导读:本文包含了外延匹配论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:BP神经网络,SiC外延,加热电源,智能算法
外延匹配论文文献综述
张威[1]（2017）在《基于BP神经网络的SiC外延炉加热电源动态匹配智能算法研究》一文中研究指出智能控制算法已普遍应用于各个领域,但是在SiC外延炉中却极少用到。将目前使用最为广泛的BP神经网络模型引入到SiC外延炉加热系统中,对SiC外延炉加热电源匹配电感量进行预测,结合基于变步长搜索最大电流值的方法对频率进行自动跟踪,实现了SiC外延炉加热电源的动态匹配功能。对预测过程和电源系统进行了基于MATLAB的仿真研究,结果验证了匹配电感量预测的精确性和动态匹配算法的有效性,符合设计要求。(本文来源于《电子工业专用设备》期刊2017年06期）
顾俊,吴渊渊,杨文献,陆书龙,罗向东[2]（2016）在《与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能》一文中研究指出采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In_(0.18)Al_(0.82)N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年07期）
石磊,周贵恩,张裕恒,贾云波,黄允兰[3]（2015）在《外延膜与衬底晶格匹配关系X射线衍射分析》一文中研究指出现代电子器件是以薄膜为基础的,特别是集成的电子器件更是如此。研究膜与衬底间的晶格匹配关系是理解膜的物理性质,改进制膜工艺的一个基础工作。过去人们主要采用离子沟道(ion channeling)和透射电子显微镜(TEM)等方法进行这方面的研究。然而,这些方法对样品有特殊处理要求,不仅有破坏(本文来源于《中国分析测试协会科学技术奖发展回顾》期刊2015-07-01）
吴文彬,黄健洪,周贵恩[4]（2015）在《不同X射线衍射几何分析多层薄膜的外延与匹配关系》一文中研究指出复杂氧化物,如SrTiO_3、Pb(ZrTi)0_3、YBa_2Cu_3 O_7和(LaSr)Mn0_2,是一类重要的功能材料。它们同属于钙钛矿或类钙钛矿型结构,但有不同的物理性质,如介电性、铁电性、高温超导电性和巨大磁致电阻效应等。随着薄膜科学技术的发展,这类材料已成为重要的功能薄膜材料,特别是由于它们在结构和化学(本文来源于《中国分析测试协会科学技术奖发展回顾》期刊2015-07-01）
王凯,顾溢,方祥,周立,李成[5]（2012）在《InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)》一文中研究指出采用高分辨率X射线衍射摇摆曲线、光致发光以及霍尔测试对采用气态源分子束外延方法生长的四元系In-AlGaAs材料性质进行了表征。摇摆曲线结果表明,根据计算数据所生长的InAlGaAs样品与InP衬底基本匹配.光致发光和霍尔测试结果显示随着Al组分的增加,样品的光致发光强度、电子浓度和迁移率均有所下降.样品的叁族元素组分由光致发光及X射线衍射实验获得,测试结果与设计值吻合,Al组分的实验设计值与测试结果的关系提供了一种实用的精确控制组分的方法.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2012年05期）
吉元,王丽,张隐奇,卫斌,索红莉[6]（2010）在《纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析》一文中研究指出本文采用电子背散射衍射(EBSD),测量纳米异质外延层的织构,及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试的材料包括作为YBCO超导膜的过渡层、生长在强立方织构Ni-5at.%W(Ni-W)衬底上的La2Zr2O7(LZO)外延层,及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构,显示出LZO与Ni-W衬底的面内取向(转动45°)及面外取向(沿[001]方向)的匹配关系。EBSD测量出GaN过渡层与蓝宝石衬底的面内取向(转动30°)的匹配关系,显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹性应变梯度(约500 nm)。(本文来源于《电子显微学报》期刊2010年04期）
杨青慧,张怀武,刘颖力,文岐业,姬洪[7]（2008）在《液相外延单晶钇铁石榴石薄膜晶格匹配度的XRD研究》一文中研究指出液相外延制备的石榴石薄膜在磁光和微波器件方面已经应用了很长时间[1-3],如移相器、光隔离器、磁光开关、微波环行器、静磁波滤波器、延迟线等[4]。在液相外延制备过程中,薄膜和衬底的晶格匹配和热膨胀系数匹配是获得单晶薄膜的两个重要条件。由于与其他石榴石薄膜的晶格和热膨胀系数匹配度良好,所以钆镓石榴石(GGG)(a=12.383A,热膨胀系数=9.2×10~(-6)/℃)是制备石榴石薄膜最好的衬底选择。本文利用液相外延方法,在GGG衬底上制备了化学配方为(Lu_(2.1),Bi_(0.9))Fe_5O_(12)(LuBilG)的薄膜,并用高分辨XRD谱分析了薄膜与GGG衬底之间的晶格失配度。如图1所示为GGG上外延LuBilG薄膜的高分辨XRD谱。0mega-2Theta扫描范围从-200 arcsec到200 arcsec,扫描步长为2 arcsec,计数时间为1 second。首先测量了GGG(444)与LuBilG(444)的角度差△θ_B,即薄膜的角度θ_(epi)可以表示为:(本文来源于《中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集》期刊2008-07-27）
尚景智,毛明华,方志来,刘宝林,张保平[8]（2007）在《与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长》一文中研究指出采用金属有机物气相外延法(MOVPE),在蓝宝石衬底上,先淀积1μm的 GaN 缓冲层,然后外延生长出了与 GaN 晶格匹配的 AlInN 薄膜,厚度在0.5 μm左右。样品的 X 射线双晶衍射摇摆曲线(0002) 峰的半峰宽为9.71′。通过分析样品的 Omega-2theta 扫描曲线,得知 AlInN 中 In 的组分在0.18 左右,与 GaN 的晶格失配约0.012%,证实所生长的 AlInN 与 GaN 晶格匹配较好,用扫描电子显微(本文来源于《第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集》期刊2007-09-01）
董永军,唐慧丽,吴锋,周国清,徐军[9]（2007）在《GaN和ZnO基外延薄膜用新型晶格匹配铝镁酸钪(ScAlMgO_4)单晶衬底的制备及性能研究》一文中研究指出由于目前使用的多种村底材料均存在晶格失配大,以及物化性能差、加工困难和价格昂贵等问题,亟需发展与 GaN 和 ZnO 基薄膜晶格匹配,而且结构和化学兼容性好,物化性能稳定和价格便宜的新型衬底来支撑高性能半导体器件的发展。(本文来源于《《硅酸盐学报》创刊50周年暨中国硅酸盐学会2007年学术年会论文摘要集》期刊2007-08-01）
唐慧丽,董永军,徐军,赵志伟,吴锋[10]（2007）在《晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO_4晶体生长研究》一文中研究指出采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScA lMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿解理面有裂纹。粉末X射线衍射(XRD)分析表明经1400℃固相反应烧结的原料基本合成了ScA lMgO4多晶相。初步的偏光显微镜观察、晶体的粉末XRD表征、透过光谱和双晶摇摆测试表明晶体具有较好的光学性质和结晶质量。研究表明晶体本身的层状结构、较大的温度梯度和热应力的不均匀性是生长过程中引起晶体开裂的几个主要原因。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2007年03期）
外延匹配论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In_(0.18)Al_(0.82)N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
外延匹配论文参考文献
[1].张威.基于BP神经网络的SiC外延炉加热电源动态匹配智能算法研究[J].电子工业专用设备.2017
[2].顾俊,吴渊渊,杨文献,陆书龙,罗向东.与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能[J].半导体技术.2016
[3].石磊,周贵恩,张裕恒,贾云波,黄允兰.外延膜与衬底晶格匹配关系X射线衍射分析[C].中国分析测试协会科学技术奖发展回顾.2015
[4].吴文彬,黄健洪,周贵恩.不同X射线衍射几何分析多层薄膜的外延与匹配关系[C].中国分析测试协会科学技术奖发展回顾.2015
[5].王凯,顾溢,方祥,周立,李成.InP衬底上晶格匹配四元系InAlGaAs的气态源分子束外延生长(英文)[J].红外与毫米波学报.2012
[6].吉元,王丽,张隐奇,卫斌,索红莉.纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析[J].电子显微学报.2010
[7].杨青慧,张怀武,刘颖力,文岐业,姬洪.液相外延单晶钇铁石榴石薄膜晶格匹配度的XRD研究[C].中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集.2008
[8].尚景智,毛明华,方志来,刘宝林,张保平.与GaN晶格匹配的AlInN薄膜的外延生长[C].第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集.2007
[9].董永军,唐慧丽,吴锋,周国清,徐军.GaN和ZnO基外延薄膜用新型晶格匹配铝镁酸钪(ScAlMgO_4)单晶衬底的制备及性能研究[C].《硅酸盐学报》创刊50周年暨中国硅酸盐学会2007年学术年会论文摘要集.2007
[10].唐慧丽,董永军,徐军,赵志伟,吴锋.晶格匹配氮化镓和氧化锌基外延薄膜衬底材料ScAlMgO_4晶体生长研究[J].人工晶体学报.2007