导读:本文包含了近紫外论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:红色荧光粉,Eu~（3+）掺杂,高温固相法,发射光谱
近紫外论文文献综述
温慧霞,周艳,樊彬,李敏,赵文玉[1]（2019）在《近紫外白光LED用Ca_（2-x）SiO_3Cl_2:xEu~（3+）高效红色荧光粉的发光性能研究》一文中研究指出采用传统的高温固相反应法在较低温度下制备红色荧光体Eu~(3+)掺杂的Ca_2SiO3_Cl_2,研究了Ca_(2-x)SiO_3Cl_2∶xEu~(3+)(x=3%～18%)的晶体结构和发光性质。激发和发射光谱表明,样品可以被近紫外350～420nm波段激发,最强激发峰位置位于394nm,发射光谱呈现出Eu~(3+)的特征红色发光,谱带峰值位置在592nm和620nm,分别对应于~(5 )D_0→~7F_1和~(5 )D_0→~7F_2特征跃迁。结果表明:最强发射对应的掺杂浓度是15%(摩尔分数),样品Ca_(1.85)SiO_3Cl_2∶0.15Eu~(3+)荧光粉是一种具有应用潜力的近紫外激发叁基色白光LED用红色荧光粉。(本文来源于《化工新型材料》期刊2019年10期）
[2]（2019）在《广东省重点领域研发计划“硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”启动会议召开》一文中研究指出7月24日,广东省重点领域研发计划"硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用"启动会议在国星光电召开。该项目为2018～2019年度广东省重点领域研发计划"第叁代半导体材料与器件"重大专项资助项目,由国星光电牵头申报,佛山市国星半导体技术有限公司、华南理工大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、东莞科视自动化科技有限公司等单位联合参与。广东省生产力促进中心及禅城区经科局的领导及行业专家出席了启动会议。(本文来源于《中国照明电器》期刊2019年07期）
樊嘉杰,曹建武,刘杰,经周,孙博[3]（2019）在《近紫外LED封装器件的热稳定性及可靠性》一文中研究指出紫外发光二极管(紫外LED)已经在许多超越照明领域展示出了特殊的应用优势,例如健康医疗、消毒杀菌、环保及传感等领域。本文采用仿真和实验相结合的方法研究了具有不同封装结构的近紫外LED封装器件的热稳定性,并对其进行了高温老化可靠性测试评估。研究结果表明:LED器件的辐射功率和正向电压随温度的升高而下降,其中,具有倒装结构的器件下降趋势明显小于正装结构,这表明其热稳定性较好;经过55℃恒温额定电流条件下的可靠性测试发现具有倒装结构的器件光-色特性衰减速率小于正装器件。通过本文研究可以得出结论:具有低热阻、小尺寸等优点的的倒装封装结构有助于提高近紫外LED器件的光-热稳定性和可靠性。(本文来源于《发光学报》期刊2019年07期）
张晟[4]（2019）在《近紫外和蓝光激发的镥基氧化物发光材料的制备与发光特性研究》一文中研究指出高效蓝光芯片(LED)的问世,使得白光LED成为获得白光的重要方式,并发展为第四代照明光源。稀土荧光粉作为白光LED的中重要的光转换材料,成为研究领域的热点。随着蓝光LED的发射波段进一步向近紫外区域拓展,相匹配的荧光粉也要不断进行研发。大部分的叁价稀土离子(Re~(3+))的发光源自4f-4f的组内跃迁,由于4f外层电子的屏蔽作用,其激发和发射峰位受基质影响相对较小,光谱特性相对固定。所以,本论文定位于f-d组间跃迁的过渡金属离子Cr~(3+)和稀土离子Ce~(3+),研究其所处晶体场影响而体现出的光学特性的变化,也通过对其晶体场环境的强弱判断来推断其所处的具体格位。相互印证,不仅能完善理论对实践的指导,还能更好地探索新的基质材料来拓展荧光粉的类型。另外,也对目前高功率白光LED照明领域所缺失的绿光荧光陶瓷,进行了制备工艺的探索。本论文主要从以下四个方面进行展开:(1)在过去的近几年里,近紫外激发的叁基色荧光粉成为获得白光LED的研究热点。发射位于400nm附近的芯片,是目前已有的效率最高的近紫外芯片(near-UV LED)。但是,目前大部分的蓝光荧光粉在400nm的激发并不十分有效。我们开发了新型蓝色荧光粉SrLu_2O_4:Ce~(3+),能够很好地与400nm近紫外LED匹配,且热稳定性优秀。在405nm激发下,发射出峰值为于460nm的,半高宽为90nm的宽带蓝光发射。优化得到的最佳离子掺杂浓度的样品,其内量子效率为76%。在150℃工作温度下,其发射强度仍然能保持室温下发射强度的86%。通过与商业黄光荧光粉和红光荧光粉混合,涂覆在405nm近紫外芯片上获得白光LED器件。通过调节组分的比重,能够在保持高显色指数(Ra≥90)的情况下,色温控制在3094-8990K范围内可调。以上这些特性都表明,SrLu_2O_4:Ce~(3+)是有前景的近紫外激发的白光LED光转换用发光材料。(2)先前关于在Ce~(3+)掺杂的SrLn_2O_4类型荧光粉(Ln=Y,Lu,Sc等)中,只表现出一个发光中心,且为蓝光发射。在本章中,我们观察到了在SrLu_2O_4:Ce~(3+)中的Ce~(3+)的第二个发光中心。该发光中心可以在485nm激发下,发射出峰值位于600nm的宽带红光发射。我们认为,这个新的发光中心(Ce(II))是占据了Lu~(3+)格位,而蓝光发光中心(Ce(I))是源自Sr~(2+)格位的占据。光谱学分析表明,在低掺杂浓度下,优先形成Ce(I)发光中心,且发光中心的数量比Ce(I)/Ce(II)随着Ce~(3+)掺杂浓度增加而明显减小,直到x达到0.004。两个发光中心的荧光寿命随着掺杂浓度的变化也进行了测量,可以观察到Ce(I)向Ce(II)的能量传递。当温度升高从83K到350K时,Ce(II)的发光强度的减弱的速度要明显快于Ce(I)中心,说明可以利用其相对发光强度比率来反映温度的变化,且在283K时,计算得相对敏感度高达2.28%K~(-1)。(3)Cr~(3+)掺杂的石榴石结构的Ca_2LuZr_2Al_3O_(12)(CLZA)荧光粉,是有前景的宽带近红外荧光粉,其激发峰能够与460nm蓝光芯片完美匹配。使用该荧光粉同460nm蓝光LED封装,获得750-850nm范围的近红外光的输出。而且,其电光效率为4.1%,要优于目前常规的钨灯的效率(2.9%)。在CLZA基质结构中,Cr~(3+)占据Ca~(2+)/Lu~(3+)和Zr~(4+)格位,分别形成两个发光中心Cr1、Cr2。对于CLZA:xCe~(3+),yCr~(3+)系列样品,Ce~(3+)和Cr~(3+)分别占据正十二面体格位和正八面体格位,并对两种激活离子所处格位的晶体场强进行计算。由于Cr~(3+)的吸收能力较弱这一固有属性,通过引入Ce~(3+)作为敏化剂来提高荧光粉对近紫外光的吸收,并计算出Ce~(3+)向Cr~(3+)的高效的能量传递速率。在对CLZA:Cr~(3+)样品的温度依赖性关系进行分析时,发现其升温过程有两个热过程,为低温热猝灭和高温热离化过程,并对两个过程的具体激活能进行了计算与分析。(4)高功率白光LED/激光照明是照明领域的发展趋势,而荧光透明陶瓷又是高功率照明领域的重要光转换材料。针对目前荧光透明陶瓷的研究还是以黄光透明陶瓷为主,部分为红光氮化物陶瓷,而绿光透明陶瓷一直是研究的短板。所以,在前期关于黄光透明陶瓷(YAG:Ce~(3+))制备工艺的基础上,我们对Ca_3Sc_2Si_3O_(12):Ce~(3+)基绿光透明陶瓷的制备工艺进行了研究。首先对于结构更为复杂的Ca_3Sc_2Si_3O_(12)样品,采用先合成粉体再高温生长晶体的路径。先后从球磨介质、球磨时间和球磨转速等方面对粉体粒径分布的影响进行展开。得到了目前烧结条件下的“最优粒径分布”,以及直线透过率14%的绿光陶瓷样品。(本文来源于《中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所)》期刊2019-06-01）
袁林光,范纪红,周晓光,占春连,卢飞[5]（2019）在《近紫外到近红外光谱辐射计及定标方法研究》一文中研究指出为实现目标光谱辐射亮度的高精度测量,研制了一种小视场近紫外到近红外光谱辐射计,光谱范围为300 nm～2 000 nm,光谱辐射亮度测量范围为50μW/cm~2·nm·sr～1 000μW/cm~2·nm·sr。阐述了近紫外到近红外光谱辐射计设计原理及关键部件,使用基于钨带灯的直接定标法实现了光谱辐射计光谱辐射亮度绝对定标,测量了标准积分球光源的光谱辐射亮度,测量值与积分球光源标准值偏差优于0.5%。(本文来源于《应用光学》期刊2019年03期）
周江聪,陈含德,李楚梅,郑志恒[6]（2019）在《近紫外激发Ca_2NaMg_2V_3O_(12):Sm~(3+)荧光粉的制备及发光性能》一文中研究指出近紫外激发单一基质白光发射荧光粉是当前LED用荧光转换材料的研究热点。采用高温固相反应制备了Ca_2NaMg_2V_3O_(12):Sm~(3+)荧光粉,并利用X射线粉末衍射仪和荧光光谱仪等测试手段,对其物质结构和荧光性能进行了表征。探讨了(VO_4)~(3-)基团的发光机理,及其与Sm3+离子之间的能量传递机制。结果表明:Ca_2NaMg_2V_3O_(12):Sm~(3+)荧光粉属于立方相晶体结构。在340 nm紫外线激发下,样品发射蓝绿光,发射最强峰位于500 nm,发射光谱覆盖整个可见光区。Sm~(3+)离子的最佳掺杂浓度为0. 03,同时(VO_4)~(3-)基团与Sm~(3+)离子之间的能量传递主要是通过电四偶极-电四偶极相互作用来实现的。(本文来源于《人工晶体学报》期刊2019年05期）
何景祺,罗莉[7]（2019）在《新型近紫外激发单一基质荧光粉Sr_2V_2O_7:Ln(Ln=Eu~(3+),Dy~(3+),Sm~(3+),Tb~(3+))的研究》一文中研究指出为了研制一种具有优越稳定性能、易于合成、吸收和近紫外芯片匹配、发光效率高的LED用新型单一基质的暖白光荧光粉,采用高温固相反应法在空气氛围下制备了单一基质的Sr_2V_2O_7(SVO):Ln(Ln=Eu~(3+), Sm~(3+), Dy~(3+), Tb~(3+))系列白光LED荧光粉.利用X射线衍射(XRD)和荧光光谱分别研究了样品的晶体结构,发光特性和能量传递机理,在350 nm的紫外激发下SVO基质自身发射黄绿色的宽光谱.荧光光谱的研究表明所有掺杂的样品都有一个基质电荷跃迁引起的近紫外激发宽带,而且SVO基质与稀土离子Eu~(3+), Dy~(3+), Sm~(3+), Tb~(3+)之间都存在着能量传递.此外,根据Dexter理论,基质和4种稀土离子之间的能量传递机理都是电偶极-偶极相互作用.研究结果表明,通过稀土掺杂可以增强荧光强度、调控发光颜色、改善色温、提高显色指数, SVO:Ln(Ln=Eu~(3+), Dy~(3+), Sm~(3+), Tb~(3+))是适合近紫外芯片激发的单一基质白光荧光粉.(本文来源于《广东工业大学学报》期刊2019年01期）
张娜,卓宁泽,程少文,朱月华,王海波[8]（2018）在《高温固相法制备ZnO∶Zn绿色荧光粉及其在近紫外LEDs中的应用研究》一文中研究指出采用高温固相法在温度900~1 100℃,时间3h的条件下制备出系列ZnO∶Zn荧光粉样品,并进行了封装应用研究。利用X射线衍射分析(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、荧光分光光度计(PL)和可见光光谱分析系统等手段对样品分别进行了表征分析。研究结果表明:所制备的荧光粉样品均具有ZnO晶型的六方纤锌矿结构,样品可以有效地被近紫外光激发,所发射的绿光光谱具有宽谱发射特征,峰位于502nm归属于氧空位发射,同时940℃条件下制备的荧光粉样品具有最高的发光强度。结合近紫外LED芯片和RGB荧光粉分别制备出绿光LED和白光LED,其中绿光LED在不同驱动电流(250~500mA)泵浦下表现出稳定的光谱发射特性,发射光谱谱型和色坐标基本未变,发射强度随电流升高而增加,所制备的白光LED在色温3 212K时,显色指数达到94.1,发光效率为85.6lm·W-1(@300mA,9.3V),在(250~500mA)驱动电流泵浦下同时也表现出稳定的光谱发射特性,所制备的ZnO∶Zn绿色荧光粉对于制备高显色、高品质近紫外白光LED具有潜在的应用价值。(本文来源于《光谱学与光谱分析》期刊2018年10期）
李婷婷,周玉春,杨路华,李晓波,王静辉[9]（2018）在《AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响》一文中研究指出在图形化蓝宝石衬底上制备了InGaN/AlGaN近紫外发光二极管(LED)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法外延生长了不同厚度的AlN成核层,系统研究了AlN成核层厚度对外延层质量和InGaN/AlGaN近紫外LED(波长395 nm)光电性能的影响。使用透射电子显微镜对外延层的截面结构及位错进行表征。结果表明,随着AlN成核层厚度的增加,位错密度不断减小,且量子阱表面V形坑尺寸逐渐减小。LED器件的光学性能和电学性能随着V形坑尺寸的减小而提高,归一化外量子效率最大值由0.55增至1;在电流350 m A时,正向电压从3.54 V降至3.45 V,又升高至3.60 V。当AlN成核层厚度超过临界值后,位错密度不降反升,量子阱表面的V形坑密度增加,导致量子阱的有效发光面积减小,外延层质量下降。InGaN/AlGaN近紫外LED的光电性能与AlN成核层厚度密切相关,最佳AlN成核层厚度为50.22 nm。(本文来源于《半导体技术》期刊2018年09期）
罗锋,张晓辉,蒋革[10]（2018）在《近紫外UVA辅助4-硫-5-(2-噻吩基)尿苷体外对人黑色素瘤A375细胞增殖作用的影响》一文中研究指出目的研究新化合物4-硫-5-(2-噻吩基)尿嘧啶核苷酸在近紫外UVA辅助下,体外抑制人黑色素瘤A375细胞增殖的作用机制。方法利用MTT法筛选4-硫-5-(2-噻吩基)尿苷和近紫外UVA的协同作用剂量;采用Annexin V-FITC/PI形态学染色法和流式细胞术对协同作用引起的细胞死亡类型做以定性判断;通过蛋白免疫印迹法,探讨协同作用在细胞内的信号传递途径。结果无毒剂量的4-硫-5-(2-噻吩基)尿苷(100μmol·L~(-1))在无害剂量的UVA(15 k J·m-2)辅助下,通过降低p38蛋白和Akt蛋白的表达及磷酸化,下调Bcl-2、pro-caspase-9和pro-caspase-3蛋白的表达量,促进Bad蛋白表达及claved-PARP蛋白的活化,诱导细胞凋亡抑制人黑色素瘤A375细胞增殖。结论 4-硫-5-(2-噻吩基)尿苷在近紫外UVA的辅助下,通过诱导细胞凋亡,抑制人黑色素瘤A375细胞增殖。(本文来源于《沈阳药科大学学报》期刊2018年08期）
近紫外论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
7月24日,广东省重点领域研发计划"硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用"启动会议在国星光电召开。该项目为2018～2019年度广东省重点领域研发计划"第叁代半导体材料与器件"重大专项资助项目,由国星光电牵头申报,佛山市国星半导体技术有限公司、华南理工大学、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、东莞科视自动化科技有限公司等单位联合参与。广东省生产力促进中心及禅城区经科局的领导及行业专家出席了启动会议。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
近紫外论文参考文献
[1].温慧霞,周艳,樊彬,李敏,赵文玉.近紫外白光LED用Ca_（2-x）SiO_3Cl_2:xEu~（3+）高效红色荧光粉的发光性能研究[J].化工新型材料.2019
[2]..广东省重点领域研发计划“硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”启动会议召开[J].中国照明电器.2019
[3].樊嘉杰,曹建武,刘杰,经周,孙博.近紫外LED封装器件的热稳定性及可靠性[J].发光学报.2019
[4].张晟.近紫外和蓝光激发的镥基氧化物发光材料的制备与发光特性研究[D].中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所).2019
[5].袁林光,范纪红,周晓光,占春连,卢飞.近紫外到近红外光谱辐射计及定标方法研究[J].应用光学.2019
[6].周江聪,陈含德,李楚梅,郑志恒.近紫外激发Ca_2NaMg_2V_3O_(12):Sm~(3+)荧光粉的制备及发光性能[J].人工晶体学报.2019
[7].何景祺,罗莉.新型近紫外激发单一基质荧光粉Sr_2V_2O_7:Ln(Ln=Eu~(3+),Dy~(3+),Sm~(3+),Tb~(3+))的研究[J].广东工业大学学报.2019
[8].张娜,卓宁泽,程少文,朱月华,王海波.高温固相法制备ZnO∶Zn绿色荧光粉及其在近紫外LEDs中的应用研究[J].光谱学与光谱分析.2018
[9].李婷婷,周玉春,杨路华,李晓波,王静辉.AlN成核层对近紫外LED外延生长的影响[J].半导体技术.2018
[10].罗锋,张晓辉,蒋革.近紫外UVA辅助4-硫-5-(2-噻吩基)尿苷体外对人黑色素瘤A375细胞增殖作用的影响[J].沈阳药科大学学报.2018