导读:本文包含了电流噪声论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:纳米MOSFET,弱反型区,噪声机理,低功耗
电流噪声论文文献综述
徐振洋,李博,王军[1]（2019）在《面向低功耗高频应用的40 nm MOSFET漏极电流噪声建模》一文中研究指出针对40 nm MOSFET和表征其噪声机理的漏极电流噪声进行了研究,从强反型区到弱反型区对高频特性进行了测量和分析,建立了一个基于物理的40 nm MOSFET漏极电流噪声简洁模型。77 K和300 K温度条件下的研究结果表明:在低压弱相互作用条件下,40 nm MOSFET的高频噪声机理由受抑制的散粒噪声转变为热噪声。这个噪声机理的发现有利于纳米级MOSFET在弱反型区的高频建模和低功耗应用。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2019年05期）
雷军,陈毓彬[2]（2018）在《低频电阻电流噪声测试技术的发展和应用》一文中研究指出主要介绍了电阻电流噪声的表征及其测试技术的发展和应用现状,指出了目前国内的测试标准已经跟不上测试技术的发展这一问题,提出了修订标准的建议。(本文来源于《电子产品可靠性与环境试验》期刊2018年04期）
田平,王鲜然,杨晓非[3]（2016）在《调制电流噪声对TDLAS气体检测影响的研究》一文中研究指出为了量化分析电流噪声对TDLAS气体检测结果的影响,文中根据半导体二极管激光器的技术参数,针对氧气在760 nm附近处的单吸收谱线,构建了完整的基于波长调制(WMS)方法气体浓度测量的Simulink仿真模型,分析了系统噪声来源。在充分考虑残余振幅调制的情况下,系统量化分析了由调制电流噪声引起的调制激光噪声对气体浓度监测误差率的影响,并基于最小二乘法,拟合了调制噪声与浓度检测误差率的二次关系式。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2016年07期）
光宣亮,吴文贤,李立[4]（2016）在《浅析电流噪声的抑制》一文中研究指出无刷直流电机逆变器在控制IGBT的开关过程中会产生大量的电流噪声,合理地使用去耦电容在电磁兼容防止电流噪声干扰中具有重要作用。对去耦电容的作用、容量、原理及其应用做了简要的分析,提出了一种有效抑制电流噪声干扰的去耦电容设计方法。(本文来源于《日用电器》期刊2016年04期）
王党会,许天旱,王荣,雒设计,姚婷珍[5]（2015）在《InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征》一文中研究指出本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试,结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理,研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系.结论表明,当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中,InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声,载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合,并具有标准1/f噪声的趋势,此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定.本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法,为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据.(本文来源于《物理学报》期刊2015年05期）
李键,魏克新,梁斌[6]（2014）在《基于电流噪声源模型的EMI滤波器设计》一文中研究指出在阐述了叁相变流器电磁干扰特点的基础上,提出了一种新的EMI滤波器的设计方法。分析了叁相变流器的共模、差模干扰回路,建立了插入滤波器后叁相共模、差模等效模型。考虑了阻抗失配条件下对滤波器设计的影响,根据测得传导干扰所需衰减量,确定滤波元件参数选取。该方法以电流源为噪声模型,绕过了源阻抗估算这一难点,简化了设计难度,仿真结果表明了该设计方法的有效性和实用性。(本文来源于《电源技术》期刊2014年09期）
贾晓菲,何亮[7]（2014）在《实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析》一文中研究指出实际纳米MOSFET电流噪声为散粒噪声和热噪声,且散粒噪声受到费米作用和库仑作用的抑制.而现有文献研究实际纳米MOSFET电流噪声时,采取了完全不考虑其散粒噪声的抑制,或者只是强调抑制的存在而并未给出具体的抑制分析.本文基于Navid模型推导了实际纳米MOSFET电流噪声,并考虑费米作用和库仑作用对散粒噪声的抑制.在此基础上,对电流噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化特性进行了分析,其变化规律与文献中已有的实验和理论变化相一致.沟道长度越短,温度越低,源漏电压越大和栅极电压越低,电流噪声主要以散粒噪声为主.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2014年06期）
唐冬和,杜磊,王婷岚,陈华,贾晓菲[8]（2011）在《纳米器件电流噪声的散射理论统一模型研究》一文中研究指出传统散射理论在研究器件噪声特性时,并没有考虑非相干输运和库仑作用对散粒噪声的抑制,而在实际纳米器件中这两种效应不可忽略.本文基于散射区等效接触端模型推导了考虑上述两种效应的电流噪声散射理论统一模型,该模型适用于从相干输运到非相干输运的整个输运区,并同时考虑了泡利不相容原理和库仑作用对散粒噪声的抑制.本文也提出了一种基于统一模型的电流噪声数值模拟方法,该方法所得散射区特性与散射区等效接触端模型特性一致.(本文来源于《物理学报》期刊2011年09期）
陈文豪,杜磊,包军林,刘林,陈华[9]（2010）在《固定电阻器电流噪声系数测试标准研究》一文中研究指出固定电阻器电流噪声系数是电阻器质量管理与可靠性技术的表征参数。本文在固定电阻器噪声特性研究基础上,研究相关标准中的测试原理、方法和条件。对20世纪70年代国际电工委员会制定的国际标准IEC 60195、我国军用标准GJB 360A-96以及相关行业标准存在的问题进行说明,并提出了测试标准的修改建议。(本文来源于《中国电子学会第十六届电子元件学术年会论文集》期刊2010-09-13）
王骁男,王金涛,付洁,李劲松,张晓来[10]（2010）在《可编程逻辑器件驱动电流噪声影响分析》一文中研究指出在应用越来越广泛的图像处理系统中,噪声是影响图像质量的重要因素。各种滤波电路以及图像滤波算法,有时也不是最直接、最有效的解决方法。论文经过大量实验研究发现,大型图像处理采集系统中互联信号的驱动电流,对系统噪声影响很大。找到驱动电流对噪声的影响规律,探索出一种设置驱动电流大小的方法是论文的研究目的。通过Lattice的ispLEVER7.1实时改变驱动电流的设置,借助MATLAB 2008B分析工具,计算不同图像的峰值信噪比PSNR以评估噪声影响。结果表明:兼顾图像质量,系统体积,尺寸,功耗,以及芯片驱动能力设置最佳驱动电流,对系统硬件设计具有很好的指导作用。(本文来源于《国外电子测量技术》期刊2010年02期）
电流噪声论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
主要介绍了电阻电流噪声的表征及其测试技术的发展和应用现状,指出了目前国内的测试标准已经跟不上测试技术的发展这一问题,提出了修订标准的建议。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电流噪声论文参考文献
[1].徐振洋,李博,王军.面向低功耗高频应用的40nmMOSFET漏极电流噪声建模[J].固体电子学研究与进展.2019
[2].雷军,陈毓彬.低频电阻电流噪声测试技术的发展和应用[J].电子产品可靠性与环境试验.2018
[3].田平,王鲜然,杨晓非.调制电流噪声对TDLAS气体检测影响的研究[J].仪表技术与传感器.2016
[4].光宣亮,吴文贤,李立.浅析电流噪声的抑制[J].日用电器.2016
[5].王党会,许天旱,王荣,雒设计,姚婷珍.InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征[J].物理学报.2015
[6].李键,魏克新,梁斌.基于电流噪声源模型的EMI滤波器设计[J].电源技术.2014
[7].贾晓菲,何亮.实际纳米MOSFET电流噪声及其相关特性分析[J].中国科学:物理学力学天文学.2014
[8].唐冬和,杜磊,王婷岚,陈华,贾晓菲.纳米器件电流噪声的散射理论统一模型研究[J].物理学报.2011
[9].陈文豪,杜磊,包军林,刘林,陈华.固定电阻器电流噪声系数测试标准研究[C].中国电子学会第十六届电子元件学术年会论文集.2010
[10].王骁男,王金涛,付洁,李劲松,张晓来.可编程逻辑器件驱动电流噪声影响分析[J].国外电子测量技术.2010