导读:本文包含了变温光致发光谱论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:GaN,多量子阱,发光二极管,外延
变温光致发光谱论文文献综述
杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰[1]（2019）在《InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱》一文中研究指出利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
叶志成,舒永春,曹雪,龚亮,姚江宏[2]（2011）在《In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响》一文中研究指出利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。(本文来源于《发光学报》期刊2011年02期）
于东麒,陈希,张贺秋,胡礼中,乔双双[3]（2010）在《CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究》一文中研究指出采用一种简单的旋涂热蒸发方法在InP衬底上制备出CdSxSe1-x量子点.利用变温光致发光谱(温度范围:10～300K)研究CdSxSe1-x量子点的光学特性.在温度为180～200K范围内,光致发光谱的积分强度随温度升高呈现出一种异常现象.当温度由10K升至300K时,带隙能红移61.34meV.根据Vegard定律,由X射线衍射数据和室温光致发光谱峰位能量计算得到CdSxSe1-x量子点中S和Se的成分比为0.9:0.1.此外,通过光致发光谱峰位能量和曲线拟合得到CdS0.9Se0.1量子点材料Varshni关系参数为:α=(3.5±0.1)10-4eV/K,β=(210±10)K.(本文来源于《中国科学:物理学 力学 天文学》期刊2010年10期）
苏雄睿,周张凯,翟月英,李敏,宋浩[4]（2007）在《纳米硅变温光致发光谱的研究》一文中研究指出研究了纳米硅在3K-250K温度范围的光致发光谱的特性。观测到纳米硅的叁个发光峰,其中心波长分别为470nm、479nm和487nm。随着温度的升高,470nm的发光峰呈现蓝移且强度明显增强,479nm的发光峰位不随温度的变化而变化,487nm的发光峰随温度的升高出现微小的红移。基于量子限制效应,提出综合发光模型解释实验结果。(本文来源于《科协论坛(下半月)》期刊2007年04期）
变温光致发光谱论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性。随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动。在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂。通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响。在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项ΔEg。带隙能量计算结果与实验数据吻合较好。通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
变温光致发光谱论文参考文献
[1].杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰.InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱[J].发光学报.2019
[2].叶志成,舒永春,曹雪,龚亮,姚江宏.In_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响[J].发光学报.2011
[3].于东麒,陈希,张贺秋,胡礼中,乔双双.CdS_xSe_(1-x)量子点异常的变温光致发光谱特性研究[J].中国科学:物理学力学天文学.2010
[4].苏雄睿,周张凯,翟月英,李敏,宋浩.纳米硅变温光致发光谱的研究[J].科协论坛(下半月).2007