导读:本文包含了电容耦合放电论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:等离子体,甲基丙烯酸甲酯,表面改性,牛血清蛋白
电容耦合放电论文文献综述
隋思源,倪国华,谢洪兵,林启富,赵彦君[1]（2019）在《不同气氛低气压电容耦合放电等离子体对聚甲基丙烯酸甲酯表面的改性》一文中研究指出利用低气压电容耦合放电等离子体对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)表面进行亲水改性,对比分析了Ar、N_2、Air和O_2四种等离子体放电气体和不同放电功率对其表面的影响。采用静态接触角、原子力显微镜、X射线光电子能谱分别对PMMA表面亲水性、粗糙程度以及元素和官能团的组成进行了表征。以牛血清蛋白作为标准蛋白,检测处理后PMMA表面蛋白吸附量。结果表明,经等离子体处理后的PMMA表面亲水性和抗蛋白性能均有不同程度的改善,其中Ar等离子体主要起刻蚀的作用,N_2、Air和O_2等离子体在对PMMA刻蚀的同时,接枝的官能团对其表面性能的改变起到主导作用。当等离子体放电功率较低时,增加功率可以显着提高表面亲水性,且亲水性能的提高带动抗蛋白性能的增强。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2019年08期）
杨东,熊婧江[2]（2018）在《基于80pF电容耦合器的发电机定子局部放电在线监测技术研究及其应用》一文中研究指出近年来,局部放电在线监测已成为监测大型发电机定子绝缘的有效技术和工具。局部放电在线监测能对发电机定子绝缘进行实时分析和诊断,根据诊断结果安排机组维护和检修工作。本文系统介绍了发电机定子局部放电在线监测方法、测试数据的解读以及采取的相应对策。(本文来源于《水电与抽水蓄能》期刊2018年03期）
王宇天,张百灵,李益文,樊昊,高岭[3]（2016）在《基于均匀模型的低气压电容耦合射频放电特性研究》一文中研究指出针对磁流体流动控制技术对大体积、均匀放电等离子体的需要,开展了低气压下平板型电容耦合放电特性实验研究,并基于均匀射频放电模型,联立能量平衡方程建立诊断模型对等离子体参数进行诊断。结果表明:气压较低时,放电为α模式,整个放电空间发光较为均匀,当气压大于500 Pa时,放电转变为γ模式,在电极附近出现负辉光区,但负辉光区较厚占据了整个放电空间,随着气压增大,负辉光区、法拉第暗区厚度减小,并在放电区域中心出现明显正柱区,正柱区面积随负载功率的增大而增大;放电为γ模式时,电流将随负载功率增大而增大,而电压先不变后增大,并且转折点负载功率随着气压增大而增大;电子数密度ne随负载功率的增大线性增大,而电子温度T_e只是略有增大,约为5500 K(0.47 e V)。(本文来源于《真空科学与技术学报》期刊2016年07期）
蒙绍新,王昱力,夏荣,杨丹[4]（2015）在《电容耦合法电缆局部放电带电检测的在线校正》一文中研究指出为建立高压电缆高频局部放电带电检测现场在线校正方法,基于高压电缆绝缘接头外置式电容耦合局部放电检测校正回路等效电路模型,通过电缆模拟接头与真型接头的校正试验,分析了带电检测的在线校正与离线校正方法的等效关系及其影响因素;结合实际运行线路超高压电缆接头上的电容耦合法校正比对试验,提出了电容耦合法局部放电带电检测的现场在线校正与灵敏度评估方案。研究结果表明,在线与离线校正等效系数为接头绝缘法兰两侧等效电容与信号注入侧接头等效电容之比,与检测回路阻抗及旁路杂散电容无关;绝缘接头中的局部放电量受接头绝缘法兰两侧等效电容分流及杂散电容影响,现场检测灵敏度为在线校正注入中的最小可检出信号与校正等效系数之积;现场带电检测与校正中,检测用电容耦合传感器的电容值应≥500 p F,并应尽可能接近绝缘环两侧,校正用电容耦合传感器应安装在检测电容外部两侧、且具有良好对称性结构的位置以减少校正误差。(本文来源于《高电压技术》期刊2015年11期）
黄朔[5]（2014）在《基于质点网格/蒙特卡洛算法的单频与双频电容耦合氯气放电分析》一文中研究指出氯气放电被广泛应用于刻蚀半导体和金属材料。在本课题中，我们首先开发并验证了针对电容耦合氯气放电的一维仿真程序oopd1。该仿真程序基于质点网格/蒙特卡洛算法，并且包含了目前为止最为全面的反应组及相关碰撞截面参数。然后，该程序被用于研究典型的电容耦合氯气放电。准确地说，我们在这里采用了一种混合方法来研究氯气放电，该混合方法包括本研究中开发的质点网格/蒙特卡洛仿真程序以及之前已经开发的氯气放电全局模型程序。我们对单频放电和双频放电两种模式都进行了较为系统地研究。在研究单频放电时，我们对两种驱动方式（电流驱动和电压驱动）都进行了研究。我们重点研究了控制参数，包括气体气压、驱动电流、电源频率和二次电子发射系数等，对放电的影响。气体气压的变化范围为5到100mTorr，驱动电流的变化范围为20到80A/m2,电源频率的变化范围为13.56到60MHz，二次电子发射系数的变化范围为0.0到0.4。我们对放电的关键参数，包括离子浓度、电子加热速率、等效电子温度、电子能量概率函数（EEPF）、Cl+2和Cl+离子的离子能量分布（IED）和离子角分布（IAD）等，随控制参数的变化进行了详细地研究。随着气体气压从5mTorr增加到100mTorr，电子的加热机制从随机和欧姆加热较为相当变为由欧姆加热主导，同时，在高气压时电子加热速率超过离子加热速率。主等离子体区的Cl+2和Cl‐离子浓度分布随气压升高而变得平坦。鞘层区域中Cl+离子的产生主要是通过Cl+2离子与Cl原子之间的非共振电荷转移，而在主等离子体区中Cl+离子的产生则主要是通过电子撞击Cl原子发生的电离反应。随着驱动电流的增加，放电中心处的EEPF由Druyvesteyn分布先变为麦克斯韦分布，继而变为双麦克斯韦分布。该变化是由鞘层中增强的电子随机加热和主等离子体区中减弱的欧姆加热造成的。在保证吸收功率不变的情况下提高电源频率，等离子体中的位移电流增加，为保持功率不变，放电电压下降。因此，鞘层平均电势降低，导致了Cl+2和Cl+的IEDs均向低能方向移动而其IADs则均向较大角度的区域延伸。二次电子发射对放电的影响只表现在对电子加热速率和EEPF的影响上，其对IED、IAD和中性粒子的能量分布等参数几乎没有影响。在研究单频放电的基础上，我们通过增加一个低频电源从而使单频放电变为复杂的双频放电模式。随着低频电流从0增加到4A/m2，到达极板表面的Cl+2离子通量仅有少量增加，而到达极板表面的Cl+2离子的平均能量则随低频电流的增加几乎线性增加，从而说明在一定参数范围内可以通过调节低频电流来独立地控制Cl+2离子的通量和能量。然而，Cl+离子的通量和能量均随低频电流的增加而增加，这对于Cl+离子的通量和能量的独立控制是不利的。此外，二次电子发射在双频放电中产生的影响要大于在单频放电中产生的影响。这一现象是由双频放电中加入的低频电源造成的。双频放电中Cl+2和Cl+离子的IEDs和IADs在材料处理过程中非常重要。由于离子穿越鞘层到达极板表面的渡越时间低于低频电源的周期，离子会对鞘层中的瞬时电场产生响应，从而导致了极板表面处IED的双峰分布。当穿越鞘层时，Cl+离子经历的碰撞多于Cl++2离子。极板表面处Cl2和Cl+的IADs几乎为各向异性分布。然而，Cl+的IAD在2°到5°处有一个副峰，这是由解电离反应导致的。(本文来源于《上海交通大学》期刊2014-03-01）
彭庆军,司马文霞,杨庆,袁涛,刘兴华[6]（2012）在《He-O_2高气压下电容耦合辉光放电数值分析》一文中研究指出采用一维的等离子体流体力学模型研究了氦气-氧气高气压下电容耦合放电过程。分别给出了间隙为1.6,2.4和3.2mm时外加电压的有效值与放电电流有效值特征曲线,并与已有的实验数据作对比,结果表明计算得到的电压-电流特征曲线与实验数据符合得很好。研究发现:氦气-氧气高气压下电容耦合放电过程中荷质比较大的离子在鞘层中的分布随着外电场的变化而变化,而荷质比较小的粒子在整个放电区域基本不随外电场变化而变化;同时杂质形成正负离子在主等离子体区域两端出现了峰值。(本文来源于《强激光与粒子束》期刊2012年12期）
陈明明,袁宁一,丁建宁,赵亚芝[7]（2012）在《电容耦合等离子体化学气相沉积系统二维射频放电及薄膜制备工艺的研究》一文中研究指出通过建立二维自适应模型,对等离子体化学气相沉积系统反应室中SiH4/H2在射频辉光放电条件下的多物理场进行仿真模拟,模拟结果显示:当射频功率和硅烷体积分数增大时,极板间电子密度增大,薄膜沉积速率也随之加快,但沉积的均匀性变差。结合利用该PECVD设备制备的薄膜微结构和沉积速率测试结果,得出射频功率为80W,SiH4体积分数为1%时,薄膜的平均晶粒大小和晶化率最大,薄膜沉积速率较快且均匀性较好。(本文来源于《常州大学学报(自然科学版)》期刊2012年02期）
姜芸,闵虹,夏荣,李文杰[8]（2010）在《高压交联电缆接头局部放电的电容耦合法检测及分析》一文中研究指出为研究110kV交联电缆接内部绝缘缺陷的局部放电(partial discharge,PD)特性,设计并构造了5种典型绝缘缺陷,通过建立电缆接头局放试验研究平台,采用电容耦合法获取不同绝缘缺陷下的放电信号,构造出叁维PRPD(phase resolved partial discharge)谱图表征缺陷放电状态,并采用单次放电脉冲时域波形的3、4阶特征参量萃取放电特性进行分析。研究试验结果显示,电容耦合法检测法可有效检测出电缆接头内部缺陷引起的局放,且不影响电缆接头及本体的绝缘性能;所构建的5种典型缺陷在工频电压激励下,放电脉冲序列在放电区间、放电重复率等统计特征有很大的不同,用时域波形的3、4阶特征参量所描述的放电特性也存在很大差异。这些特征可用作放电类型识别的依据。(本文来源于《高电压技术》期刊2010年08期）
胡佳,徐轶君,叶超[9]（2010）在《CHF_3双频电容耦合放电等离子体特性研究》一文中研究指出研究了用于SiCOH低介电常数薄膜刻蚀的CHF3气体在13.56MHz/2MHz,27.12MHz/2MHz和60MHz/2MHz双频电容耦合放电时的等离子体性质.发现2MHz低频源功率的增大主要导致F基团密度的增大;而高频频率从13.56,27.12增大到60MHz,导致CF2基团的密度增大和电极之间F基团密度的轴向空间不均匀性增加.根据电子温度的分布规律及离子能量随高频源频率的变化关系,提出CF2基团的产生主要通过电子-中性气体碰撞,而F基团的产生是离子-中性气体碰撞的结果.(本文来源于《物理学报》期刊2010年04期）
张征平,喇元,刘炜,杨楚明,徐阳[10]（2009）在《基于双电容耦合的发电机局部放电离线式测量新方法》一文中研究指出对发电机绝缘局部放电量的测量是考核其绝缘状况的重要手段,但传统的测量方法由于受到试验现场的强电磁干扰,常常无法进行有效的测量,因而难以对发电机的绝缘状况做出准确的判断。本文提出了一种基于双电容耦合的发电机局部放电离线式测量新方法,通过设计两个电容的耦合性能及其传递过来的信号时差关系,可以有效地将发电机外的放电信号以及其他各类干扰信号予以消除,因而具有很强的抗干扰能力。现场的实际试验表明,该方法不仅使发电机的局部放电测量易于进行,还大大提高了发电机局部放电测量的准确度。(本文来源于《大电机技术》期刊2009年06期）
电容耦合放电论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
近年来,局部放电在线监测已成为监测大型发电机定子绝缘的有效技术和工具。局部放电在线监测能对发电机定子绝缘进行实时分析和诊断,根据诊断结果安排机组维护和检修工作。本文系统介绍了发电机定子局部放电在线监测方法、测试数据的解读以及采取的相应对策。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
电容耦合放电论文参考文献
[1].隋思源,倪国华,谢洪兵,林启富,赵彦君.不同气氛低气压电容耦合放电等离子体对聚甲基丙烯酸甲酯表面的改性[J].真空科学与技术学报.2019
[2].杨东,熊婧江.基于80pF电容耦合器的发电机定子局部放电在线监测技术研究及其应用[J].水电与抽水蓄能.2018
[3].王宇天,张百灵,李益文,樊昊,高岭.基于均匀模型的低气压电容耦合射频放电特性研究[J].真空科学与技术学报.2016
[4].蒙绍新,王昱力,夏荣,杨丹.电容耦合法电缆局部放电带电检测的在线校正[J].高电压技术.2015
[5].黄朔.基于质点网格/蒙特卡洛算法的单频与双频电容耦合氯气放电分析[D].上海交通大学.2014
[6].彭庆军,司马文霞,杨庆,袁涛,刘兴华.He-O_2高气压下电容耦合辉光放电数值分析[J].强激光与粒子束.2012
[7].陈明明,袁宁一,丁建宁,赵亚芝.电容耦合等离子体化学气相沉积系统二维射频放电及薄膜制备工艺的研究[J].常州大学学报(自然科学版).2012
[8].姜芸,闵虹,夏荣,李文杰.高压交联电缆接头局部放电的电容耦合法检测及分析[J].高电压技术.2010
[9].胡佳,徐轶君,叶超.CHF_3双频电容耦合放电等离子体特性研究[J].物理学报.2010
[10].张征平,喇元,刘炜,杨楚明,徐阳.基于双电容耦合的发电机局部放电离线式测量新方法[J].大电机技术.2009