的研究进展》一文中研究指出透明导电薄膜具有透明性和导电性,在平板显示器、太阳能电池、触摸屏等领域有着重要的作用。SnO_2是制备透明导电薄膜最具潜力的材料之一。结合国内外SnO_2透明导电薄膜的研究现状,主要对SnO_2薄膜的透明导电原理、制备方法和掺杂改性研究进展进行综述。(本文来源于《中国陶瓷》期刊2018年01期）
李亮亮[8]（2017）在《纳米二氧化硅层对银纳米线透明导电膜性能的影响研究》一文中研究指出透明导电膜(TCF)是有机发光二极管、触摸屏和有机太阳能电池等光电器件的重要部件,因而得到了广泛的关注。虽然氧化铟锡(ITO)是最常见的商用透明导电材料,但其存在脆性大和制造过程需要高温、铟稀缺等问题,而银纳米线(Ag NWs)在方块电阻<50Ω/sq时光学透过率>90%,具有柔性且制备工艺无需高温的优势,有望成为ITO的替代材料。银纳米线透明导电膜(Ag NWs-TCFs)可以通过银纳米线溶于有机溶剂中涂覆制备,但是如何提高该导电膜的透光率、降低Ag NWs之间的接触电阻、增强导电膜的图案化性能,仍是目前研究工作中的热点。为解决这些问题,本课题设计了在导电膜上构筑一层二氧化硅(Si O2)层,并详细研究了其对Ag NWs-TCFs的透过率、方块电阻及激光刻蚀的影响。针对透光性和导电性难以同时提高的问题,提出了在Ag NWs-TCFs表面构筑一层纳米二氧化硅层,达到提高该导电膜的透光率并降低电阻的效果。通过St?ber法制备出纳米二氧化硅胶体,详细讨论了制备过程中硅源正硅酸乙酯(TEOS)、氨水、水和乙醇的用量配比对产物粒径大小和粒度分布的影响,研究了Si O2随着粒径增大发生团聚的过程。发现随着氨水用量的增加,产物的粒径先降低后增加,且随着粒径增加纳米颗粒表面会形成很小的球形凸起引起团聚;随着TEOS用量的增加Si O2的粒径增加,但粒度分布范围变宽,并引起粘连状结构加剧团聚现象的发生。通过调控各反应物的用量,实现对粒径范围为20-200 nm的Si O2的调控制备,成功制备出粒径为20 nm、50 nm、100 nm和200nm的Si O2颗粒。利用制备的纳米二氧化硅胶体用提拉法在银纳米线透明导电膜上构筑匹配层,详细分析了Si O2的粒径大小、浓度变化对Ag NWs-TCFs性能和形貌的影响,Si O2能形成一层厚度均匀且致密的匹配层,当其厚度为112 nm时对波长为550 nm的绿光具有显着的增透作用,同时其与Ag NWs表面的基团相互作用能降低银线之间的接触电阻,进而达到协同提高透过率降低方阻的效果。当Si O2粒径为20 nm,浓度为20%时二氧化硅层具有最佳的性能,在方块电阻为25Ω/sq时,含基材的透过率高达91.2%(其中基材为90.2%),比单独的银纳米线透过率提高了4.1%。针对AgNWs-TCFs图案化过程聚对苯二甲酸乙二酯(PET)基材容易产生的高温烧蚀问题,研究了纳米二氧化硅层对激光的响应和对基材的保护作用。单独的Ag NWs-TCFs在激光刻蚀时不同的刻蚀间距会显着影响图案化后的透过率,刻蚀间距为0.05 mm时透过率下降了7.4%。而二氧化硅层则能有效保护刻蚀过程中基材的完整性,刻蚀间距为0.05 mm时透过率仅下降1.4%,匹配层对基材的保护作用十分明显。针对PET基材的透明导电膜,详细分析了不同雕刻参数下,二氧化硅层对激光刻蚀后的性能影响,当镭雕参数为速度为100 mm/s、频率为30 k Hz、功率为12 W时具有比较理想的刻蚀效果;刻蚀出菱形线路后,成功制备出具有触控功能的电容触控器件,该触控器件的在550 nm的透过率为90.5%(含基材),并通过触摸坐标测试软件演示了其触控功能。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2017-12-01）
赵娜,杜鹃,罗艳,钟毅[9]（2017）在《还原氧化石墨烯/聚3,4-二氧乙烯噻吩∶聚苯乙烯磺酸柔性透明导电薄膜的制备及表征》一文中研究指出采用HI整体还原法将原位聚合法制备出的氧化石墨烯/聚3,4-二氧乙烯噻吩∶聚苯乙烯磺酸(GO/PEDOT∶PSS)复合薄膜还原成还原氧化石墨烯/PEDOT∶PSS(RGO/PEDOT∶PSS)复合薄膜。通过X射线衍射、拉曼光谱、扫描电镜、四探针测试仪和紫外分光光度仪等手段对所制备材料的性能进行了表征。结果表明:当RGO掺杂量为15%(质量分数)时,RGO/PEDOT∶PSS复合薄膜综合性能最优,其方块电阻为0.25kΩ/□,透光率达到85.2%(λ=550nm),同时具有优良的导电性和柔性。(本文来源于《化工新型材料》期刊2017年11期）
王洁[10]（2017）在《不同尺寸氧化石墨烯的制备及在透明导电薄膜上的应用》一文中研究指出石墨烯作为一种具有单原子层厚度的二维片层材料,由于独特的光学、电学、机械及热力学等性能,使其受到了广泛的关注。在透明导电薄膜、复合材料、电池和防腐涂料等领域具有广阔的应用前景。氧化石墨烯(GO)作为石墨烯的重要衍生物,其本身具有的特殊结构和性能也被看作是一种新型的二维材料。本文以Hummers法制备不同尺寸的氧化石墨烯片层,通过控制氧化和超声得到20-50 μm的大尺寸氧化石墨烯(L-GO),和100 nm左右的小尺寸氧化石墨烯(S-GO),不同尺寸的氧化石墨烯的应用领域不同,L-GO由于其较完整的结构和较低的接触电阻在透明导电薄膜方面应用广泛,S-GO由于其较高的周长/面积比,使其在分散方向具有应用潜力。本文即对不同尺寸氧化石墨烯的制备和应用展开讨论。将GO分散液通过棒涂法制备成为氧化石墨烯薄膜,通过真空蒸镀铝膜在其表面,通过铝与盐酸反应产生的电子和初生氢还原氧化石墨烯得到石墨烯透明导电薄膜,讨论了不同尺寸的GO对石墨烯薄膜的性能影响,并探究了金属铝与盐酸混合对氧化石墨烯的还原效果及薄膜的性能分析。结果表明,铝膜与盐酸反应后可以快速温和的制备石墨烯透明导电薄膜,且粗糙度下降,薄膜在80%的透光率下,面电阻可达9.38 kΩ/sq。单壁碳纳米管(SWCNTs)由于其较强的范德华作用力,一般以团聚状存在,通过氧化石墨烯对SWCNTs进行分散制备均匀分散的碳纳米管分散液,通过喷涂法制备碳纳米管透明导电薄膜GO/SWCNTs,探究不同尺寸的GO对SWCNTs的分散效果并对不同分散液喷涂得到的薄膜性能进行分析。研究发现,S-GO的分散效果最好,且S-GO/SWCNTs分散液制备的薄膜的性能最佳,在85%的透光率下,面电阻为1.8kΩ/sq。(本文来源于《天津工业大学》期刊2017-01-18）
透明导电氧化论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
透明导电薄膜已广泛应用于印刷电子领域,传统的透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)因其高脆性低柔韧性而不能满足高速发展的柔性电子行业;纳米银线(AgNWs)和石墨烯均具有良好光学性能、导电性能以及机械性能,使其能成为制备透明导电薄膜的理想材料。综述了近年来还原氧化石墨烯(rGO)基AgNWs透明导电薄膜的研究进展。介绍了柔性导电薄膜的关键参数及rGO/AgNWs透明导电薄膜的成膜工艺;归纳了影响rGO/AgNWs透明导电薄膜光电性能的主要因素和相关研究;阐述了rGO/AgNWs透明导电薄膜在印刷电子领域的应用现状,并展望了rGO/AgNWs透明导电薄膜的未来发展趋势。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
透明导电氧化论文参考文献
[1].王可,杨星,杜得喜,李志凌,谢辉.还原氧化石墨烯对纳米银线/还原氧化石墨烯复合柔性透明导电薄膜影响（英文）[J].稀有金属材料与工程.2019
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[5].吴波,陈梦唯,吴永亮,陈志鹏,徐朝晖.纳米纤维素/还原氧化石墨烯透明导电薄膜的制备及表征[J].林业工程学报.2019
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[7].冯梦现,黄新友,孙景峰,谢逊,陈磊.二氧化锡透明导电薄膜的研究进展[J].中国陶瓷.2018
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[10].王洁.不同尺寸氧化石墨烯的制备及在透明导电薄膜上的应用[D].天津工业大学.2017