导读:本文包含了瞬态热阻抗论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:绝缘栅双极型晶体管,瞬态热阻抗,光纤测温法
瞬态热阻抗论文文献综述
姚芳,王少杰,陈盛华,李志刚[1]（2016）在《IGBT功率模块瞬态热阻抗测量方法研究》一文中研究指出绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的瞬态热阻抗曲线可表征器件的退化状态,对器件损伤、寿命预测等研究有重大的意义。提出了基于光纤测温法测量瞬态热阻抗的方法,可实时获取器件的准确结温,计算得到的瞬态热阻抗曲线能反映器件的退化状态,更接近器件的实际热阻。分别对用光纤测量法和热敏参数法测得的瞬态热阻抗曲线进行比较,证明了光纤测量方法准确可行。(本文来源于《电力电子技术》期刊2016年09期）
张欣,杨天琦,杨仲江[2]（2014）在《基于瞬态热阻抗的不同电流对MOV芯片散热能力的影响》一文中研究指出设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。实验结果表明,MOV芯片热熔穿过程中,MOV芯片散热能力与通过电流值有关,给出了一种研究MOV芯片热劣化的新方法。(本文来源于《电瓷避雷器》期刊2014年05期）
张欣,行鸿彦,杨天琦,宋晨曦[3]（2014）在《基于瞬态热阻抗模型的氧化锌压敏电阻散热能力研究》一文中研究指出针对交流环境中氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片热熔穿热劣化过程中散热能力的研究对试验依赖性强的问题,在分析MOV芯片散热能力基础上,提出了利用瞬态热阻抗参量表述其散热特性,建立了适用于MOV芯片的瞬态热阻抗模型,研究了片径和热熔穿电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。试验结果表明:热熔穿过程中,MOV芯片散热量除与片径有关外,还与通过电流值有关,是随时间和温度变化的量,并且随着通电时间延长其势垒高度降低同时散热能力增强。试验结果验证了模型的正确性,说明了所建立的瞬态热阻抗模型可定量反映MOV芯片散热能力大小,为研究MOV芯片热熔穿热劣化提供理论依据。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊2014年06期）
李皎明,余岳辉,白铁城,彭昭廉[4]（2001）在《晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究》一文中研究指出系统地阐述了晶闸管的瞬态热阻抗 ,针对晶闸管承受不同的功率脉冲 ,利用不同的计算方法计算瞬态热阻抗值 ,从而确定结温温升 ,并比较了它们的原理、精度及其应用范围。特别是利用了一种新的瞬态热阻抗计算模型 ,当晶闸管承受持续时间极短且周期、占空比均变化的任意波形功率脉冲时 ,它能够比较精确地分析晶闸管的热特性 ,计算半导体结的最大温升(本文来源于《半导体情报》期刊2001年02期）
贾松良,邓志宏,张向民[5]（1994）在《功率VDMOSFET的瞬态热阻抗测量》一文中研究指出介绍了利用ＶＤＭＯＳＦＥＴ的寄生ｐｎ结二极管Ｄｓｄ作为温敏元件来测量功率ＶＤＭＯＳ管热阻抗的方法；给出了温敏参数中温度系数和几类功率ＶＤＭＯＳ管瞬态热阻抗的测量结果；讨论了对热阻抗测量准确度有较大影响的四个因素。其结果，在一定条件下进行的瞬态热阻抗测量可用来监测ＶＤ－ＭＯＳ管的芯片粘接质量和用作功率ＶＤＭＯＳ管的快速热筛选。(本文来源于《电力电子技术》期刊1994年03期）
瞬态热阻抗论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。实验结果表明,MOV芯片热熔穿过程中,MOV芯片散热能力与通过电流值有关,给出了一种研究MOV芯片热劣化的新方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
瞬态热阻抗论文参考文献
[1].姚芳,王少杰,陈盛华,李志刚.IGBT功率模块瞬态热阻抗测量方法研究[J].电力电子技术.2016
[2].张欣,杨天琦,杨仲江.基于瞬态热阻抗的不同电流对MOV芯片散热能力的影响[J].电瓷避雷器.2014
[3].张欣,行鸿彦,杨天琦,宋晨曦.基于瞬态热阻抗模型的氧化锌压敏电阻散热能力研究[J].仪表技术与传感器.2014
[4].李皎明,余岳辉,白铁城,彭昭廉.晶闸管的瞬态热阻抗及其结温温升的研究[J].半导体情报.2001
[5].贾松良,邓志宏,张向民.功率VDMOSFET的瞬态热阻抗测量[J].电力电子技术.1994