导读:本文包含了砷化镓光导开关论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:砷化镓光导开关,有效电流丝段,光致电离效应,电流丝半径
砷化镓光导开关论文文献综述
刘鸿,郑理,杨维,朱晓玲,戴松晖[1]（2016）在《砷化镓光导开关中的有效电流丝段》一文中研究指出分析了高增益砷化镓光导开关中电流丝(即流注)顶端1ps的光生载流子密度分布.提出了"有效电流丝段"的概念,导出了有效电流丝段的光致电离效应公式,揭示了电流丝顶部前面最大光生载流子密度只随着电流丝半径变化的规律.(本文来源于《成都大学学报(自然科学版)》期刊2016年02期）
郑理,刘鸿[2]（2016）在《砷化镓光导开关中电流丝875nm辐射的光致电离效应》一文中研究指出研究高增益砷化镓光导开关中875 nm自发辐射产生的载流子密度分布特征。导出电流丝一端875 nm辐射的光致电离效应规律,计算电流丝一端875 nm自发辐射产生的载流子密度。计算结果表明:紧邻电流丝顶部处的光生载流子密度最大。比较发现875 nm自发辐射的最大光生载流子密度大于890 nm自发辐射的最大光生载流子密度至少1个数量级,但是小于电流丝内载流子密度1~2个数量级。(本文来源于《成都工业学院学报》期刊2016年02期）
徐鸣,李孟霞,安鑫,卞康康,施卫[3]（2016）在《红外猝灭非线性砷化镓光电导开关产生太赫兹的实验研究（英文）》一文中研究指出在实验上对光激发电荷畴进行有效的猝灭,是利用具有雪崩倍增效应的非线性砷化镓光电导开关作为太赫兹辐射源的关键问题之一。提出了基于双光束红外激光来猝灭砷化镓光电导开关的非线性模式的初步实验方法,两束激光时延为100 ps,其中第二束为猝灭光。实验中,12 mm间隙的砷化镓光电导开关偏置电压可达到32 k V,输出电流为900 A。同时,14 mm间隙开关在20 k V偏置、毫焦光能触发条件下,可连续工作230次,输出波形具有较好的重复性。结果表明,双光束红外激光能够猝灭非线性模式,重复工作性能稳定,对高重复频率触发下光电导方法产生高功率太赫兹辐射的研究奠定了前期实验基础。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2016年04期）
刘鸿,郑理,朱晓玲,杨维,戴松晖[4]（2015）在《砷化镓光导开关中的电子雪崩域》一文中研究指出分析了高增益砷化镓光导开关中载流子的碰撞电离现象,阐明了光致电离效应和转移电子效应高场畴的意义,揭示了电子雪崩域形成的充分必要条件和载流子的局域雪崩生长特性,理论分析与实验观察一致.(本文来源于《成都大学学报(自然科学版)》期刊2015年02期）
刘鸿,郑理,阮成礼,杨洪军,杨维[5]（2014）在《砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应》一文中研究指出应用统计物理方法研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应.导出了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射规律,在砷化镓样品中引入复合辐射强度与辐射的波长分布函数的概念,近似确定了高增益砷化镓光导开关中电流丝的平均辐射复合系数为(883 nm)≈0.1125,导出了各辐射波长的辐射复合系数与平均辐射复合系数之间的关系,验证了峰值波长为890 nm的光输出能量与实验观察结果吻合,在理论上揭示了电流丝顶部的光生载流子密度的分布规律.结果表明:电流丝的体积面积比值和电流丝内平均载流子密度是影响电流丝辐射效应的两个主要因素,波长876 nm的辐射在紧邻电流丝顶部产生的最大载流子密度具有主导作用,最大光生载流子密度比电流丝内平均载流子密度小1–2个数量级.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2014年01期）
刘鸿,郑理,杨洪军,戴松晖,王晓茜[6]（2013）在《砷化镓光导开关中流注890nm辐射的光致电离效应》一文中研究指出分析了高增益砷化镓光导开关中流注一端波长890 nm自发辐射的光致电离效应,导出了砷化镓光导开关中流注顶部波长890 nm自发辐射在吸收区域产生的载流子密度分布规律.计算结果表明,紧邻流注顶部处的光生载流子密度最大,波长890 nm自发辐射产生的最大载流子密度比流注内平均载流子密度至少小3个数量级.(本文来源于《成都大学学报(自然科学版)》期刊2013年03期）
刘鸿,郑理,杨洪军,杨维,郑勇林[7]（2013）在《砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量分析》一文中研究指出研究了高增益砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量。从砷化镓光导开关中电流丝的非平衡载流子复合出发,导出了电流丝的自发辐射能量公式,建立了电流丝自发辐射的理论模型。在电流丝达到稳定状态的条件下,计算了电流丝一端的辐射波长为875nm和四个峰值波长的自发辐射能量,其中峰值波长890nm的最大光输出能量与实验观察结果吻合,合理解释了电流丝的自发辐射现象,对应用这个模型计算其他辐射波长的光输出能量给予了支持,为进一步深入定量分析电流丝辐射的光致电离效应奠定了基础。(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2013年09期）
纪卫莉,施卫[8]（2013）在《半绝缘砷化镓光电导开关表面闪络电场的实验研究(英文)》一文中研究指出With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold of surface flashover (SF). In this paper, an experimental study of surface flashover of a back-triggered PCSS is presented. The PCSSs with electrode gap of 18 mm are fabricated from liquid encapsulated czochralski (LEC) semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs), and they are either un-coated, or partly coated, or en- tirely coated PCSSs with high-strength transparent insulation. The SF fields of the PCSSs are measured and discussed. According to the experimental results, the high-dielectric-strength coating is efficient in both reducing the gas desorption from semiconductor and increasing the SF field: a well-designed PCSS can resist a voltage up to 20 kV under the repetition frequency of 30 Hz. The physical mechanism of the PCSS SF is analyzed, and the conclusion is made that having a channel structure, the SF is the breakdown of the contaminated dielectric layer at the semiconductor-ambient dielectric interface. The non-uniform distribution of the surface field and the gas desorption due to thermal effects of semiconductor surface currents are key factors causing the SF field reduction.(本文来源于《高电压技术》期刊2013年08期）
马湘蓉,施卫,向梅[9]（2013）在《砷化镓光电导开关混合工作模式》一文中研究指出实验中,当偏置电压达到一定阈值时,串联组合(双层)半绝缘(SemiInsulating,SI)砷化镓(GaAs)光电导开关(PCSS)输出为近似方波的双峰脉冲波形。输出脉冲随外加偏置电压的升高,上升时间基本不变,脉宽和下降时间都略有减小,双峰峰值均明显增大,开关呈现出不同于普通单个(单层)开关独特的实验现象。分析认为:串联组合SI GaAs光电导开关和普通单个开关各处于不同的工作模式中,组合开关工作在介于光激发电荷畴(Photoactivated Charge Domain,PACD)和限制空间电荷积累模式(Limit Space charge Accumulation,LSA)(简称限累模式)之间的混合模式,此工作模式使得组合开关中的电场都被扫进阈值之上的负微分迁移率区,抑制了开关进入非线性模式的锁定状态,工作效率较高;而普通开关则工作在光激发电荷畴模式,开关输出电脉冲波形呈现出典型的非线性锁定特性。(本文来源于《实验室研究与探索》期刊2013年08期）
郑理,刘鸿[10]（2013）在《砷化镓光导开关中电流丝的辐射复合系数研究》一文中研究指出应用统计物理方法研究了砷化镓光导开关中电流丝(即流注)的辐射复合系数。通过分析砷化镓光导开关中电流丝一端的自发辐射光谱,依据简单平均法和归一化条件,确定了电流丝辐射波长为890 nm的辐射复合系数为0.118 2,与相关实验测量吻合。(本文来源于《成都工业学院学报》期刊2013年02期）
砷化镓光导开关论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究高增益砷化镓光导开关中875 nm自发辐射产生的载流子密度分布特征。导出电流丝一端875 nm辐射的光致电离效应规律,计算电流丝一端875 nm自发辐射产生的载流子密度。计算结果表明:紧邻电流丝顶部处的光生载流子密度最大。比较发现875 nm自发辐射的最大光生载流子密度大于890 nm自发辐射的最大光生载流子密度至少1个数量级,但是小于电流丝内载流子密度1~2个数量级。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
砷化镓光导开关论文参考文献
[1].刘鸿,郑理,杨维,朱晓玲,戴松晖.砷化镓光导开关中的有效电流丝段[J].成都大学学报(自然科学版).2016
[2].郑理,刘鸿.砷化镓光导开关中电流丝875nm辐射的光致电离效应[J].成都工业学院学报.2016
[3].徐鸣,李孟霞,安鑫,卞康康,施卫.红外猝灭非线性砷化镓光电导开关产生太赫兹的实验研究（英文）[J].红外与激光工程.2016
[4].刘鸿,郑理,朱晓玲,杨维,戴松晖.砷化镓光导开关中的电子雪崩域[J].成都大学学报(自然科学版).2015
[5].刘鸿,郑理,阮成礼,杨洪军,杨维.砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射效应[J].中国科学:物理学力学天文学.2014
[6].刘鸿,郑理,杨洪军,戴松晖,王晓茜.砷化镓光导开关中流注890nm辐射的光致电离效应[J].成都大学学报(自然科学版).2013
[7].刘鸿,郑理,杨洪军,杨维,郑勇林.砷化镓光导开关中电流丝的自发辐射能量分析[J].激光与光电子学进展.2013
[8].纪卫莉,施卫.半绝缘砷化镓光电导开关表面闪络电场的实验研究(英文)[J].高电压技术.2013
[9].马湘蓉,施卫,向梅.砷化镓光电导开关混合工作模式[J].实验室研究与探索.2013
[10].郑理,刘鸿.砷化镓光导开关中电流丝的辐射复合系数研究[J].成都工业学院学报.2013