导读:本文包含了铝镓氮论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铝镓氮外延膜,MOCVD,高分辨X射线衍射,晶格常数
铝镓氮论文文献综述
王雪蓉,刘运传,孟祥艳,周燕萍,王康[1]（2016）在《蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析》一文中研究指出采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同Al组分含量的2μm厚Al_xGa_(1-x)N外延膜,通过透射电镜定性分析了外延膜中的位错和缺陷,通过高分辨X射线衍射试验对Al_xGa_(1-x)N外延膜进行ω/2θ扫描,结果显示外延膜为六方晶系纤锌矿结构,通过对对称面和非对称面的晶面间距进行修正精确计算了外延膜晶格常数,并由此对应变进行定量分析,四个不同Al组分的Al_xGa_(1-x)N外延膜样品的四方畸变值随Al含量的增大而逐渐减小,并且均小于零,在水平方向上均处于压应变状态。(本文来源于《半导体光电》期刊2016年04期）
邵江华[2]（2015）在《贯穿位错对铝镓氮/氮化镓光学及电子器件性能的影响》一文中研究指出氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。(本文来源于《电子技术与软件工程》期刊2015年16期）
刘运传,王雪蓉,孟祥艳,周燕萍,段剑[3]（2013）在《分光光度法测量铝镓氮外延片中的铝含量》一文中研究指出采用熔融的氢氧化钠刻蚀在蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延层,用深紫外光致发光光谱仪测量铝镓氮的荧光光谱来控制铝镓氮层的刻蚀深度,用盐酸将含铝氢氧化钠中和并调节至酸性(pH1~2)后转移至250 mL的容量瓶内定容,用铬天青S络合显色,用分光光度计在546 nm处测定吸光度来确定铝的浓度。该法测量结果的相对标准偏差为1.1%(n=5),加铝标准溶液做回收试验,回收率为96%~103%。该法可用于铝镓氮外延片中铝含量的准确测量。(本文来源于《化学分析计量》期刊2013年04期）
石侃州[4]（2013）在《铝镓氮材料的制备及其光电性能的研究》一文中研究指出半导体纳米材料是当今材料学研究最重要的一部分,其优异的特性决定了它巨大的发展潜力。以Ⅲ-Ⅴ族化合物材料为代表的第叁代半导体材料,具有直接带隙、高电子迁移率和高热导率、稳定的物理和化学性质使其成为各国科研人员研究的热点。AlxGa1-xN作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,其禁带宽度可以在3.4eV(GaN)到6.2eV(AlN)范围之间连续可调,截止波长可覆盖200nm-365nm波段范围,是制作紫外发光二极管(LED)和紫外探测器的理想材料[1]。本文在基于溶胶-凝胶法和高温氨化法两步法基础上,分别选取硝酸镓为镓源,硝酸铝和氯化铝为铝源,氨气为氮源,柠檬酸为络合剂,通过添加适量的催化剂和改变实验工艺条件,制备出AlxGa1-xN(0≤x≤1)。对于所制备出的样品,用XRD分析、SEM分析测试其成分、结构和表面形貌,用PL谱分析、椭圆偏振光谱分析测试其光致发光和光学特性,用HaLL分析测试其电学特性,结果表明制备出了GaN、AlN、AlxGa1-xN(0≤x≤1)薄膜材料和GaN纳米棒,并研究了其光学和电学性质的变化差异。采用第一性原理的密度泛函理论,用CASTEP软件包建立AlxGa1-xN(x=0.5)结构模型并进行计算分析,研究当引入单原子缺陷时其能带结构和电子态密度的影响,分析了其光电学性能随x的变化规律,结果与实验数据趋势一致,进一步证明了实验制备出的材料性能是可靠的。(本文来源于《西北大学》期刊2013-06-30）
王京,王如志,赵维,陈建,王波[5]（2013）在《硅掺杂铝镓氮薄膜场发射性能研究》一文中研究指出利用脉冲激光沉积,分别制备了一系列不同Si掺杂浓度的铝镓氮(AlGaN)薄膜.对此薄膜进行场致电子发射测试表明,Si掺杂浓度为1%的AlGaN薄膜具有最好的场发射特性.相对于非掺杂样品,其场发射电流明显增加,场发射开启电场显着降低.掺杂带来载流子浓度的提升,为场发射提供足够的电子源,使样品的场发射性能提升.但掺杂浓度的进一步提高,薄膜缺陷增加,电子迁移率降低,其薄膜内部电子输运能力降低大于电子浓度的增加对场电子发射的贡献,导致场发射性能开始变差.(本文来源于《物理学报》期刊2013年01期）
曾梦麟[6]（2012）在《铝镓氮电子阻挡层对绿光LED性能影响的研究》一文中研究指出近年来，由于蓝光和绿光氮化镓基发光二极管（GaN基LED）具有发光效率高、节能、寿命长、尺寸小和污染小，极大地激起了人们将之应用于背光源、汽车前灯、通用照明领域的研究兴趣。虽然蓝宝石衬底上氮化镓基发光二极管产业取得了显着发展，但在通用照明领域中，GaN基LED仍然需要更高的发光效率和光输出功率。如何提高GaN基LED发光二极管的发光效率和光输出功率受到了人们的广泛关注。本文采用Veeco K465i型MOCVD设备在2英寸（0001）方向蓝宝石平面衬底上生长氮化镓基绿光外延片，并通过芯片标准工艺制成178×229μm~2的LED芯片，以研究n-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN电子阻挡层对GaN基LED发光效率和发光强度的影响，具体的内容如下：1、研究了在n-GaN与发光复合区之间的n-AlGaN电子阻挡层对LED光电性能的影响。其中在20mA驱动电流下，n-AlGaN在n型区作为电子阻挡层，相对于90nm的n-AlGaN的LED芯片I_v值305.2mcd，100nm和110nm的n-AlGaN的LED芯片I_v值分别提高了5.4%和11.3%；2、研究了在p-GaN与发光复合区之间的p-AlGaN电子阻挡层对LED光电性能的影响。其中在20mA驱动电流下，p-AlGaN在p型区作为电子阻挡层，相对于50nm的p-AlGaN的LED芯片I_v值326.46mcd，55nm和60nm厚p-AlGaN层的绿光LED芯片I_v值分别下降了3.93%和6.88%。上述结果表明，采用经过优化的n-AlGaN电子阻挡层和p-AlGaN电子阻挡层，有助于提高绿光GaN基LED发光效率和光输出功率，并在高效率和大功率GaN基LED领域具有重要的潜在应用价值。(本文来源于《湖南大学》期刊2012-05-02）
王雪蓉,魏莉萍,郑会保,刘运传,孟祥艳[7]（2010）在《利用高分辨X射线衍射技术计算铝镓氮外延膜的晶格参数》一文中研究指出利用高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对在蓝宝石衬底上用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长的Al组分含量为0.63的AlGaN外延膜进行晶格参数的精确计算.通过对Al0.63Ga0.37N的对称晶面和非对称晶面进行ω/2θ扫描,以及对零点误差和晶面间距的修正,能够计算得到六方晶系Al0.63Ga0.37N外延膜的水平晶格常数a和垂直晶格常数c分别为0.31301 nm和0.50596 nm.通过对各种影响因素的分析和校正,可以得出二者的测量偏差分别为0.00001 nm和0.00002 nm.(本文来源于《分析测试技术与仪器》期刊2010年03期）
王峰瀛[8]（2009）在《铝镓氮半导体薄膜制备及场发射性能研究》一文中研究指出本论文针对当前薄膜型场发射冷阴极研究的热点问题——如何提高场发射电流密度并降低阈值电压,分别从厚度、表面以及结构调制的角度,研究各种因素对其场发射性能的影响。一方面旨在通过调制优化器件结构,促进真空微电子器件的应用;另一方面希望通过结构的优化研究场发射的物理机制和规律。研究了薄膜厚度对铝镓氮薄膜(GaN为例)场发射性能的影响。实验表明5nm超薄膜具有非常优异的场发射性能,在设定电流密度为1μA/cm~2时,开启电场仅为0.78V/μm(为目前报道的GaN薄膜场发射最好结果);对普通薄膜而言,同时存在一个场发射最佳膜厚值(本文为20nm)。薄膜厚度对场发射性能的作用,可能是薄膜内部空间电荷密度、有效势垒面积和电子散射叁者共同作用的结果。研究了表面处理对铝镓氮薄膜(AlN为例)场发射性能的影响。经过90min H等离子体处理,薄膜表面粗糙度从1.0nm增大到2.4nm,但电流达到0.1μA/cm~2所需电场从45V/μm增大到71.4 V/μm,场发射性能降低。H等离子体处理饱和了薄膜表面的悬挂键,使禁带中的缺陷能级(带)减少,电子占据态密度变少,减少了电子源的供给,使样品的场发射性能降低。研究了结构调制对场发射性能的影响。首先研究了厚度调制对两层AlN/GaN结构场发射性能的影响,AlN/GaN薄膜开启电场要比单层结构的AlN、GaN薄膜小一个数量级,场发射性能明显优于单层结构。初步探索了成分调制对铝镓氮薄膜场发射性能的影响,制备了Al_(0.3)Ga_(0.7)N复合半导体,发现其具有十分优异的场发射性能。(本文来源于《北京工业大学》期刊2009-05-01）
黎大兵,董逊,黄劲松,刘祥林,徐仲英[9]（2002）在《铟铝镓氮四元合金薄膜的生长和性能研究》一文中研究指出近年来,铟铝镓氮(InLAlGaN)四元合金因其晶格常数和带隙可以独立调节而备受青睐,而生长温度对InAlGaN薄膜质量和性能有很大的影响。本文采用低压金属有机物气相外延,系统研究了不同温度下在蓝宝石衬底上生长InAlGaN四元合金薄膜。在保持金属有机源和氨气流量不变的条件下,改变四元合金的生长温度(800～880℃),得到了不同组分的外延薄膜。除试样2Y02-009外,薄膜中的铟含量随生长温度升高而逐渐降低,对试样2Y02-009中In含量的突变,我们认为主要是由于合金中组分的起伏造成的。在温度低于830℃时,薄膜中的铝含量随铟含量增加而增加;而在温度高于830℃时,Al含量则随生长温度升高而增大。双晶X射线结果表明生长的四元合金为单晶薄膜;常温及变温光致发光谱研究得出:随着生长温度的升高发光峰波长从420 nm到360 nm变化,其发光机制为局域态激子(或载流子)的直接复合发光。(本文来源于《2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集》期刊2002-10-01）
铝镓氮论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
氮化镓薄膜在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等衬底上的异质生长会不可避免的产生高密度的(贯穿)位错(high-density threading dislocation)。本文首先介绍常见的刃型和螺型位错及其表征手段,随之结合国际上的学术研究案例,展开讨论了位错对于氮化镓基器件(如LED和HEMT)的光学性能(非辐射复合)以及电学性能(电荷散射及陷阱能级)的影响机制。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
铝镓氮论文参考文献
[1].王雪蓉,刘运传,孟祥艳,周燕萍,王康.蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析[J].半导体光电.2016
[2].邵江华.贯穿位错对铝镓氮/氮化镓光学及电子器件性能的影响[J].电子技术与软件工程.2015
[3].刘运传,王雪蓉,孟祥艳,周燕萍,段剑.分光光度法测量铝镓氮外延片中的铝含量[J].化学分析计量.2013
[4].石侃州.铝镓氮材料的制备及其光电性能的研究[D].西北大学.2013
[5].王京,王如志,赵维,陈建,王波.硅掺杂铝镓氮薄膜场发射性能研究[J].物理学报.2013
[6].曾梦麟.铝镓氮电子阻挡层对绿光LED性能影响的研究[D].湖南大学.2012
[7].王雪蓉,魏莉萍,郑会保,刘运传,孟祥艳.利用高分辨X射线衍射技术计算铝镓氮外延膜的晶格参数[J].分析测试技术与仪器.2010
[8].王峰瀛.铝镓氮半导体薄膜制备及场发射性能研究[D].北京工业大学.2009
[9].黎大兵,董逊,黄劲松,刘祥林,徐仲英.铟铝镓氮四元合金薄膜的生长和性能研究[C].2002年材料科学与工程新进展（下）——2002年中国材料研讨会论文集.2002