导读:本文包含了多层共烧陶瓷论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:多层共烧,陶瓷茶具,技术制备
多层共烧陶瓷论文文献综述
汪双春[1]（2018）在《多层共烧陶瓷茶具工艺的现代技术制备探究》一文中研究指出近年来,传统仿古艺术品及茶文化兴起,陶瓷类茶具市场繁荣。在市场需求较大的大背景下,陶瓷茶具的人工制造及传统工艺,很难满足大批量的生产要求。在现代科技发展下,以多层共烧陶瓷茶具工艺为主的现代技术,开始广泛应用于陶瓷类茶具的生产。此外,多层共烧陶瓷茶具工艺的效率高、产出快,且能够以各类集成形式完善审美标准。鉴于此,主要从文献思考和实验结论中,去探究多层共烧陶瓷茶具工艺的现代化发展。(本文来源于《福建茶叶》期刊2018年12期）
晁宇晴,曹坤,夏庆水[2]（2016）在《制定多层共烧陶瓷工艺标准必要性分析》一文中研究指出文章介绍了我国多层共烧陶瓷工艺技术的发展现状,以及国内外多层共烧陶瓷工艺技术的标准化现状,分析了我国制定多层共烧陶瓷工艺标准的必要性和社会经济效益,并论述了多层共烧陶瓷工艺标准体系的构建原则。(本文来源于《印制电路信息》期刊2016年10期）
朱福莉[3]（2015）在《低温共烧PZT基压电陶瓷的研究及多层器件的制备》一文中研究指出低温共烧多层压电陶瓷具有体积小、性能高等优点,在集成电路等方面具有广泛的应用。多层低温共烧陶瓷技术的关键是选择在较低温度烧结时具有较高综合性能的陶瓷基体,并可用流延等方法制备高质量的具有一定厚度的流延生片。Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3-Sr(K0.25,Nb0.75)O3(PZT-SKN)陶瓷具有高的压电性能(d33=445p C/N)和高的居里温度(TC=356℃),是制作低温共烧多层器件的理想材料。本论文根据铌酸钾钠(Na0.5K0.5)Nb O3陶瓷的组成,在PZT-SKN的基础上进行改进,研制了一种新的体系:Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3-Sr(Na0.25,Nb0.75)O3(PZT-SNN)。通过探讨SKN/SNN含量、烧结温度、Cu O含量及潮解性能对陶瓷微观形貌和各方面性能的影响,确定了最佳的成分和烧结工艺,并利用流延法制备了低温共烧多层陶瓷器件,对其进行了性能测试。首先,利用传统固相法制备了PZT-SKN和PZT-SNN压电陶瓷,通过分析其微观结构和压电、介电等性能,得出当SKN含量为1 wt%、SNN含量为2 wt%,并且陶瓷在1175℃烧结时,两体系具有最优性能。当添加1 wt%的Cu O时,0.98PZT-0.02SNN陶瓷的烧结温度可降到900℃,其性能为:ρ=7.67g/cm3、d33=316 p C/N、kp=0.49、εr=2260、Qm=134.44、tanδ=0.012、TC=353℃。此成分的压电陶瓷可以用于制作内电极为Ag的低温共烧迭层器件。此外,通过对比两个体系的潮解性能,发现PZT-SNN系陶瓷的耐潮解性能比PZT-SKN体系好。其次,通过探索浆料制备工艺,利用流延法制备出了厚度约为60μm的流延生片,其表面光洁度较好,没有气泡、裂纹等缺陷,且可以很完整的从流延塑膜上揭取下来,可用于制备迭层器件。最后,通过确定合适的丝网印刷工艺和迭层、烧结工艺,成功制备出了迭层器件。观察其显微形貌可知,陶瓷层和内电极银层厚度均匀,且两者之间的分界线很明显。内电极银层未出现流渗的现象。极化后测其压电性能可知,迭层器件的压电常数d33值随着层数的增加逐渐增加,且基本呈线性关系。同时,通过搭建实验平台,测得迭层器件的变形量和其产生的电压呈正比,说明其具有较好的传感性能,可利用其制作压电传感器。(本文来源于《南京航空航天大学》期刊2015-03-01）
周丹[4]（2013）在《堇青石多层陶瓷坯片的迭层及共烧行为研究》一文中研究指出随着通讯技术的发展,高频技术的应用在不断涌现。在高频通讯技术的带动下,电子元器件及移动终端设备不断地向着更加微型化、集成化、表面组装化、多维化及多功能化等方向发展。选择合适的介质材料,并对器件进行多层结构设计成为满足这一发展趋势的主要途径,低温共烧陶瓷技术便应用而生。在低温共烧陶瓷技术中,流延坯片的迭层和共烧是制造多层陶瓷器件和陶瓷封装基板的关键步骤,其结果直接影响到器件的最终质量。因此,迭层和共烧成为国内外的研究热点。本文首先在课题组已有成果的基础上,对溶胶-凝胶法制备出的堇青石纳米粉体进行Bi2O3掺杂,并参照成熟的浆料配方,流延出具有一定强度和柔韧性良好的堇青石陶瓷坯片,研究了堇青石陶瓷坯片的性能。结果表明,堇青石陶瓷坯片可以在900℃的温度下烧结,满足低温共烧陶瓷与低熔点金属共烧的温度要求。堇青石陶瓷坯片在900℃烧结后,主晶相为α-堇青石,具有良好的致密度(收缩率和密度分别为36.67%和2.358g/cm3),较低的介电常数(ε=3.4993;2GHz)和介电损耗(tgδ=0.0063;2GHz),满足多层陶瓷器件和陶瓷封装基板在高频条件下的工作要求。然后,以所制备出的堇青石陶瓷坯片为基体材料,分别采用粘合法和冷压法对堇青石陶瓷坯片的迭层工艺进行了研究。结果表明：在室温下,采用8%的PVA作为粘合剂,将堇青石陶瓷坯片在2MPa的压力下保压5min,可以实现10层堇青石陶瓷坯片的粘合法迭层；在室温下,直接施加8MPa的压力并保压5min,可以实现10层堇青石陶瓷坯片的冷压法迭层。影响堇青石陶瓷坯片粘合法迭层的主要因素为粘合剂的浓度、迭层的压力等,烧结温度对堇青石陶瓷坯片的连接影响不大；影响堇青石陶瓷坯片冷压法迭层的主要因素有迭层的压力、保压时间、坯片的层数等,其中保压时间对堇青石陶瓷坯片的迭层影响不大,烧结温度对迭层试样烧结后的致密度会产生影响。粘合法迭层的优点是可以在较低的温度和压力下对堇青石陶瓷坯片进行迭层,避免了压力的不均衡造成迭层坯片的偏移以及在迭层时产生的物质流动,能够减少试样的变形程度,比较适合于制造精细、复杂结构的迭层器件。但需要保证堇青石陶瓷坯片具有一定的气孔率,同时应严格控制PVA的浓度,使其适合迭层的需要。粘合法不适合较多层数坯片的迭层,如果坯片的层数太多,不利于迭层精度的控制。采用冷压法迭层时,可以在室温下实现对堇青石陶瓷坯片的迭层,与采用PVA粘合的迭层方法相比,不需要保证堇青石陶瓷坯片有一定的气孔率。该迭层方法工艺简单,可以实现较多层数坯片的迭层,但由于迭层时有压力的存在,如果施加的压力不均衡,试样烧结后容易产生变形。粘合法迭层主要是靠堇青石陶瓷坯片中的粘合物质在烧结的过程中融化并产生毛细管力,使坯片结合在一起,而冷压法迭层则主要与堇青石陶瓷坯片良好的弹塑性、在一定压力下堇青石陶瓷颗粒的重排及液化的玻璃成分的粘滞性流动等有关。接下来,对堇青石陶瓷坯片与Ag-Pd导电金属的共烧行为进行了研究。Ag-Pd导电金属在不同的烧结温度下,呈现出不同的表面形貌。在900℃的烧结温度下,其形貌最好：Ag-Pd颗粒较小,呈现出圆球状,且颗粒分布均匀,颗粒间的孔隙较小,对堇青石陶瓷坯片的覆盖较为致密。在此温度下,堇青石陶瓷坯片与Ag-Pd导电金属具有较好的共烧兼容性,共烧界面区域比较致密,没有气孔和裂纹等缺陷的产生,且各元素的分布比较均匀,没有化学反应发生,能够保证堇青石陶瓷坯片在高频片式元器件及陶瓷封装基板等领域的应用。最后,针对迭层和共烧试样在烧结过程中容易产生变形的问题,提出了一种压力辅助解决方案：采用Al2O3粉末对试样进行覆盖,在覆盖后的试样上放置压块进行烧结。Al2O3粉末具有较好的流动性,在压块的作用下,试样会一直处于紧密的压缩状态。在烧结的过程中,堇青石陶瓷坯片的收缩受到限制,试样变形程度减小,且表面的平整度能够得到保证。(本文来源于《沈阳大学》期刊2013-12-23）
曹坤,庞学满,夏庆水,戴洲[5]（2012）在《多层共烧金属化氮化铝陶瓷工艺研究》一文中研究指出氮化铝陶瓷具有热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点,由于可以多层布线和金属化共烧,因此在很多领域有着越来越广泛的应用。该文介绍了多层共烧金属化氮化铝陶瓷的工艺方法,重点介绍了印刷、迭片层压、烧结、镀覆工艺以及其性能检测方法等方面的研究。通过上述研究可以生产热导率高、金属化电阻率低且附着力强的多层共烧陶瓷产品。(本文来源于《电脑知识与技术》期刊2012年23期）
刘俊永,孙文超,崔嵩,张浩[6]（2012）在《AlN多层共烧陶瓷微波外壳的设计与制作》一文中研究指出使用Ansoft HFSS软件设计了一种微波多芯片组件(MCM)用陶瓷外壳,并采用AlN多层共烧陶瓷工艺制作了样品。微波输入输出(I/O)端子采用微带线直接穿墙形式,并与陶瓷外壳一体设计、制作。试验结果表明,在2～12 GHz内驻波比(VSWR)<1.3,测量漏率R1≤1×10–3Pa.cm3/s(He)。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2012年07期）
魏启甫,李征帆,李霖[7]（2010）在《一种基于低温共烧陶瓷的新型多层交叉耦合基片集成波导滤波器》一文中研究指出提出了一种4级交叉耦合的拓扑结构,并用其设计了一个多层基片集成波导滤波器.非相邻谐振腔间的交叉耦合使滤波器产生了2个有限传输零点,改善了滤波器的性能.用高频电磁仿真软件HFSS对滤波器进行设计和仿真,并用8层低温共烧陶瓷(LTCC)工艺对其进行加工.测量结果与仿真结果吻合较好,从而证明了所给滤波器结构的有效性.(本文来源于《上海交通大学学报》期刊2010年02期）
夏庆水,李海波,曹坤[8]（2009）在《多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究》一文中研究指出氮化铝陶瓷因其热导率高、绝缘性好以及无毒害等特点在许多领域有着广泛的应用。多层共烧氮化铝陶瓷是采用厚膜印刷的方式将多层的电路金属化做入氮化铝基板并在特定气氛中高温烧结的一种高性能陶瓷。金属化是多层共烧氮化铝陶瓷的一个关键工艺,文章主要介绍了对金属化工艺的研究。重点研究了其中的印刷工艺、迭片层压工艺和烧结工艺。通过对印刷和烧结参数的研究,使得生产陶瓷的热导率大于170 W(m·K)~(-1),金属化的方阻小于18mΩ/□,金属化的抗拉力大于1.8N(1mm~2焊接面积),能满足大功率LED封装、大功率功率管封装的性能要求,已经在多种陶瓷外壳和基板中应用。(本文来源于《电子与封装》期刊2009年11期）
冯鹤,谢拥军,王元源,傅焕展,雷斐然[9]（2009）在《基于低温共烧陶瓷工艺的一种新型层迭式多层结构的波概念迭代方法研究》一文中研究指出提出了基于波概念的一种有效迭代方法,详细给出了波概念迭代法(wave concept iterative process)理论推导公式,并用来处理基于低温共烧陶瓷工艺的新型多层结构计算问题,涉及到了混合磁场与电场方程,包括基于一种简单形式的匹配负载模拟上的S参数提取问题.利用matlab语言编写程序,从而确定S参数的频率响应,并将数值结果与仿真结果进行比较,两者呈现出很好的一致性,同时验证了波概念迭代法相对于其他算法的优势所在.(本文来源于《物理学报》期刊2009年07期）
徐志春,成立,李俊,韩庆福,张慧[10]（2007）在《低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术》一文中研究指出微电子技术和封装工艺的发展使超大规模集成电路(VLSI)的密度越来越高,而高密度低温共烧陶瓷(LTCC)基板的制作依赖于基板内部导体的精细互连技术。为了满足LTCC多层基板高密度互连的工艺要求,必须使基板微通孔的直径及导线线宽缩小到100μm以内。基于此,首先介绍了LTCC生瓷带层的微通孔形成与填充工艺,以及所形成的微通孔的特点;利用厚膜丝网印刷技术形成精细导线,分析了影响印刷质量的工艺参数;最后简要介绍了薄膜光刻等新技术。通过应用上述几种先进的精细互连工艺技术,极大地提高了LTCC多层基板的互连密度。(本文来源于《半导体技术》期刊2007年07期）
多层共烧陶瓷论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
文章介绍了我国多层共烧陶瓷工艺技术的发展现状,以及国内外多层共烧陶瓷工艺技术的标准化现状,分析了我国制定多层共烧陶瓷工艺标准的必要性和社会经济效益,并论述了多层共烧陶瓷工艺标准体系的构建原则。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
多层共烧陶瓷论文参考文献
[1].汪双春.多层共烧陶瓷茶具工艺的现代技术制备探究[J].福建茶叶.2018
[2].晁宇晴,曹坤,夏庆水.制定多层共烧陶瓷工艺标准必要性分析[J].印制电路信息.2016
[3].朱福莉.低温共烧PZT基压电陶瓷的研究及多层器件的制备[D].南京航空航天大学.2015
[4].周丹.堇青石多层陶瓷坯片的迭层及共烧行为研究[D].沈阳大学.2013
[5].曹坤,庞学满,夏庆水,戴洲.多层共烧金属化氮化铝陶瓷工艺研究[J].电脑知识与技术.2012
[6].刘俊永,孙文超,崔嵩,张浩.AlN多层共烧陶瓷微波外壳的设计与制作[J].电子元件与材料.2012
[7].魏启甫,李征帆,李霖.一种基于低温共烧陶瓷的新型多层交叉耦合基片集成波导滤波器[J].上海交通大学学报.2010
[8].夏庆水,李海波,曹坤.多层共烧氮化铝陶瓷金属化工艺研究[J].电子与封装.2009
[9].冯鹤,谢拥军,王元源,傅焕展,雷斐然.基于低温共烧陶瓷工艺的一种新型层迭式多层结构的波概念迭代方法研究[J].物理学报.2009
[10].徐志春,成立,李俊,韩庆福,张慧.低温共烧陶瓷多层基板精细互连技术[J].半导体技术.2007