导读:本文包含了应力引入论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:锐钛矿TiO_2(001),薄膜,扫描隧道显微术,表面重构
应力引入论文文献综述
王明越,谭世倞,崔雪峰,王兵[1]（2019）在《引入应力的锐钛矿TiO_2(001)薄膜的外延生长》一文中研究指出锐钛矿TiO_2(001)(anataseTiO_2(001),简记为ATO)表面因其优异的催化活性受到了广泛的关注。理论计算结果表明,ATO表面应力导致的晶格畸变可能会增强该表面的催化活性。因此有必要研究应力对ATO表面结构的影响。本文利用BaTiO_3(001)(简记为BTO)与ATO之间存在较大的晶格失配度,将ATO薄膜外延生长在BTO衬底上从而引入应力,研究了存在应力情况下的ATO薄膜的结构特征。实验中,利用脉冲激光沉积方法在Nb掺杂的SrTi O_3(001)(简记为STO)单晶衬底上制备了ATO/BTO/STO外延薄膜。X射线衍射(XRD)和扫描透射电子显微术(STEM)结果表明,作为应力引入层的BTO薄膜厚度约为4–6nm时,能够部分地将应力引入到ATO薄膜中。X射线光电子能谱(XPS)结果显示,ATO薄膜合适的厚度应大于15 nm,从而降低从衬底反向扩散至表面的Sr和Ba原子的浓度;Ti 2p的高分辨XPS谱仅呈现出Ti~(4+)峰,表明ATO表面Ti原子为完全氧化的价态。ATO外延薄膜表面的扫描隧道显微术(STM)图像仍然呈现为(1×4)重构的结构,但在(1×4)重构的脊上存在明暗交替并具有一定周期性的特征。根据完全氧化的"增氧原子模型"(ad-oxygen model,AOM),脊上观察到的明暗交替特征可归因于表面应力导致的"TiO_2"空位缺陷结构。(本文来源于《物理化学学报》期刊2019年12期）
王明越[2]（2019）在《引入应力的锐钛矿TiO_2（001）薄膜制备及其结构研究》一文中研究指出锐钛矿TiO_2(001)(anatase TiO_2(001),简记为ATO)表面因其优异的催化活性受到了广泛的研究。理论计算结果表明,ATO表面应力导致的晶格畸变可能会增强该表面的催化活性。因此有必要研究应力对ATO表面结构的影响。本文利用BaTiO_3(001)(简记为BTO)与ATO之间存在较大的晶格失配度,将ATO薄膜外延生长在BTO上从而引入应力,研究了存在应力情况下的ATO薄膜的结构特征。本文的内容划分如下:第一章介绍了本文的选题背景。首先,简要地介绍了二氧化钛材料的结构、性质及其应用。其次,对ATO表面结构与缺陷的研究进展进行了详细的阐述。最后,介绍了应力调控相关研究的进展,尤其是应力对锐钛矿TiO_2的调控。第二章主要研究了引入应力的ATO薄膜制备。首先,综述了ATO薄膜制备的进展,并据此分析了用于在ATO中引入应力的衬底应满足的条件。其次,详细地描述了实验中生长在Nb掺杂的SrTi03(001)(简记为STO)衬底上用于引入应力的BTO薄膜以及后续生长的ATO/BTO/STO薄膜的脉冲激光沉积制备方法。最后,对这些薄膜进行了X射线衍射和扫描透射电镜的结构表征。结果表明,作为应力引入层的BTO薄膜厚度应介于4-6nm之间时,能够部分地将应力引入到ATO薄膜中。第叁章主要对ATO/BTO/STO薄膜进行了表面结构的研究。首先,简要回顾了ATO表面结构研究目前存在的争议。之后,利用X射线光电子能谱(XPS)和扫描隧道显微镜(STM)对ATO/BTO/STO薄膜表面结构进行了测量与分析。XPS结果表明,ATO薄膜合适的厚度应大于15 nm,从而降低从衬底反向扩散至表面的Sr和Ba原子的浓度;Ti 2p的高分辨XPS谱仅呈现出Ti~(4+)峰,表明ATO表面Ti原子为完全氧化的价态。ATO外延薄膜表面的STM图像仍然呈现为(1×4)重构的结构,但在(1×4)重构的脊上存在明暗交替并具有一定周期性的特征。根据完全氧化的“增氧原子模型”(ad-oxygen model,AOM),文中将这些特征归因于表面应力导致的“TiO_2”空位缺陷结构。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-01）
周晓敏,温庆阳[3]（2016）在《在裂纹尖端引入奇异单元的偶应力有限元法》一文中研究指出针对在微观状态下结构力学行为会受尺度效应影响的问题,在偶应力理论中考虑微观结构的旋转梯度可以较好解释结构的尺度效应.建立基于一般偶应力理论的有限元法的基本方程,并在裂纹尖端引入奇异单元,计算受单向拉伸的中心斜裂纹板裂纹尖端场的应力强度因子(Stress Intensity Factor,SIF),分析特征长度变化对SIF的影响,对比偶应力理论下的结果与经典理论下的结果.结果表明:在裂纹尖端引入奇异单元可以提高计算精度和稳定性;偶应力使得裂纹尖端SIF比经典理论下的值小,并且SIF随着特征长度增大而减小.(本文来源于《计算机辅助工程》期刊2016年03期）
李兴培[4]（2015）在《引入向量的概念对贵定四寨水库重力墩进行叁维应力分析》一文中研究指出进行重力墩应力分析的主要目的就是对重力墩在施工期以及运用期间是否满足强度要求进行检验,从而保证重力墩在运用过程中大坝坝体不会出现裂缝以及断裂等强度问题。主要阐述引入向量的概念对贵定四寨水库重力墩进行叁维应力分析。(本文来源于《水利科技与经济》期刊2015年02期）
田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵[5]（2014）在《InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响(英文)》一文中研究指出系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响。使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低。基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图。结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方。该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素。(本文来源于《发光学报》期刊2014年06期）
孙汉,王玮,陈兢,金玉丰[6]（2014）在《硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计》一文中研究指出在3D SiP(叁维系统级封装)的TSV(硅通孔)的工艺制造过程中,热应力会引发TSV周围的载流子迁移率的改变,进而改变3D系统级封装芯片的性能.针对这一问题,提出了一种TSV热应力释放槽结构,以期解决微机电系统(MEMS)应用的大尺寸TSV的热应力问题.在释放槽内外,硅衬底表面的应力得到有效隔离,表面应力大大降低.在结合可行工艺参数的基础上,通过数值模拟对比了3D与2D模型的区别、不同TSV材料的区别,计算应力释放槽的深度、位置、宽度等因素对硅衬底表面应力释放的效果,给出了TSV应力释放槽的布局建议.研究结果表明含有释放槽的TSV,释放槽外热应力可以减小至无释放槽情况下的40%~60%,保留区域的面积也相应降低.(本文来源于《应用数学和力学》期刊2014年03期）
全冯溪[7]（2010）在《硅材料应力引入技术的研究》一文中研究指出应变硅技术来源于能带工程,通过在器件中引入应力或应变来改变硅的能带结构,从而使得载流子迁移率提高和器件驱动电流增加。应变硅技术包括全局应变和局部应变两大类。前者包括SiGe虚拟衬底技术,绝缘层上锗硅(SGOI)和绝缘层上应变硅(SSOI)。后者特指只在器件的局部区域向器件提供应力,且可以通过常规CMOS工艺或者稍微改动的工艺就可以实现。由于与CMOS工艺的良好兼容性,局部应变技术已经成为目前业界的主流。局部应变技术包括浅槽隔离(STI)、刻蚀阻挡层作为双应力衬垫(DSL)、源漏嵌入式锗硅(S/D E-SiGe)以及应力记忆技术(SMT)等。本文首先分析了应变对硅能带的影响,进而对应变提高载流子迁移率的机理进行了讨论。随后介绍了几种主要的应力引入技术的制造方法和特点。最后对局部应力技术中的氮化硅盖帽层和STI致应力进行了实验研究。在氮化硅盖帽层应力的实验研究中,通过采用高频PECVD和LPCVD两种方法,淀积不同厚度的氮化硅盖帽层,研究氮化硅盖帽层产生的应力与淀积方法和厚度的关系。样品通过X射线双晶衍射(XRD)来表征其产生的应变。然后,制作了带有台阶图形的氮化硅盖帽层,研究其产生的应力与盖帽层厚度的关系。试验结果通过扫描电子显微镜(SEM)观测了台阶形貌,采用XRD表征应变的情况。对于STI结构产生的应力,本文通过设计不同的STI结构的版图参数,研究这些版图参数对STI产生应力的影响。实验样品通过SEM观测了表面和截面的形貌,并通过XRD重点研究了不同槽间距对STI应力的影响。(本文来源于《电子科技大学》期刊2010-04-01）
刘青[8]（2009）在《氮化硅应力引入技术及实现》一文中研究指出在器件中引入应变硅技术,通过应力对沟道的作用,可以增强载流子迁移率,提高器件性能。在器件尺寸不断缩小的今天,基于CMOS工艺的应变硅技术正得到越来越广泛的应用。氮化硅致应变技术属于应变硅技术的一种,通过在器件上淀积高应力氮化硅薄膜,对沟道引入应力,提高载流子迁移率,达到优化器件性能的目的。相比于其他应变硅技术,氮化硅致应变技术在工艺上更加简单,且有着更低的成本,具有很好的发展前景。本论文主要对氮化硅致应变技术进行分析,研究其应力引入技术机理及实现方法。本论文研究了氮化硅薄膜产生应力的原因,分析了应力引入器件的方法及其实现的方式,探讨了生长条件对薄膜应力的影响,在此基础上设定适当的工艺条件,在硅片上成功淀积出本征应力高于1GPa的氮化硅薄膜,对实验结果进行分析,与理论研究结果相符合。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2009-01-01）
陶帅[9]（2009）在《硅基应变器件应力引入方法研究》一文中研究指出随着集成电路产业的发展,采用传统的缩小晶体管尺寸的方法来提高晶体管性能越来越受到成本和技术的限制。寻找新材料,新衬底,新器件结构成为进一步提高晶体管性能的首选。应变硅技术通过在传统的体Si器件中引入应力可以提高载流子的迁移率,且应变CMOS以体Si工艺为基础不需要复杂的工艺,因而正在作为一种廉价且高效的技术得到越来越广泛的应用。由于晶格常数的改变,应变硅中载流子的迁移率高于普通硅材料,这是应变硅MOSFET性能提高的根本原因。本文基于能带理论研究了影响迁移率提高的因素。应变硅的应力如何引入是进行其它方面性质研究的基础。本文对各种主要的应力引入方法:全局应变、工艺致应变、后工艺致应变、混合晶向技术和机械应变等进行了仔细的研究和探索,重点介绍了工艺致应变中的浅沟槽隔离和应力衬垫技术。在浅沟槽隔离方法中,对影响STI应力大小的因素、应力分布及与版图的关系进行了重点研究,对参数STIW建立的模型可以嵌入到BSIM SPICE程序中,提高了电路的仿真性能。在应力衬垫技术方法中重点研究了氮化硅薄膜的制备方法,对具有压应力和张应力的PECVD法氮化硅薄膜应力的基本产生机理进行了描述。提出了两步UV处理法进行张应力氮化硅的制备,还对高压应力氮化硅膜的制备方法进行了说明。根据不同的淀积和工艺处理条件的组合,从而得到了张应力大于1.6GPa和压应力大于2.9GPa的氮化硅薄膜。最后对各种应力引入方法进行了比较,指出了各种方法的优缺点,提出了优化的应力引入方法。两种以上的应力引入方法相结合应用在器件中,会有更大的性能提高。组合使用也是未来产业界的一大趋势。本文提出的优化后的应力引入方法对工业生产具有重要的指导意义。(本文来源于《西安电子科技大学》期刊2009-01-01）
李总根,孙有朝,吴广宇[10]（2008）在《一种定量环境应力筛选中引入缺陷的计算方法》一文中研究指出引入缺陷是定量环境应力筛选的关键参数之一。笔者从环境应力筛选的试验过程出发建立数学模型,推导一个计算元器件缺陷比例的数学公式,提出了一个间接计算引入缺陷的方法,最后给出一个算例,证明该方法是可行的。与国家军用标准上介绍的计算方法相比,该方法避免计算生产厂家的工艺缺陷,同时把研制产品的设计缺陷考虑在内,因此,更加客观、准确。(本文来源于《中国安全科学学报》期刊2008年04期）
应力引入论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
锐钛矿TiO_2(001)(anatase TiO_2(001),简记为ATO)表面因其优异的催化活性受到了广泛的研究。理论计算结果表明,ATO表面应力导致的晶格畸变可能会增强该表面的催化活性。因此有必要研究应力对ATO表面结构的影响。本文利用BaTiO_3(001)(简记为BTO)与ATO之间存在较大的晶格失配度,将ATO薄膜外延生长在BTO上从而引入应力,研究了存在应力情况下的ATO薄膜的结构特征。本文的内容划分如下:第一章介绍了本文的选题背景。首先,简要地介绍了二氧化钛材料的结构、性质及其应用。其次,对ATO表面结构与缺陷的研究进展进行了详细的阐述。最后,介绍了应力调控相关研究的进展,尤其是应力对锐钛矿TiO_2的调控。第二章主要研究了引入应力的ATO薄膜制备。首先,综述了ATO薄膜制备的进展,并据此分析了用于在ATO中引入应力的衬底应满足的条件。其次,详细地描述了实验中生长在Nb掺杂的SrTi03(001)(简记为STO)衬底上用于引入应力的BTO薄膜以及后续生长的ATO/BTO/STO薄膜的脉冲激光沉积制备方法。最后,对这些薄膜进行了X射线衍射和扫描透射电镜的结构表征。结果表明,作为应力引入层的BTO薄膜厚度应介于4-6nm之间时,能够部分地将应力引入到ATO薄膜中。第叁章主要对ATO/BTO/STO薄膜进行了表面结构的研究。首先,简要回顾了ATO表面结构研究目前存在的争议。之后,利用X射线光电子能谱(XPS)和扫描隧道显微镜(STM)对ATO/BTO/STO薄膜表面结构进行了测量与分析。XPS结果表明,ATO薄膜合适的厚度应大于15 nm,从而降低从衬底反向扩散至表面的Sr和Ba原子的浓度;Ti 2p的高分辨XPS谱仅呈现出Ti~(4+)峰,表明ATO表面Ti原子为完全氧化的价态。ATO外延薄膜表面的STM图像仍然呈现为(1×4)重构的结构,但在(1×4)重构的脊上存在明暗交替并具有一定周期性的特征。根据完全氧化的“增氧原子模型”(ad-oxygen model,AOM),文中将这些特征归因于表面应力导致的“TiO_2”空位缺陷结构。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
应力引入论文参考文献
[1].王明越,谭世倞,崔雪峰,王兵.引入应力的锐钛矿TiO_2(001)薄膜的外延生长[J].物理化学学报.2019
[2].王明越.引入应力的锐钛矿TiO_2（001）薄膜制备及其结构研究[D].中国科学技术大学.2019
[3].周晓敏,温庆阳.在裂纹尖端引入奇异单元的偶应力有限元法[J].计算机辅助工程.2016
[4].李兴培.引入向量的概念对贵定四寨水库重力墩进行叁维应力分析[J].水利科技与经济.2015
[5].田海涛,王禄,温才,石震武,孙庆灵.InAs量子点引入应力对调制掺杂结构中二维电子气输运特性的影响(英文)[J].发光学报.2014
[6].孙汉,王玮,陈兢,金玉丰.硅通孔(TSV)的工艺引入热应力及其释放结构设计[J].应用数学和力学.2014
[7].全冯溪.硅材料应力引入技术的研究[D].电子科技大学.2010
[8].刘青.氮化硅应力引入技术及实现[D].西安电子科技大学.2009
[9].陶帅.硅基应变器件应力引入方法研究[D].西安电子科技大学.2009
[10].李总根,孙有朝,吴广宇.一种定量环境应力筛选中引入缺陷的计算方法[J].中国安全科学学报.2008
标签：锐钛矿TiO_2(001); 薄膜; 扫描隧道显微术; 表面重构;