导读:本文包含了开关隔离度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:Ka波段,单刀双掷开关,高隔离度,CMOS
开关隔离度论文文献综述
刘超,李强,熊永忠[1]（2016）在《CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计》一文中研究指出提出了应用0.13μm CMOS工艺设计的具有高隔离度的Ka波段单刀双掷(Single Pole Double Throw,SPDT)开关。测试结果显示,在Ka波段此单片开关插损为2.7~3.7 d B,在35 GHz时测得的输入1dB压缩点(P_(-1dB))为8d Bm。通过使用并联NMOS晶体管的拓扑结构并且使用高Q值的匹配网络,测得的开关在30~45 GHz有33~51 d B的隔离度。此Ka波段单刀双掷开关芯片的核心面积(die)仅仅为160×180μm2。(本文来源于《电子技术应用》期刊2016年04期）
刘俊辉,贾庆忠,单家元[2]（2016）在《导引头隔离度对开关控制制导回路稳定性的影响》一文中研究指出为研究导引头隔离度寄生回路对开关控制制导回路稳定性的影响,首先应用回路等价变换原理统一了动力陀螺式和速率陀螺式导引头模型;然后,为分析开关系统稳定性,建立了含有隔离度寄生回路的开关控制制导回路等效Lure’模型;对比得出描述函数法在系统稳定保守性和稳定性趋势预测方面优于Popov稳定性理论和仿真方法,因此提出应用描述函数法对寄生回路稳定性进行分析。分析了在不同飞行器参数和调制器参数下导线和摩擦干扰力矩对寄生回路稳定域的影响。进一步,针对不稳定寄生回路提出了采用滞后校正网络来改善系统稳定性,改善后的制导回路仿真结果表明在外界干扰作用下,回路中不会再出现极限环,避免了脉冲喷管的"正反开";飞行器机动跟踪目标时,保证制导精度基本不变的情况下,节省了燃料。(本文来源于《宇航学报》期刊2016年03期）
[3]（2016）在《汉天下推出全系列LTE高隔离度、低插损SOI射频开关》一文中研究指出近日,汉天下电子宣布推出HS87系列LTE射频天线开关,该系列开关均采用先进的SOI(绝缘衬底上的硅,Silicon-On-Insulator)工艺,具有低插损、高隔离度、高功率等优点。该系列开关品种齐全、性能优异、射频方案配置灵活,产品线涵盖3G/4G单刀多掷开关,支持3G/4G单刀叁/四/五/六/八掷分集接收开关,与汉天下的3G/4G射频前端模块组成支持多模多频的射频前端方案,能够适应全球不同地区LTE频段的需求。(本文来源于《中国集成电路》期刊2016年Z1期）
凌源,鲍景富,李昕熠,黄裕霖,寇波[4]（2013）在《高隔离度阶跃结构MEMS开关的设计》一文中研究指出针对MEMS开关提高电容比需要提高驱动电压的问题,提出了一种应用于Ku频段的阶跃结构MEMS开关,该结构结合了固支梁开关和悬臂梁开关,使得开关有两个驱动高度。当固支梁被吸合时,悬臂梁高度会随之降低,在增加开关电容比的同时降低了驱动电压。利用开关悬臂梁引入的电感,将开关闭合态LCd谐振点设计在14.5 GHz,使得开关在Ku频段的隔离度尤为优异。使用ANSYS和HFSS软件进行模拟,结果显示所设计开关驱动电压小于32 V,关态和开态电容比达到280,12～18 GHz的隔离度大于37 dB,插入损耗低于0.23 dB,回波损耗高于-17 dB。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2013年10期）
苏黎明,杨洪文,刘宇辙,孙征宇,阎跃鹏[5]（2013）在《封装的DC～4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文)》一文中研究指出描述了一种基于台湾稳懋(WIN)半导体公司商用0.5μm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺的高隔离度吸收式单刀双掷射频开关芯片的设计。设计中使用两级串并结构提高隔离度,加入了吸收电阻减小关断状态下输出端的回波损耗。该芯片采用单电源5 V正压控制,具有使能控制端和全关状态,且控制电平与TTL/CMOS输出电平相兼容。芯片采用8引脚微型小外形封装(MSOP8)形式进行封装,设计中通过叁维电磁仿真工具HFSS分析了由封装引入的寄生参数的影响,并提取π型网络进行等效建模。该开关工作在DC～4 GHz频段插入损耗小于1.5 dB,隔离度高于45 dB。仿真结果与实测结果基本一致。(本文来源于《半导体技术》期刊2013年06期）
杨小峰,郝跃[6]（2013）在《一种高隔离度低损耗CMOS射频收发开关设计方法》一文中研究指出本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计的收发开关,模拟结果表明谐振频率工作点的插入损耗为1.03dB,收发端隔离39.277dB,输入1dB压缩点(P1dB)功率26.28dBm。(本文来源于《电路与系统学报》期刊2013年02期）
陈虹吉[7]（2012）在《基于PIN二极管的大功率、超宽带、高隔离度微波多掷开关研究》一文中研究指出在微波通信系统中，PIN开关是一种主流的微波半导体控制器件，受装配工艺的限制，承受功率大、隔离度高以及超宽的工作频带是开关电路设计的主要方向。是否能够对PIN开关的电路建立准确的仿真模型是开关设计的关键，而要实现准确仿真就必须对影响开关电路性能的串联谐振、耦合等因素进行准确分析。论文简要介绍了PIN二极管和开关的基本理论，并对开关电路中存在的各种非线性因素进行分析，同时提出了在开关电路中抑制这些因素的方法。随后，对电路模型采取二、叁维联合仿真的方法，详细的介绍了利用ADS、HFSS等仿真软件对宽频带开关电路进行仿真优化的设计流程。并根据所建电路模型，实现了一种高功率、超宽带、高隔离度SP4T PIN开关，开关实测结果表明:在4-18GHz工作频带内插损≤3dB,隔离度＞70dB，驻波＜1.8，开关延迟时间≤120nS,指标达到论文要求。文中将详细描述开关的组装测试过程，给出实际测试结果。论文中还将以SP4T PIN开关为例简要介绍两种不同组成结构的4×4开关矩阵及其应用。(本文来源于《电子科技大学》期刊2012-04-01）
王玉章,田殷,王正伟,来晋明,羊恺[8]（2011）在《宽带小型化高隔离度SPDT开关的研制》一文中研究指出微波开关是微波控制电路中的基本部件,是实现在各种恶劣环境和特定的空间内将微波信号进行切换的特定功能元件,它在雷达、电子对抗、微波通信、卫星通信以及微波测量等方面有着广泛的应用。在此通过合理的电路布局和结构设计,结合微组装工艺,实现了在3~12 GHz范围内,插入损耗小于3.2 dB,隔离度大于70 dB,整体尺寸小于20 mm×15 mm×10 mm的一种宽带小型化SPDT开关。(本文来源于《现代电子技术》期刊2011年02期）
田亮,陈磊,周进,黄爱波,赖宗声[9]（2009）在《低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究》一文中研究指出基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真,在频率为2.4GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。(本文来源于《微电子学》期刊2009年05期）
孙建海,崔大付,张璐璐[10]（2009）在《高隔离度宽频段组合式RF-MEMS开关的设计》一文中研究指出接触式与电容耦合式两类RFMEMS开关各自在一定的频段内,都具有较高的隔离度,但仍然很难满足微波控制系统中对高隔离度的要求。为了获得全波段高隔离度RFMEMS开关,单元开关很难达到要求,在此目标要求下,提出了组合式RFMEMS开关的设计,分别利用HFSS软件对各单元进行结构参数优化,再将两者集成在一起,得到的组合式RFMEMS开关,这种组合式开关在0～20GHz时隔离度都高于-60dB,在(≤5GHz),隔离度高于-70dB,这是一般单元开关及其他半导体固态开关所无法企及的,而且,在DC～20GHz范围内,开关的插入损耗小于-0.20dB,而且并没因隔离度的提高,牺牲了插入损耗。(本文来源于《半导体技术》期刊2009年03期）
开关隔离度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
为研究导引头隔离度寄生回路对开关控制制导回路稳定性的影响,首先应用回路等价变换原理统一了动力陀螺式和速率陀螺式导引头模型;然后,为分析开关系统稳定性,建立了含有隔离度寄生回路的开关控制制导回路等效Lure’模型;对比得出描述函数法在系统稳定保守性和稳定性趋势预测方面优于Popov稳定性理论和仿真方法,因此提出应用描述函数法对寄生回路稳定性进行分析。分析了在不同飞行器参数和调制器参数下导线和摩擦干扰力矩对寄生回路稳定域的影响。进一步,针对不稳定寄生回路提出了采用滞后校正网络来改善系统稳定性,改善后的制导回路仿真结果表明在外界干扰作用下,回路中不会再出现极限环,避免了脉冲喷管的"正反开";飞行器机动跟踪目标时,保证制导精度基本不变的情况下,节省了燃料。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
开关隔离度论文参考文献
[1].刘超,李强,熊永忠.CMOS单片高隔离度Ka波段单刀双掷开关的设计[J].电子技术应用.2016
[2].刘俊辉,贾庆忠,单家元.导引头隔离度对开关控制制导回路稳定性的影响[J].宇航学报.2016
[3]..汉天下推出全系列LTE高隔离度、低插损SOI射频开关[J].中国集成电路.2016
[4].凌源,鲍景富,李昕熠,黄裕霖,寇波.高隔离度阶跃结构MEMS开关的设计[J].微纳电子技术.2013
[5].苏黎明,杨洪文,刘宇辙,孙征宇,阎跃鹏.封装的DC～4GHz高隔离度吸收式单刀双掷开关(英文)[J].半导体技术.2013
[6].杨小峰,郝跃.一种高隔离度低损耗CMOS射频收发开关设计方法[J].电路与系统学报.2013
[7].陈虹吉.基于PIN二极管的大功率、超宽带、高隔离度微波多掷开关研究[D].电子科技大学.2012
[8].王玉章,田殷,王正伟,来晋明,羊恺.宽带小型化高隔离度SPDT开关的研制[J].现代电子技术.2011
[9].田亮,陈磊,周进,黄爱波,赖宗声.低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究[J].微电子学.2009
[10].孙建海,崔大付,张璐璐.高隔离度宽频段组合式RF-MEMS开关的设计[J].半导体技术.2009