导读:本文包含了单片集成光接收前端论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:超高频射频识别阅读器,载波泄漏,高线性度,切换式射频前端
单片集成光接收前端论文文献综述
华林[1]（2013）在《UHF RFID单片集成阅读器芯片射频接收前端电路设计》一文中研究指出超高频射频识别(UHF RFID)是一种通过阅读器和标签交换数据从而实现信息读取的技术。UHF RFID阅读器具有读写距离远、多标签识别速率快、抗干扰能力强等优点。本文以840-960MHz UHF RFID单片集成阅读器芯片射频接收前端电路为研究对象,完成了从协议分析、指标规划、电路及版图设计到芯片测试的全过程。主要研究内容如下：(1)依据ISO/IEC18000-6C协议及中国工信部UHF RFID草案要求计算射频接收前端电路指标。分析了UHF RFID阅读器中泄漏信号的产生机制,讨论了目前处理泄漏信号的外抵消、内抵消和共存叁种方法的优缺点。本文采用泄漏信号与载波信号共存的方法处理泄漏信号。(2)‘根据UHF RFID标签到阅读器之间信号编码在直流附近没有能量的特点,接收机采用零中频结构,设计了包括低噪声放大器和混频器的切换式射频前端。为了提高输入1dB压缩点,低噪声放大器采用并联电阻偏置电路,测试结果表明切换式射频前端输入1dB压缩点为0dBm。(3)低噪声放大器为共源共栅结构,混频器采用IQ两路吉尔伯特结构。为了实现监听、阅读模式切换,使用工作在线性区的MOS管做低噪声放大器的可切换负载,MOS管开启时为阅读模式,MOS管关断时为监听模式。分析了制约吉尔伯特混频器噪声系数与线性度的因素,在噪声系数、增益与线性度之间折衷。测试结果表明阅读模式时切换式射频前端转换增益为7.03dB,噪声系数为21.7dB。(4)采用0.18μmCMOS工艺设计电路并流片验证,切换式射频前端版图面积为610μm×550μm。测试结果表明：监听模式时,切换式射频前端噪声系数为14.1dB,输入1dB压缩点为-13dBm,转换增益为18.26dB；阅读模式时,输入1dB压缩点为0dBm,转换增益为7dB,灵敏度为-79dBm；在有-3dBm载波泄漏时,灵敏度为-74dBm。测试结果表明电路设计符合ISO/IEC18000-6C协议标准并达到设计指标要求。(本文来源于《华东师范大学》期刊2013-04-01）
刘帅锋,梁远军,李磊[2]（2011）在《单片集成CMOS光接收前端电路设计》一文中研究指出文中采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了适用于芯片间光互连的的接收机前端放大电路,将跨阻放大器(TIA)和限幅放大器(LA)集成于同一块芯片中.跨阻放大器采用调制型共源共栅(RGC)结构来提高其带宽,限幅放大器采用二阶有源反馈结构和有源电感负载来获得高的增益带宽积.整个接收机前端放大电路具有85dB中频增益,-3dB带宽为4.36GHz.芯片的面积为1mm×0.7mm,在1.8V电源电压下功耗为144mW.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2011年03期）
李轶群,崔海林,苗昂,吴强,黄辉[3]（2007）在《InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备》一文中研究指出叙述了利用InP基长波长pin光探测器和异质结双极晶体管(HBT)单片集成实现光接收前端的设计和制备方法。pin光探测器和HBT采用共享层结构,这样的结构不仅性能优于堆迭层结构,而且制备工艺兼容。制备的HBT截止频率达到30 GHz,pin光探测器的3 dB带宽达到了15 GHz,集成光接收前端的3 dB带宽达到3 GHz,跨阻放大倍数达到800。(本文来源于《半导体光电》期刊2007年06期）
郑锐[4]（2006）在《15Gb/s CMOS单片集成并行传输光接收前端放大器设计》一文中研究指出现代光通信技术已经成为人类社会步入信息时代的重要标志。采用甚短距离传输(VSR)技术可以用相对低廉的并行光传输技术来取代昂贵的串行光传输技术,使网络服务商可以在大幅降低成本的同时有效地解决客户在接入点内部传送标准速率的需求。本课题的主要任务是设计适用于VSR4-1.0系统的15Gb/s CMOS单片集成并行传输光接收前端放大器阵列,即设计12路并行传输的光接收前端放大器,每路的速率需要满足1.25Gb/s的要求。电路设计采用了TSMC 0.18μm CMOS工艺。该电路与12路并行光检测器(PD)阵列集成在同一块芯片中。光接收机前端放大电路主要由两个关键电路构成:前置放大器和主放大器。前置放大器把光检测器探测的光电流放大,获得电压信号。在本项目研究中,共源极的跨阻前置放大器被用做前置放大器的最终电路实现结构。由于前置放大器的噪声特性非常重要,本文将在原理上给出其等效输入噪声电流谱密度的计算方法,并通过仿真软件来验证推导的结果。主放大器把前置放大器的输出信号放大到数字逻辑电平,并且保持数字电平的恒定,以实现限幅的功能。本文中的主放大器采用了限幅放大器的形式,其宽带放大单元使用了经过改进的Cherry-Hooper结构以获得足够的增益带宽积。版图设计是电路原理图的物理实现,本文详细阐述了高速芯片版图设计的特点和技巧。利用TSMC 0.18μm CMOS工艺所带有的深N阱和保护环隔离技术,我们能在物理版图上实现12路并行放大器的良好隔离。我们分别设计了单路和12路光接收前端放大器芯片。芯片完成制造后,我们对这两块芯片进行测试,得到了较好的结果。论文由八章组成,包括系统介绍、光接收机介绍、电路设计、版图设计和芯片测试,详细介绍了电路的设计方法和芯片的测试结果。(本文来源于《东南大学》期刊2006-03-01）
单片集成光接收前端论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
文中采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了适用于芯片间光互连的的接收机前端放大电路,将跨阻放大器(TIA)和限幅放大器(LA)集成于同一块芯片中.跨阻放大器采用调制型共源共栅(RGC)结构来提高其带宽,限幅放大器采用二阶有源反馈结构和有源电感负载来获得高的增益带宽积.整个接收机前端放大电路具有85dB中频增益,-3dB带宽为4.36GHz.芯片的面积为1mm×0.7mm,在1.8V电源电压下功耗为144mW.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
单片集成光接收前端论文参考文献
[1].华林.UHFRFID单片集成阅读器芯片射频接收前端电路设计[D].华东师范大学.2013
[2].刘帅锋,梁远军,李磊.单片集成CMOS光接收前端电路设计[J].微电子学与计算机.2011
[3].李轶群,崔海林,苗昂,吴强,黄辉.InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备[J].半导体光电.2007
[4].郑锐.15Gb/sCMOS单片集成并行传输光接收前端放大器设计[D].东南大学.2006
标签：超高频射频识别阅读器; 载波泄漏; 高线性度; 切换式射频前端;