导读:本文包含了穿透位错论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:广义螺型位错,半无限楔形裂纹,导电刚性线,纳米夹杂
穿透位错论文文献综述
张艳兵[1]（2014）在《位错与穿透界面裂纹交互作用机理研究》一文中研究指出本文以非均质材料为研究对象，建立了位错、夹杂和穿透夹杂界面裂纹(刚性线)相互干涉的模型，研究了几种不同类型缺陷的交互作用。运用复变函数方法、保角映射技术和镜像方法，获得了弹性材料、压电材料以及压电磁材料中位错、夹杂(纳米尺度夹杂)和裂纹(刚性线)相互干涉一系列问题的封闭形式解或级数形式解，并通过数值结果系统地分析了夹杂尺寸、裂纹形貌、材料常数配比、位错方位以及界面效应等因素对干涉应力场、位错力、位错屏蔽效应、位错发射临界条件等的影响规律。首先，研究了穿透圆形夹杂和纳米尺度圆形夹杂界面的半无限楔形裂纹与附近螺型位错的干涉问题。研究发现，正的螺型位错在裂纹尖端引起负的切应力，部分抵消了远场载荷引起的应力，增强了材料的断裂韧性，屏蔽裂纹扩展。夹杂内的螺型位错最容易从直线裂纹尖端向裂纹正前方发射，负界面应力使屏蔽效应减弱并且增大位错发射的难度，而正界面应力的作用则刚好相反。其次，研究了穿透圆形纳米压电夹杂界面半无限楔形裂纹与尖端附近压电螺型位错的干涉问题。研究发现，纳米压电夹杂中正的压电螺型位错对裂纹的屏蔽效应强于相应弹性材料中螺型位错的屏蔽效应并随夹杂和基体相对剪切模量以及相对压电常数的增大而增强。负界面应力使位错屏蔽效应减弱，正界面应力使位错屏蔽效应增强，考虑界面电位移，则屏蔽效应进一步增强。基体与夹杂相对剪切模量和相对压电常数以及楔形裂纹张角的增大，将会增加位错发射的难度。界面效应的存在亦增大位错发射的难度，且夹杂半径越小，界面效应越强，位错发射越困难。最后，研究了电磁材料中，导电刚性线和压电圆形夹杂垂直相交的混合边界问题。主要分析了远场反平面应力荷载和平面电磁荷载在电磁耦合效应下对耦合场的影响以及各材料参数对刚性线尖端广义应力强度因子和尖端附近螺纹位错的影响规律。研究发现，远场载荷和广义螺型位错引起的应力、电位移以及磁感应强度在刚性线两个尖端和位错点存在奇异值。与周围材料脱开的刚性线和夹杂吸引螺型位错和电势位错而排斥磁势位错，且对电势位错的吸引作用较大。另外，压电夹杂和刚性线在压电磁复合材料中对螺型位错的作用强于在相应弹性材料中的作用。(本文来源于《湖南大学》期刊2014-03-24）
张艳兵,冯慧,方棋洪,刘又文[2]（2013）在《穿透夹杂界面的半无限楔形裂纹尖端螺型位错的发射研究》一文中研究指出研究了穿透圆形夹杂界面的半无限楔形裂纹与裂纹尖端螺型位错的干涉问题.应用复变函数解析延拓技术与奇性主部分析方法,得到了位错位于半圆形夹杂内部时,半无限基体和半圆形夹杂内复势函数的解析解.然后利用保角映射技术得到了穿透圆形夹杂界面的半无限楔形裂纹尖端螺型位错产生的应力场以及作用在位错上的位错力的解析表达式.主要讨论了螺型位错对裂纹的屏蔽效应以及从楔形裂纹尖端发射位错的临界载荷条件.研究结果表明正的螺型位错可以削弱楔形裂纹尖端的应力强度因子,屏蔽裂纹的扩展,屏蔽效应随位错方位角的增大而减小.位错发射所需的无穷远临界应力随发射角的增加而增大,最可能的位错发射角度为零度,直线裂纹尖端位错的发射比楔形裂纹尖端位错的发射更容易,硬基体抑制位错的发射.(本文来源于《固体力学学报》期刊2013年05期）
王明月[3]（2009）在《GaN光致发光谱与穿透位错特性研究》一文中研究指出氮化镓(GaN)是宽禁带直接带隙半导体材料,具有优良的光学和电学性质,在蓝绿到紫外波段的光电子器件和高功率微波器件等领域有着广泛的应用前景。在GaN基光电子器件中,材料中的缺陷和杂质所产生的深能级发光会降低带间辐射复合跃迁的发光效率。在众多有关GaN薄膜光致发光(PL)特性研究的报道中,不同的样品所测的光致发光谱不尽相同,特别是对GaN半导体材料深能级发光的起源,不同文献的解释存在争议。因此,进一步研究GaN的光致发光谱是必要的。本文采用四种不同光源作为激发光源,实验研究了金属有机物汽相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的GaN的光致发光光谱特性。结果发现采用氙灯光源和He-Cd激光器两种连续光作为激发光源时,PL谱中均出现较宽的黄带发光,其中心波长位于550nm附近。而采用YAG激光器和He-Cd激光器两种脉冲光作激发光源时,PL谱中主要出现中心波长位于约365nm的带边发光峰,而未出现黄带发光。结果表明蓝宝石衬底上MOVPE生长GaN薄膜的PL谱中黄带发光特性与激发光源性质有关。这对于进一步研究深能级的起源有一定的参考价值。GaN的深能级发光特别是黄带发光与材料的本生位错缺陷直接相关。GaN通常在蓝宝石衬底上异质外延生长,然而蓝宝石异质外延衬底与GaN之间存在较大的晶格失配,导致GaN外延层中的位错缺陷密度高达108-1010cm-2。延伸到GaN表面的穿透位错(TDs)会形成非辐射复合中心和光散射中心,降低光电子器件发光效率。有文献报道只有纯螺型TDs和混合型TDs才是非辐射复合中心,也有报道部分纯刃型TDs对非平衡少数载流子有一定的非辐射复合作用。总之,人们对穿透位错类型与非辐射复合中心的对应关系尚无统一的认识。因此,研究GaN的穿透位错特性将有助于揭示其深能级发光机理。本论文采用原子力显微镜(AFM)同位观测方法,对MOCVD生长GaN样品标记区域进行表面形貌测试,统计得到每个位错坑的半径和深度在腐蚀前和2次腐蚀后的变化,并根据位错坑的初始位置,结构和腐蚀速率判定各位错对应的类型。结果发现,热磷酸腐蚀后位错坑的半径和深度存在一定对应关系,其中半径大的腐蚀坑的深度也较大,而半径小的腐蚀坑的深度也较小。按半径和深度大小可分为大坑和小坑两类,这两类所占的百分比分别为52.7%和47.3%。小坑在腐蚀前位于GaN自然生长面的台阶面上,为刃位错,而大坑在腐蚀前位于台阶终结处,为混合位错或螺位错。位错坑结构腐蚀前后同位跟踪分析还发现,位错坑的结构随着腐蚀时间而变化,这意味着位错坑结构与位错类型不存在一一对应关系。另外,实验数据显示两种位错坑半径的腐蚀速率几乎都是其深度腐蚀速率的10倍左右,说明GaN在热磷酸腐蚀时的横向腐蚀速率大于其纵向腐蚀速率,这解释了实验观察到的刃位错形成的小腐蚀坑在长时间腐蚀后,因超出AFM所能分辨的范围而“消失”的现象。把80分钟腐蚀后GaN样品的阴极荧光(CL)全色显微图像与扫描电镜(SEM)在同一微区获得的显微图像进行对比分析,分析发现SEM得到的80分钟腐蚀样品的腐蚀坑密度与AFM结果一致,然而CL显微图像中非辐射复合中心密度是这一腐蚀坑密度的2倍。这说明经过80分钟腐蚀后,占样品总位错密度一半的刃位错在AFM和SEM下几乎全部“消失”,但作为穿透位错,刃位错实际仍然存在于样品中,因此在CL显微图像中仍然能观测到这部分刃位错,也说明刃位错和带有螺分量的位错均是非辐射复合中心。这为进一步深入研究单个不同类型位错区域的发光特性奠定了基础。(本文来源于《重庆师范大学》期刊2009-03-01）
高志远,郝跃,李培咸,张进城[4]（2008）在《异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响》一文中研究指出用阴极射线致发光(CL)法、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射(XRD)法研究了异质外延GaN材料的发光性质与结构特性的关系.结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少.两步法生长GaN形成的马赛克结构的亚晶粒尺寸和晶粒间合并产生的位错的弯曲程度是影响材料发光效率的关键.(本文来源于《半导体学报》期刊2008年03期）
陈剑虹[5]（1984）在《80kg/mm~2级低合金高强钢模拟焊接热影响区穿透电镜组织观察及位错密度测定》一文中研究指出本文用光学显微镜及穿透电子显微镜观察了HT80低合金高强钢模拟焊接热影响区的各部分组织,测定了不同热应变量下的位错密度及饱和扩散氢量。得到了位错密度与热应变量成直线关系及硬度与位错密度的平方根成直线关系这样两个重要结果。(本文来源于《甘肃工业大学学报》期刊1984年01期）
穿透位错论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了穿透圆形夹杂界面的半无限楔形裂纹与裂纹尖端螺型位错的干涉问题.应用复变函数解析延拓技术与奇性主部分析方法,得到了位错位于半圆形夹杂内部时,半无限基体和半圆形夹杂内复势函数的解析解.然后利用保角映射技术得到了穿透圆形夹杂界面的半无限楔形裂纹尖端螺型位错产生的应力场以及作用在位错上的位错力的解析表达式.主要讨论了螺型位错对裂纹的屏蔽效应以及从楔形裂纹尖端发射位错的临界载荷条件.研究结果表明正的螺型位错可以削弱楔形裂纹尖端的应力强度因子,屏蔽裂纹的扩展,屏蔽效应随位错方位角的增大而减小.位错发射所需的无穷远临界应力随发射角的增加而增大,最可能的位错发射角度为零度,直线裂纹尖端位错的发射比楔形裂纹尖端位错的发射更容易,硬基体抑制位错的发射.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
穿透位错论文参考文献
[1].张艳兵.位错与穿透界面裂纹交互作用机理研究[D].湖南大学.2014
[2].张艳兵,冯慧,方棋洪,刘又文.穿透夹杂界面的半无限楔形裂纹尖端螺型位错的发射研究[J].固体力学学报.2013
[3].王明月.GaN光致发光谱与穿透位错特性研究[D].重庆师范大学.2009
[4].高志远,郝跃,李培咸,张进城.异质外延GaN中穿透位错对材料发光效率的影响[J].半导体学报.2008
[5].陈剑虹.80kg/mm~2级低合金高强钢模拟焊接热影响区穿透电镜组织观察及位错密度测定[J].甘肃工业大学学报.1984