导读:本文包含了缺陷发光论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:ZnO薄膜,Zn原子缺陷,晶体结构,光学特性
缺陷发光论文文献综述
陈海霞,丁继军[1]（2019）在《ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性研究》一文中研究指出ZnO薄膜中可见光的发射与缺陷有关,为了研究ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性,将不同Zn缓冲层厚度的ZnO薄膜沉积在Si衬底上,且所有样品在400℃下真空中退火1 h,采用X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光谱(PL)表征了样品的晶体结构和光学特性。结果表明,随着Zn缓冲层溅射时间的增加,ZnO薄膜中的紫光峰向长波段发生了红移,且所有的发光峰强度逐渐增加;缓冲层和真空中退火都使得样品中有过量的Zn原子缺陷出现,薄膜中所有的发光峰与Zn原子缺陷相关。(本文来源于《功能材料》期刊2019年09期）
赵海霞,方铉,王颜彬,房丹,李永峰[2]（2019）在《ZnO/ZnS核壳纳米线界面缺陷的形成及发光特性研究》一文中研究指出ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性,生长了不同程度硫粉硫化的ZnO/ZnS核壳纳米线,再利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及光致发光光谱(PL)等测试表征手段,分析并讨论经过不同程度硫粉硫化后的ZnO/ZnS核壳纳米线界面处的结构及其光学性质的变化。通过分析ZnO/ZnS核壳结构形貌发现,ZnS成功包覆ZnO纳米线。随着硫化程度的增加,ZnO核结构被破坏,并在核壳界面处引入缺陷,导致形成具有不同结晶质量的ZnO/ZnS核壳纳米线结构,从而会影响ZnO/ZnS核壳纳米线的光学性质。结果表明,ZnO/ZnS核壳界面处缺陷较少时,对载流子的产生和传输具有一定的束缚作用,可以抑制非辐射复合效应,提高材料光学性能;当界面缺陷增加时,形成的缺陷能级则会降低材料的光学性能。(本文来源于《中国光学》期刊2019年04期）
陆翔[3]（2019）在《低缺陷YAG：Ce涂层的制备及其在硫酸腐蚀下发光性能的研究》一文中研究指出通过等离子喷涂技术将YAG:Ce荧光涂层沉积在钛合金表面,沉积的涂层具有较为致密的结构和良好的发光性能。研究腐蚀环境下涂层荧光强度的变化规律,有助于相关环境中荧光监测技术的发展。已有的等离子喷涂YAG:Ce涂层在酸性腐蚀环境中腐蚀作用导致涂层结合强度下降过快,限制了涂层的使用寿命。本文通过等离子焰流对基体预热,研究了基体温度对单个YAG:Ce粒子扁平化规律,及涂层微观结构、相成分和荧光强度的影响。在此基础上,制备不同基体温度的YAG:Ce涂层,并研究了涂层在硫酸溶液中腐蚀不同时间后涂层的微观结构和荧光强度的变化。研究发现当基体温度为室温条件时,沉积的单个熔融粒子与基体碰撞后发生严重的溅射现象;当基体温度超过120℃时,部分扁平粒子呈现出规则的圆盘形状,随着基体温度的继续升高,圆盘状扁平粒子所占的比例逐渐增加。在不同基体温度下沉积的涂层相成分主要为YAG相,涂层的结晶度随基体温度升高而增加,相反,涂层的孔隙率趋于下降。在不同基体温度条件下沉积的涂层具有良好的荧光强度,涂层的荧光强度与涂层厚度有关。不同基体温度沉积的YAG:Ce涂层在1.5mol/L硫酸溶液腐蚀150小时的过程中,涂层的孔隙率都增加,涂层的相结构和荧光强度也发生变化。基体温度越高,涂层孔隙率的增幅越小;涂层的衍射峰强度增大,衍射峰的位置表现为左右方向来回的偏移;涂层的发光强度呈现波动上升,后缓慢下降的变化过程,基体温度越高的涂层荧光强度变化幅度越小,当基体温度高于转变温度时,涂层的荧光强度随腐蚀时间的变化更稳定。(本文来源于《华东理工大学》期刊2019-05-10）
王锋[4]（2019）在《缺陷调控超四面体硫族纳米簇电化学发光研究》一文中研究指出揭示缺陷和电化学发光(Electrochemiluminescence,ECL)的关系,对于揭示硫簇半导体的缺陷结构与ECL性能关系,开发新型、高效的ECL探针并用于高灵敏分子检测,都是至关重要的。带有开放式网络结构的ISC-10微晶(ISC代表孤立的纳米簇)由超四面体硫族纳米簇(Nanoclusters,NCs)周期性构成。在四面体NCs的核心存在一个金属原子的缺失,可以看作特定的本质“空位点缺陷”。我们首次发现了空位点缺陷可以诱导NCs产生ECL发光,揭示了不同缺陷(本质空位点缺陷、异位缺陷、表面缺陷)和它们诱导的ECL行为的关系及其ECL发射机制。此外,对NCs的空穴位点进行原子精度的)掺杂,可以引发ECL发射峰的红移,并降低ECL的产生电势。无论未掺杂NCs还是)后掺杂的NCs,均展现出对共反应试剂(O_2,H_2O_2,K_2S_2O_8,TPrA)的ECL响应特性。另外,该研究也表明ECL能够表征半导体的内部缺陷。此研究中,我们通过改变掺杂原子种类和掺杂方式,进行了ECL效率的调制。一方面,精确掺杂单原子Cu占据Cd In S NCs的空穴位置,不仅实现了Cu@CdInS NCs ECL效率的显着提升,使其达到了21.72%。而且这种单原子钝化内部空位缺陷还提高了NCs的耐酸性。利用多巴胺(Dopamine,DA)对Cu@Cd In S NCs的ECL淬灭行为,实现了对DA的高灵敏检测。另一方面,通过原位掺杂的方法得到了)掺杂的Zn In S半导体NCs,并研究了其ECL行为。研究表明NCs中)的掺杂数量和相对位置对ECL的发射效率有着显着的影响。通过优化)掺杂量,可以使其ECL发射效率达到27.1%。基于最低能量原理,根据DFT计算,我们建立了最优Mn排布的原子构像(Zn@Mn_2Zn_4In_(28)S_(56)),并进一步揭示了Mn~(2+)掺杂NCs的ECL发光机制:原位掺杂引入了更多的异位缺陷,这些异位缺陷能够辅助NCs和)掺杂能级间的高效电子转移,加速)中电子-空穴对的复合效率,进而获得高效的ECL发射。此外,我们基于溶解氧辅助增强ECL发射的原理,实现了溶解氧的快速、无标ECL检测。(本文来源于《吉林大学》期刊2019-05-01）
张晶[5]（2019）在《碱土金属溴磷酸盐荧光粉的合成及其缺陷调控发光的理论研究》一文中研究指出无机固体发光材料(俗称荧光粉)是固态照明器件的重要组成部分。本征点缺陷调控的自激活荧光粉是一类重要的无机发光材料。本征缺陷相关的发光用于改性荧光粉最近引起了越来越多的研究兴趣。然而,缺陷形成和晶体结构之间的关系尚未详细研究过。因此,深入了解本征点缺陷的形成过程与缺陷晶胞的电子结构,对发展新型自激活荧光粉具有重要意义。此外,将稀土离子或过渡金属离子掺入无光学活性的基质中实现发光的策略是得到各种发光颜色的无机荧光粉最常见的途径。那么,如果将稀土离子掺入自激活发光的基质中,改变掺杂浓度,就很可能会得到一系列光谱可调的荧光粉。这为我们探索新型荧光粉提供了新思路。1.(Ca,Sr,Ba)_5(PO_4)_3Br的自激活发光与缺陷发光机理在没有杂质激活剂,还原气氛条件下,采用高温固相法合成的磷灰石型化合物M_5(PO_4)_3Br(M=Ca,Sr或Ba)可以根据M的含量变化发出从蓝紫色到橙色的连续可调的颜色。为了更好的理解原因,详细分析了Ba_(5-m)Sr_m(PO_4)_3Br(BSPOB;m=0-5)固溶体。结合实验表征和密度泛函理论计算,研究了自激活发光对气氛条件和固溶体组成的依赖性。通过X射线衍射图以及Rietveld精修来验证这些固溶体的晶体结构。根据缺陷形成能和电子顺磁共振信号,我们提出:这种自激活发光特有的超宽带发射的主要原因是形成了氧空位(V_O)。固溶体晶体结构变形增强,使V_O浓度增加,从而导致固溶体中的发光强度高于端点化合物。此外,还研究了随着Sr/Ba比率改变,BSPOB基质的电子结构的变化。研究发现,在带隙内引入V_O缺陷能级导致形成了供体和受体,因此可以在整个光谱的可见部分中调制光致发光。结果表明,一系列连续磷灰石型固溶体中的本征缺陷能级导致在宽波长范围内可以精细调控发光。由此说明,可以通过控制条件定制缺陷化学和非计量比化学组成的缺陷体系,从而设计荧光粉的性质。2.基于缺陷调控的(Ba,Sr)_5(PO_4)_3Br:Eu~(2+)多显色荧光粉采用高温固相法合成了掺杂不同浓度Eu~(2+)的碱土金属溴磷酸盐荧光粉。代表样品的X射线衍射图可以证明合成了纯相。探究了BSPOB端点化合物以及中间固溶体掺杂不同浓度Eu~(2+)的发光情况。根据光致发光光谱、变温光谱以及衰减曲线进一步分析Eu~(2+)在磷灰石结构中的格位占据情况。此外,基于BSPOB(m=3)基质的自激活本征缺陷发光以及Eu~(2+)在其中的优先格位占据,在掺入一系列低浓度Eu~(2+)时,随着Eu~(2+)浓度的变化,可实现光谱从黄绿光到白光再到蓝光的可调控发射。结合荧光衰减曲线,合理推断出,发光分别来源于基质的自激活发光以及Eu~(2+)的发光。(本文来源于《湖南师范大学》期刊2019-05-01）
王云鹏[6]（2019）在《本征缺陷对ZnGa_2O_4：Mn发光性质的影响》一文中研究指出长余辉材料是一种在光激发停止后仍可持续发光的特殊光致发光材料,主要应用于安全照明和生物医学检测等领域。本文围绕本征缺陷在Mn掺杂ZnGa_2O_4体系中可能起到的作用,对ZnGa_2O_4基质材料的自激活发光、Mn离子掺杂机理和长余辉发光现象展开深入研究。第一章,我们对长余辉材料的用途、类型和发光机理作简单介绍;随后对ZnGa_2O_4体系的结构特征和它在国内外的研究现状作了基本阐述;最后引出本文的主要研究内容和方法。第二章,我们主要介绍了基于密度泛函理论的第一性原理方法和概念,以及本文工作所采用的的计算软件。第叁章,我们计算了ZnGa_2O_4纯相的电子结构和热力学稳定相图,再针对各缺陷体系计算了它们的形成能和转变能级,对它们的电子结构和光学性质进行了进一步地分析。结果表明,ZnGa_2O_4体系中价带和导带的主要贡献来自于氧原子的2p轨道、锌原子的3d轨道和镓原子的3d、4s轨道。ZnGa_2O_4体系中狭窄细长的热力学稳定区域能够大范围地调节各缺陷的浓度,其中以这四种本征缺陷V_O,Ga_(Zn),Zn_(Ga)和V_(Zn)在ZnGa_2O_4缺陷体系中起主导作用。转变能级计算则明确了V_O,Ga_(Zn),Zn_(Ga)和V_(Zn)四种缺陷能级在禁带中的位置,而电子态密度和光学性质的计算佐证了转变能级计算的合理性。最后,我们结合理论与实验结果,模拟了ZnGa_2O_4的自激活发光过程。第四章,我们通过计算Mn缺陷的形成能,发现在贫Mn环境下,Mn元素随μ_O的变化可分别掺入四面体或八面体位;而富Mn环境下,Mn元素主要进入四面体位。随后阐述了在存有Zn_(Ga)缺陷的ZnGa_2O_4体系中,Mn离子更易取代Zn离子进入ZnGa_2O_4的八面体位。以二价Mn离子的Mn_(tet)缺陷为例,针对各复合缺陷的结合能情况,发现施主缺陷不易与Mn_(tet)结合,而受主缺陷V_(Zn)和Zn_(Ga)则会明显扭曲[MnO_4]四面体,说明受主缺陷的确会对Mn~(2+)发光中心有一定的影响。最后,结合ZnGa_2O_4:Mn和各复合缺陷所对应的的电子结构与ZnGa_2O_4:Mn样品的发光测试中的近红外发光现象进行讨论,阐述了电子受晶体场影响,在3d能级间跃迁并伴随发光的过程。我们在本文中强调了本征缺陷在ZnGa_2O_4体系中对它的发光性质和掺杂性质均起到了重要作用。最后,我们将ZnGa_2O_4体系的自激活发光过程与Mn离子发光过程结合,关注缺陷与发光中心间相互作用的机制,模拟了本征缺陷是如何延长ZnGa_2O_4:Mn的余辉发光过程。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-11）
张海山[7]（2019）在《GaN和ScVO_4中点缺陷发光机制的研究》一文中研究指出从第一个晶体管的发明、到大规模集成电路以及各种电子器件的广泛应用,半导体在日常生产、生活中发挥着越来越重要的作用。在半导体的制备过程中,半导体本身或者引入某些种类的杂质元素会形成点缺陷。不同类型的点缺陷对基质材料的光、电学性质有着各种不同的影响,并成为可能的发光中心。随着计算方法的发展,第一性原理计算对半导体中点缺陷电子结构的描述越来越准确。半导体中深杂质能级有关的辐射、非辐射复合计算方法也日趋成熟。但是,实验观测到的点缺陷相关发光的波长、强度等物理量和复杂的载流子动力学过程相关,仅对点缺陷单一性质的计算无法揭示实验现象背后的微观物理机制。鉴于此,我们基于第一性原理计算发展了相关计算方法,通过考虑半导体中各辐射、非辐射复合通道之间的相互竞争,实现在不采用参数拟合的情况下,对点缺陷相关发光的量子效率以及发光的完整时间分辨光致发光光谱(TRPL)进行模拟。红色荧光粉ScVO_4:Bi在白光照明中有着潜在应用;氮化镓(GaN)是制备蓝色发光二极管(light-emitting diode)的核心材料,在发光领域起着至关重要的作用。针对这两种材料中的点缺陷发光现象,本课题具体开展了以下研究工作:1.通过第一性原理计算研究了Bi掺杂ScVO_4基质的可调谐发光机理。研究发现,由于较低的缺陷形成能,在ScVO_4基质中容易存在一些本征缺陷,而这些本征缺陷对于Bi掺ScVO_4的发光没有明显的影响。在本文中考虑的化学势环境下,Bi原子掺入后都倾向于替换同价态的Sc原子,而不是+5价的V原子。在Bi原子周围出现氧空位(Vac_O)时,缺陷形成能的计算结果表明,Bi_(Sc)和Vac_O缺陷很容易结合而形成Bi_(Sc)+Vac_O复合缺陷。根据计算所得的缺陷转换能级和介电函数虚部,可以推断复合缺陷Bi_(Sc)+Vac_O在“0”和“+1”价之间的转换是实验中观测到的Bi掺杂ScVO_4发红光的原因。在实验中通入H_2并控制H_2的含量,可以实现可调谐发光。计算结果表明,发光性质的变化是来源于H原子对Vac_O的钝化效应。2.结合第一性原理计算与拉曼、傅里叶变换红外光谱测试,确认了在碳原子(C)掺杂的半绝缘GaN样品中,C将占据N原子位,形成“-1”价的C_N缺陷。杂质C原子的振动将在声子谱的高频部分产生新的局域声子模式,包括水平方向振动的774 cm~(-1)模式以及垂直方向振动的766 cm~(-1)模式。3.针对GaN中普遍存在的黄光带,我们模拟了其随温度变化的量子效率,并详细描述了其中涉及深杂质能级的电子和空穴的复合过程。研究表明,在n型的GaN中,点缺陷C_N的“-1”价和“0”价之间的转换以及复合缺陷C_N+O_N的“0”价和“+1”价之间的转换都有可能是实验上观测到的黄光带的来源。计算结果表明,黄光在温度高于480 K时开始淬灭,这源于杂质能级从价带俘获的空穴会通过热激发迅速再回到价带,这与实验观测结果相符合。4.我们模拟GaN中黄光带的TRPL过程,考虑了从皮秒到毫秒时间范围内多种复合通道之间的复杂竞争。研究表明,在高功率注入情况下,GaN中C_N缺陷引起的黄光呈现双指数式衰减。其中,几百皮秒的短寿命来源于黄光和带边复合通道之间的相互竞争,几个微秒的长寿命来源于黄光带自身的衰减,并且这两个衰减过程都在我们设计的TRPL实验中得到证实。我们的研究可以很好的解释宽禁带半导体中点缺陷引起发光的复杂光物理过程,为今后实验上点缺陷的指认与设计提供重要的理论指导。(本文来源于《华南理工大学》期刊2019-04-08）
谢玉娜[8]（2019）在《电化学发光免疫法与酶联免疫吸附试验法检测人类免疫缺陷病毒的临床价值》一文中研究指出目的探讨电化学发光免疫(ECLIA)法与酶联免疫吸附试验(ELISA)法检测人类免疫缺陷病毒(HIV)的临床价值。方法选取2016年1月至2018年8月在医院进行血液检验的样本9 830份,同时行ELISA法与ECLIA法检测,对比两者检测阳性率,并与确证中心检测结果相比,分析两种方式检测结果的符合情况。结果 9 830份样本经ELISA法初诊阳性28份,阳性率为0. 285%,ECLIA法初诊阳性26份,阳性率为0. 264%,两者比较差异无统计学意义(χ2=0. 446,P=0. 504)。ECLIA法临界值分布中占比最高的为150～220,占阳性标本的80. 77%(21/26); ELISA法吸光度值分布中占比最高的为1. 35～1. 80,占阳性标本的53. 57%(15/28),两种检测方式比较,差异有统计学意义(P <0. 05)。结论 ELISA法与ECLIA法均是检测HIV的有效方式,临床可根据实际情况选择适宜的检测方式。(本文来源于《医疗装备》期刊2019年06期）
何翔[9]（2018）在《光伏组件电致发光缺陷检测仪检测软件研究与开发》一文中研究指出针对电致发光缺陷检测仪检测技术中技术指标难以量化的问题,开发出了电致发光缺陷检测仪检测软件,可对电致发光缺陷检测仪拍摄所得图像进行分析,自动判别分辨率,计算调制传递函数。并且通过使用电致发光缺陷检测仪进行目视验证试验,结果表明对于分辨率,本文所介绍的软件判别结果与目视判别结果基本一致,并且对于目视判别难以准确判别的图样,软件能够很好的进行判别,软件判别能够取代目视判别。该软件能够提高电致发光缺陷检测仪检测准确度。(本文来源于《计量与测试技术》期刊2018年12期）
胡清柳[10]（2018）在《本征缺陷及混合碱效应对离子掺杂发光玻璃性能的影响研究》一文中研究指出光子玻璃广泛应用于发光二级管(light emitting diode,LED)、光电子器件、温度传感器、光学传感器、太阳能电池、光纤通讯、生物成像等领域,对信息技术和生物技术的研究和发展起到了巨大的推进作用,在光学及材料学的研究中占据重要的地位。近年来,白光发光二级管迅速发展,人们对光学材料提出了更高的要求,研究光学材料的宽带发光成为了重中之重。本论文研发了以SiO_2-KF-ZnF_2为基质的新型氟硅酸盐(fluorosilicate,FS)光子玻璃,该玻璃在中心波长为260 nm的深紫外(deep-ultraviolet,DUV)光激发下,在350 nm近紫外(near-ultraviolet,NUV)波段出现高强度发光(photoluminescence,PL)。通过对比硅酸盐、硼酸盐、磷酸盐、锗酸盐、碲酸盐、氟硅酸盐、氟硼酸盐、氟锗酸盐和氟化物玻璃,发现本论文所研究的新型氟硅酸盐玻璃具有独特的量子效率高达85%的强近紫外发光。这种发光归因于新型氟硅酸盐中的本征缺陷,并分析了本征缺陷的发光机理。首次阐述了在这种新型氟硅酸盐玻璃中缺陷对Mn~(2+)与稀土离子(rare-earth ions,REs)发光的敏化作用,并对敏化机理进行了研究和讨论。发现通过适当的调控,缺陷可以成为赋予光子玻璃更多新功能的有利因素。通过简单的成分修饰改造硼酸盐玻璃结构是满足工业和光学研究领域特殊需求的关键。本论文通过核磁共振(nuclear magnetic resonance,NMR)、傅里叶变换红外(fourier transform infrared,FTIR)和拉曼(Raman)光谱研究了Li_2O与Na_2O、K_2O和Cs_2O的混合对玻璃网络中3-配位和4-配位硼的相对丰度的影响。系统地研究了混合碱对玻璃化转变温度、显微硬度、密度、折射率以及Er~(3+)的近红外发光特性(如带宽和寿命)等影响。从混合碱对硼和非桥接氧的连接的结构影响出发,讨论了造成这种差异的可能原因。选择Ti~(4+)及Er~(3+)作为发光中心进行研究,从玻璃网络结构随混合碱变化的角度阐释网络结构对Ti~(4+)及Er~(3+)掺杂混合碱硼酸盐光子玻璃发光性能的影响。(本文来源于《哈尔滨工程大学》期刊2018-12-20）
缺陷发光论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
ZnO/ZnS核壳纳米结构因具有优异的光电特性,在光电子领域极具应用前景,其依靠核壳结构界面处载流子的束缚效应可更加有效地控制载流子的产生、传输和复合过程。为讨论ZnO/ZnS核壳结构界面状态及其相应的光学特性,生长了不同程度硫粉硫化的ZnO/ZnS核壳纳米线,再利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及光致发光光谱(PL)等测试表征手段,分析并讨论经过不同程度硫粉硫化后的ZnO/ZnS核壳纳米线界面处的结构及其光学性质的变化。通过分析ZnO/ZnS核壳结构形貌发现,ZnS成功包覆ZnO纳米线。随着硫化程度的增加,ZnO核结构被破坏,并在核壳界面处引入缺陷,导致形成具有不同结晶质量的ZnO/ZnS核壳纳米线结构,从而会影响ZnO/ZnS核壳纳米线的光学性质。结果表明,ZnO/ZnS核壳界面处缺陷较少时,对载流子的产生和传输具有一定的束缚作用,可以抑制非辐射复合效应,提高材料光学性能;当界面缺陷增加时,形成的缺陷能级则会降低材料的光学性能。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
缺陷发光论文参考文献
[1].陈海霞,丁继军.ZnO薄膜中与Zn原子缺陷相关的发光特性研究[J].功能材料.2019
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