导读:本文包含了多位翻转论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:重离子辐照,静态随机存储器,错误检查和纠正,伪多位翻转
多位翻转论文文献综述
王斌,刘杰,刘天奇,习凯,叶兵[1]（2018）在《重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究》一文中研究指出为了提高纠错编码(ECC)的有效性,先进的静态随机存储器(SRAM)多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转(MCU)变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转(FMBU)"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。(本文来源于《原子核物理评论》期刊2018年01期）
李丽丽,汪栋,刘夏杰,吕永红,李坤锋[2]（2018）在《65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究》一文中研究指出利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2018年07期）
蔡莉,刘建成,李丽丽,史淑廷,郭刚[3]（2016）在《温度对叁阱结构SRAM多位翻转的影响》一文中研究指出在213-450 K温度范围内使用Ge离子辐照国防科技大学65 nm SMIC65LL叁阱工艺SRAM,研究了温度对其多位翻转的影响。表1列出了器件写全1时测得的纵向翻转次数,表2列出了器件写全0时测得的纵向翻转次数。从表1、2中可看出,随着温度的升高,器件纵向发生多位翻转的次数增加,且出现了十几位同时翻转,这是由于阱电势坍塌导致的,且随着温度的升高,阱电势坍塌现象加剧。(本文来源于《中国原子能科学研究院年报》期刊2016年00期）
罗尹虹,张凤祁,郭红霞,郭晓强,赵雯[4]（2015）在《纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究》一文中研究指出器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,单粒子多位翻转百分比和多样性增加,质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关.采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器,从次级粒子的能量和角度分布出发,揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因.质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素.质子能量越小,多位翻转截面角度增强效应越大;临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应.(本文来源于《物理学报》期刊2015年21期）
李晓花,王雅云,于锋,丁传红[5]（2015）在《星载计算机SRAM抗单粒子多位翻转技术》一文中研究指出为提高传统纠检错(error detection and correction,EDAC)模块对星载SRAM中单粒子多位翻转(multiple bit upsets,MBU)的纠错率,提出一种能同时纠正多比特位翻转的技术,称为数据交错技术。参照版图交错法的原理,在FPGA的软件设计等级实现数据的交错存储,将单粒子的多位翻转分离后,分别通过EDAC模块纠正。仿真结果表明,该数据交错技术与(12,8)汉明码及(21,16)汉明码结合后,可将传统EDAC模块对单粒子引起的两位及叁位翻转的纠错率从53.69%及28.91%提升至99.82%,以较低代价,实现了MBU大部分翻转形式的纠正。(本文来源于《计算机工程与设计》期刊2015年06期）
封国强,姜昱光,朱翔,韩建伟[6]（2014）在《脉冲激光和重离子辐照FPGA产生的多位翻转效应的比较》一文中研究指出以SRAM型FPGA为试验对象,研究脉冲激光模拟重离子产生单粒子多位翻转效应的可行性。FPGA的多位翻转依据其物理位置关系的不同分为3种类型:同帧同字节、同帧相邻字节和相邻帧。针对Virtex-ⅡFPGA分别进行脉冲激光与重离子的单粒子多位翻转效应的测试,对比脉冲激光和重离子在Virtex-ⅡFPGA产生多位翻转的类型、多位翻转的物理位置关系。结果表明,脉冲激光触发的Virtex-ⅡFPGA的多位翻转物理位置关系与重离子相同,对比脉冲激光与重离子的饱和翻转截面发现,应用脉冲激光和重离子得到的Virtex-Ⅱ饱和翻转截面基本一致,表明脉冲激光可模拟重离子研究Virtex-ⅡFPGA的多位翻转效应。(本文来源于《北京核学会第十届（2014年）核应用技术学术交流会论文集》期刊2014-11-27）
封国强,姜昱光,朱翔,韩建伟[7]（2014）在《脉冲激光和重离子辐照FPGA产生的多位翻转效应的比较》一文中研究指出以SRAM型FPGA为试验对象,研究脉冲激光模拟重离子产生单粒子多位翻转效应的可行性。FPGA的多位翻转依据其物理位置关系的不同分为3种类型:同帧同字节、同帧相邻字节和相邻帧。针对Virtex-ⅡFPGA分别进行脉冲激光与重离子的单粒子多位翻转效应的测试,对比脉冲激光和重离子在Virtex-ⅡFPGA产生多位翻转的类型、多位翻转的物理位置关系。结果表明,脉冲激光触发的Virtex-ⅡFPGA的多位翻转物理位置关系与重离子相同,对比脉冲激光与重离子的饱和翻转截面发现,应用脉冲激光和重离子得到的Virtex-Ⅱ饱和翻转截面基本一致,表明脉冲激光可模拟重离子研究Virtex-ⅡFPGA的多位翻转效应。(本文来源于《原子能科学技术》期刊2014年S1期）
陈睿,余永涛,上官士鹏,封国强,韩建伟[8]（2014）在《90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理》一文中研究指出基于单粒子效应脉冲激光实验装置,开展了90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器的单粒子翻转和闩锁效应实验,并给出了器件单粒子翻转效应位图.实验发现,器件出现了大量的多位翻转和约20 mA的电源电流脉冲.借助器件仿真工具,揭示了器件发生单粒子多位翻转效应的原因.结果表明,器件局部阵列发生单粒子闩锁效应并传播到多个位单元是诱发多位翻转的主要原因.通过对比分析脉冲激光和器件仿真实验结果,发现P/N阱电势塌陷是导致90 nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器出现单粒子闩锁传播效应的内在物理机制.(本文来源于《物理学报》期刊2014年12期）
张战刚,刘杰,侯明东,孙友梅,苏弘[9]（2014）在《各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究》一文中研究指出重离子实验结果表明,具有高线性能量转移(LET)或大角度入射的快重离子导致静态随机存储器(SRAM)中的多位翻转(MBU)比例增大,甚至超过单位翻转比例。单个离子径迹中的电荷可以沿着径向扩散数个微米,被临近的灵敏区收集后引起MBU。器件灵敏区的各向异性空间布局与离子入射方向共同影响测试器件的MBU图形特征。位线接触点的纵向隔离导致横向型成为主要的两位翻转图形;"L"型和"田"型分别是主要的叁位翻转和四位翻转图形。最后,对SRAM抗MBU加固设计和实验验证方法进行了讨论。(本文来源于《原子核物理评论》期刊2014年02期）
李家强[10]（2014）在《基于正交拉丁码的存储器抗多位翻转设计》一文中研究指出由于集成电路工艺的不断进步，半导体器件尺寸的持续缩小，存储器中相邻存储单元间距离变得越来越近，由一次辐射事件所引发的多位翻转（MultipleBit Upset, MBU）明显增加，MBU将对存储器可靠性产生严重的影响。有效地实现存储器抗多位翻转已经成为SRAM加固技术的研究热点。本文在深入研究不同工艺尺寸存储器中多位翻转特性的基础上，从多位错误修正码和错误修正码构造技术两个角度出发，利用正交拉丁码(OrthogonalLatin Square，OLS)独有的结构与模块性，结合存储器故障安全的设计思想，给出了一套基于正交拉丁码的存储器抗多位翻转加固设计方案。首先，本文基于OLS码的模块性基础上，构造了两种编码。一种是具有纠正多位翻转能力的OLS码；另一种是在一位翻转纠正能力的OLS码基础上对其进行结构优化，实现了纠正两位连续翻转的修正码。其次，进行了两种错误修正编码的编码器和译码器设计。然后，利用逻辑预测技术对所设计的编译码器实现了并发错误检测电路设计。最后实现故障安全存储器的整体设计与版图设计。通过建立基于Memory-Compiler存储器模型的存储器多位翻转故障注入平台，实现了对存储器抗多位翻转加固设计的功能验证，并通过建立数学模型，采用存储器平均失效时间(Mean Time to Failure, MTTF)作为指标对加固的存储器进行可靠性评估，分别在SMIC180nm和SMIC90nm工艺条件下对加固电路进行综合与芯片的版图设计。实验结果表明，本文所提出的基于OLS码的存储器抗多位翻转设计可以很好地抗不同工艺存储器中的多位翻转，同时其性能指标与同类编码相比具有明显优势。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2014-06-01）
多位翻转论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,MCU)类型、位置、事件数与器件结构布局相结合对单粒子翻转(single-event upset,SEU)的截面、MCU机理进行深入分析。结果表明,微束束斑小且均匀性好,不存在离子入射外围电路的情况;NMOS晶体管引发的MCU与总SEU事件比值高达32%,NMOS晶体管间的电荷共享不可忽略;实验未测得PMOS晶体管引发的MCU,高密度阱接触能有效抑制PMOS晶体管间的电荷共享;减小晶体管漏极与N阱/P阱界面的间距能降低SRAM器件SEU发生概率;减小存储单元内同类晶体管漏极间距、增大存储单元间同类晶体管漏极间距,可减弱电荷共享,从而减小SRAM器件MCU发生概率。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多位翻转论文参考文献
[1].王斌,刘杰,刘天奇,习凯,叶兵.重离子辐照带有ECC的65nmSRAM器件“伪多位翻转”特性研究[J].原子核物理评论.2018
[2].李丽丽,汪栋,刘夏杰,吕永红,李坤锋.65nm双阱CMOS静态随机存储器多位翻转微束及宽束实验研究[J].原子能科学技术.2018
[3].蔡莉,刘建成,李丽丽,史淑廷,郭刚.温度对叁阱结构SRAM多位翻转的影响[J].中国原子能科学研究院年报.2016
[4].罗尹虹,张凤祁,郭红霞,郭晓强,赵雯.纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究[J].物理学报.2015
[5].李晓花,王雅云,于锋,丁传红.星载计算机SRAM抗单粒子多位翻转技术[J].计算机工程与设计.2015
[6].封国强,姜昱光,朱翔,韩建伟.脉冲激光和重离子辐照FPGA产生的多位翻转效应的比较[C].北京核学会第十届（2014年）核应用技术学术交流会论文集.2014
[7].封国强,姜昱光,朱翔,韩建伟.脉冲激光和重离子辐照FPGA产生的多位翻转效应的比较[J].原子能科学技术.2014
[8].陈睿,余永涛,上官士鹏,封国强,韩建伟.90nm互补金属氧化物半导体静态随机存储器局部单粒子闩锁传播效应诱发多位翻转的机理[J].物理学报.2014
[9].张战刚,刘杰,侯明东,孙友梅,苏弘.各向异性静态随机存储器中的多位翻转分析研究[J].原子核物理评论.2014
[10].李家强.基于正交拉丁码的存储器抗多位翻转设计[D].哈尔滨工业大学.2014