导读:本文包含了双功能陶瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:压敏电阻,介电性质,电子陶瓷,电容
双功能陶瓷论文文献综述
臧国忠,王晓飞,李立本,王丹丹[1]（2018）在《SnO_2-Zn_2SnO_4与SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究》一文中研究指出通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10V/mm,但SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56μA/cm~2。40 Hz时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的相对介电常数为2×10~4,低于SrTiO_3的9×10~4,同时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的介电损耗要高于SrTiO_3,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有潜在的应用价值。(本文来源于《功能材料》期刊2018年04期）
王晓雪,李涛,陈镇平[2]（2011）在《Eu_2O_3掺杂对压敏-电容双功能陶瓷材料CaCu_3Ti_4O_(12)电性能的改善效果》一文中研究指出以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2%、0.5%、1%(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对掺杂样品的微观形貌变化进行测量分析;利用一直流高压电源测试样品的J-E非线性特征;利用Anglent4294型精密阻抗分析仪测试样品的电介性能。掺杂后样品的晶格结构并未发生明显的改变,但是平均晶粒尺寸减小,晶界处富Cu相消失;纯CCTO的XRD图谱中出现了富Cu相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;Eu2O3掺杂提高了样品内部的肖特基势垒高度,增加了势垒阻挡层的数目,使得样品的压敏电压和非线性系数明显提高,材料的压敏电阻性明显改善,电介-频率稳定性增强。(本文来源于《材料导报》期刊2011年22期）
罗婕思[3]（2011）在《钛酸锶系双功能压敏陶瓷改性研究》一文中研究指出钛酸锶压敏电阻是继氧化锌压敏电阻之后,出现的一种新型压敏电阻材料。相比于氧化锌压敏电阻,钛酸锶压敏电阻有着压敏电压较低的优势,在低压领域(<30V)有着广泛的应用。本实验采用传统的固相烧结,由真空碳管炉提供还原性气氛烧结,再在马弗炉中完成二次烧成。相比以往采用H2+N2提供还原性气氛的方法,本实验安全性较高,并且也制造出了电性能较好的钛酸锶压敏陶瓷。通过一系列实验对比,结果表明：当Ti/Sr比为1.02时,获得的钛酸锶样品介电常数最高,并且样品表面气孔较少,这说明钛过量将有利于钛酸锶晶粒的成长；选用氧化镧和五氧化二铌和作为施主掺杂,比较施主杂质对样品电性能的影响；分别用氧化镍和碳酸锰作为受主掺杂,在相同的烧结工艺下,结果表明选用碳酸锰作为受主掺杂,可提升样品的非线性系数；用二氧化硅、叁氧化二铝和碳酸锂作为烧结助剂,结果表明选用碳酸锂作为掺杂时,样品的非线性系数最高,这表明了碳酸锂不仅可以作为烧结助剂,还起到了受主杂质的作用。本次实验制备出的钛酸锶样品,其性能处于以下范围：压敏电压(V1mA)处于20～200V/mm之间,非线性系数(α)处于5～12之间,介电常数(ε)达104～107数量级。(本文来源于《广西大学》期刊2011-06-01）
刘晓川[4]（2007）在《软化学法制备SrTiO_3基双功能低压压敏陶瓷》一文中研究指出钛酸锶压敏陶瓷是一种具有压敏性和电容性双功能的材料,它具有的低电压、高电容、有效抑制杂波和吸收陡脉冲等特性,在向小型化和集成化电子元件发展的当今倍受重视。本论文采用软化学工艺,从两个研究途径着手,对钛酸锶压敏陶瓷的材料制备过程和实现低压压敏性能进行了讨论,并对其过程机制进行了分析。首先,采用软化学溶胶-凝胶法制备SrTiO_3基薄膜。以Ti(C_4H_9O)_4和Sr(NO_3)_2为原料,以柠檬酸为络合剂,La(NO_3)_3和Mn(NO_3)_2分别作为施主和受主掺杂剂,乙二醇为交联剂,并加入N-N-二甲基甲酰胺干燥剂,配置成浓度合适的前驱体溶液,在Pt/Si基片上经过浸渍-提拉、干燥、预处理和烧结等过程制备了高质量纳米晶SrTiO_3薄膜。实验中发现预烧基片、干燥剂、烧结温度和前驱体烧结温度等是制备致密薄膜关键的影响因素。以TG-DTA分析讨论了前驱体在烧结过程中的变化,用SEM和AFM表征了薄膜的表面形貌。制备的SrTiO_3薄膜,其厚度约为600nm,平均晶粒尺寸约为50nm,表面粗糙度为9.6nm,晶粒尺寸分布均匀,具有较低的压敏电压V1mA≈0.6V,非线性系数α≈2.0。第二,采用软化学溶胶-凝胶法制备纳米SrTiO_3粉体,并通过压制和烧结形成压敏-电容双功能的块体陶瓷。在Sr(NO_3)_2-Ti(C_4H_9O)_4-H_2O-C_2H_5OH体系中,添加La(NO_3)_3·6H_2O、Mn(NO_3)_2以及Si(OC_2H_5)_4分别作为施主、受主掺杂剂和助烧剂,合成纳米SrTiO_3主晶相粉体。DSC-TG和XRD分析的结果表明,在900℃左右时,反应基本生成粒径约为30nm的立方相SrTiO_3粉体。在制备纳米SrTiO_3粉体基础上,采用一次烧成工艺制备SrTiO_3基双功能陶瓷,得到压敏电压V1mA约为95.7V/mm,非线性系数α约为3.5,介电常数ε约为1.4×10~4,介电损耗tgδ约为20.75%。并通过实验详细地分析了纳米和常规粉体制备的样品结构和性能差异,从理论上加以解释。最后采用纳米和常规粉体进行混合得到优异性能,其性能达到压敏电压V1mA约为14.9 V/mm,非线性系数α约为6.1,介电常数ε约为4.8×10~4,介电损耗tgδ约为33.30%。以上通过绿色软化学工艺,制备出了低压的钛酸锶压敏陶瓷材料,此研究为该材料的产业化应用奠定了理论与实验基础。(本文来源于《天津大学》期刊2007-01-01）
甘国友,王静,严继康,郭中正[5]（2006）在《SrTiO_3双功能陶瓷表面层效应的研究》一文中研究指出SrTiO3压敏陶瓷存在表面氧化层,厚约60μm。能谱分析表明氧由表至里存在浓度梯度。氧化热处理阶段对表面氧化层的形成有重要影响,在该阶段氧以叁种形式进行扩散。化学吸附氧使界面态密度增加,是晶界势垒形成的主要因素。(本文来源于《材料导报》期刊2006年S1期）
胡连峰,唐超群,周文斌,薛霞,黄金球[6]（2006）在《Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响》一文中研究指出研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×104。烧结温度在1450℃时,压敏电压最低,Eb=1.979 V.mm-1。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2006年06期）
胡连峰[7]（2006）在《TiO_2基电容—压敏双功能陶瓷的制备及特性研究》一文中研究指出压敏材料由于其优异的电学非线性行为,在电子元器件的保护,避雷器和输电线路过压保护等方面得到了广泛的应用,其既能对电路起到保护作用,又能起到消噪、抗浪涌等作用。以TiO2为主要成分的新型压敏材料的研究目前正处于深入开展的阶段,很多问题需要进一步研究,这正是本文选取TiO2为研究对象的原因。本文用掺杂的方法制备出了两种不同系列的样品,研究了掺杂量及其它制备工艺对压敏材料重要特性的影响,并进行了相关的理论分析。主要工作和结果如下:(1)研究了有关工艺对陶瓷材料的影响。(2)在Bi2O3掺杂量为0.05mol %--1.0mol%的范围内研究了Bi2O3掺杂对TiO2·Nb2O5系陶瓷压敏的非线性伏-安特性及介电性能的影响。实验结果表明:随着Bi2O3掺杂量的增加,样品的非线性系数先增大后减小,在Bi2O3掺杂量为0.2mol%附近达到最大值(6.615);样品的介电常数(在1kHz频率下测量)是先减小后增大,其最小值出现在Bi2O3含量为0.2mol%附近的样品中。(3)研究了Sb2O3掺杂对TiO2陶瓷压敏非线性伏-安特性及介电性能的影响。研究结果表明:非线性系数的最大值(13.23)出现在Sb2O3掺杂量为0.2mol%的样品中。根据这些特点,说明Sb2O3掺杂的TiO2陶瓷是一种较为理想的压敏-电容器。为了进一步说明晶界势垒的形成,引入了晶界缺陷模型,该模型能很好的解释Sb2O3掺杂的TiO2陶瓷的非线性电学行为产生的原因。(本文来源于《华中科技大学》期刊2006-11-01）
李翠霞,张新磊,顾玉芬[8]（2006）在《Nb_2O_5、La_2O_3掺杂对SrTiO_3双功能陶瓷半导化及显微结构的影响》一文中研究指出主要研究了N b2O5和L a2O3双施主掺杂对S rT iO3陶瓷半导化及显微结构的影响。采用传统电子陶瓷工艺在1420℃弱还原气氛中(N2+石墨)制备了半导化的S rT iO3陶瓷,讨论了在稀土添加总量为0.9%(摩尔分数)的条件下,N b2O5∶L a2O3比对S rT iO3陶瓷室温电阻率和显微结构的影响。研究结果表明双施主掺杂不仅可以促进S rT iO3陶瓷半导化而且对显微结构有重要影响。N b2O5∶L a2O3为2∶1时样品室温电阻率为0.89Ω.cm,显微结构较为理想。在此基础上,获得压敏与介电性能较佳的双功能S rT iO3陶瓷元件。(本文来源于《稀土》期刊2006年05期）
王静[9]（2006）在《钛酸锶双功能压敏陶瓷的制备及性能研究》一文中研究指出钛酸锶基压敏陶瓷是上世纪八十年代发展起来的一种新型多功能半导体陶瓷材料，有压敏电压低、非线性系数高、介电常数高、介电损耗低等优点，是集高频噪声、猝发脉冲、浪涌吸收和自复位功能于一体的电容-压敏复合功能陶瓷。本文主要研究了施主掺杂剂及其引入形态、受主掺杂剂、烧结工艺以及热处理工艺对SrTiO_3基压敏陶瓷的电学性能及微观结构的影响，并提出用纳米掺杂来对其进行改性，得到了一些相关实验结果。实验表明：掺杂施主离子的种类、形态及浓度、掺杂受主离子的种类、烧结温度、热处理工艺等对材料的电性能、微观结构会产生重要影响。在(N_2+C)的还原性气氛下，采用单施主CeO_2或Y_2O_3掺杂、再分别以MnCO_3或CuO作为受主掺杂剂均能获得低压敏电压、高非线性系数、高介电常数的SrTiO_3基双功能陶瓷，表现出良好的压敏性能与介电性能。相比较而言，以CuO作受主，当施主Y_2O_3加入量为1.2mol％时有较优的综合电性能：V_(1mA)=5.51V，α=5.8，ε_r=9.64×10~4，tanδ=0.35。扫描电镜观察表明烧结温度提高可以促进晶粒长大和均匀化。研究了氧化热处理工艺对SrTiO_3基压敏陶瓷电性能的影响。结果表明，氧化热处理时间和氧化热处理温度对材料的压敏特性和介电性能均有重要的影响。氧化热处理时间的增加会使V_(1mA)、α上升，氧化热处理温度的增加使α上升、V_(10mA)先增加后减小。采用纳米La_2O_3作为施主掺杂剂对SrTiO_3基压敏陶瓷进行纳米掺杂改性。通过纳米掺杂可以制备出压敏电压较低、非线性系数较高的双功能陶瓷：V_(1mA)=4.35V，α=6.2。最后，本文对SrTiO_3基压敏陶瓷的晶界势垒问题进行了初步探讨，提出了SrTiO_3基压敏陶瓷的迭加势垒模型，并在简化条件下，就受主态扩散层对势垒的影响进行了表观分析，得出了一些有用的规律。(本文来源于《昆明理工大学》期刊2006-05-01）
孟辉,季惠明,常杰[10]（2005）在《新型多层结构压敏电容双功能陶瓷元件的制备与性能研究》一文中研究指出本文选择ZnO和Pb(Mg13Nb23)O3为基体材料,利用轧膜技术制备了多层片式结构的压敏电容双功能陶瓷元件。通过工艺因素和SEM微观形貌分析,研究了ZnO基压敏材料和Pb(Mg13Nb23)O3基电容材料的制备过程、热行为匹配性、微观结构等在制备多层结构中的作用。以仿独石工艺形成了具有压敏-电容双功能的陶瓷元件,获得了降低元件压敏电压和提高其电容量的有效途径,为此类材料的应用打下研究基础。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2005年04期）
双功能陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
以稀土氧化物Eu2O3为添加剂,采用固相反应法制备了不同掺杂比例(x=0、0.2%、0.5%、1%(质量分数))的CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷样品。采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对掺杂样品的微观形貌变化进行测量分析;利用一直流高压电源测试样品的J-E非线性特征;利用Anglent4294型精密阻抗分析仪测试样品的电介性能。掺杂后样品的晶格结构并未发生明显的改变,但是平均晶粒尺寸减小,晶界处富Cu相消失;纯CCTO的XRD图谱中出现了富Cu相,掺杂样品的图谱中并未出现上述杂相;Eu2O3掺杂提高了样品内部的肖特基势垒高度,增加了势垒阻挡层的数目,使得样品的压敏电压和非线性系数明显提高,材料的压敏电阻性明显改善,电介-频率稳定性增强。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
双功能陶瓷论文参考文献
[1].臧国忠,王晓飞,李立本,王丹丹.SnO_2-Zn_2SnO_4与SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究[J].功能材料.2018
[2].王晓雪,李涛,陈镇平.Eu_2O_3掺杂对压敏-电容双功能陶瓷材料CaCu_3Ti_4O_(12)电性能的改善效果[J].材料导报.2011
[3].罗婕思.钛酸锶系双功能压敏陶瓷改性研究[D].广西大学.2011
[4].刘晓川.软化学法制备SrTiO_3基双功能低压压敏陶瓷[D].天津大学.2007
[5].甘国友,王静,严继康,郭中正.SrTiO_3双功能陶瓷表面层效应的研究[J].材料导报.2006
[6].胡连峰,唐超群,周文斌,薛霞,黄金球.Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响[J].材料科学与工程学报.2006
[7].胡连峰.TiO_2基电容—压敏双功能陶瓷的制备及特性研究[D].华中科技大学.2006
[8].李翠霞,张新磊,顾玉芬.Nb_2O_5、La_2O_3掺杂对SrTiO_3双功能陶瓷半导化及显微结构的影响[J].稀土.2006
[9].王静.钛酸锶双功能压敏陶瓷的制备及性能研究[D].昆明理工大学.2006
[10].孟辉,季惠明,常杰.新型多层结构压敏电容双功能陶瓷元件的制备与性能研究[J].材料科学与工程学报.2005