导读:本文包含了界面光学声子论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:界面光学声子模,叁元混晶,矩形量子阱线
界面光学声子论文文献综述
包锦,闫祖威[1]（2019）在《叁元混晶矩形量子阱线的界面光学声子模》一文中研究指出运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含叁元混晶的矩形量子阱线系统的界面光学声子模.以GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Zn_xCd_(1-x)Se/ZnSe为例,获得了界面光学声子模的色散关系以及界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系.结果表明:与二元晶体量子阱线系统和叁元混晶单量子线不同,在叁元混晶量子阱线系统中存在六支界面光学声子模,这六支界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和叁元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化而呈非线性变化,叁元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2019年03期）
薛忠贤[2]（2017）在《转移矩阵法求解纤锌矿Ⅲ族氮化物多层核壳纳米线中的界面光学声子》一文中研究指出纤锌矿GaN及其叁元混晶广泛用于光电器件,可通过调制材料组分改进其性质.核壳结构纳米线(CSNW)利用集成度高,可克服短沟道效应以及通过减少表面缺陷获得高电子迁移率等优势在纳米器件领域展示出应用前景.多层核壳结构纳米线(CMSNWs)常用作发光二极管、太阳能电池以及晶体管的功能单元.在低维多层体系中,界面光学声子(IOP)与电子的相互作用对光电性质有重要影响.本文以GaN-CSNW为例讨论纤锌矿CMSNWs中界面光学声子的转移矩阵法(TMM)求解.本文主要依据介电连续模型和单轴晶体模型,讨论多壳层核壳纳米线中IOP的转移矩阵数值解法及其特点.本文以叁层及四层GaN/Inxa1-xN/InyGa1-yN/InzGa1-zN核壳纳米线为例,验证方法的适用性,并进一步讨论CMSNWs中IOP的种类、支数,及其存在条件、色散关系和声子静电势等特点.计算表明,转移矩阵法适用于CMSNWs中IOP的求解.IOP以界面的可能组合的方式分类,其特征如下(1)体系材料的特定组分下,存在特定种类的IOP,且各自有特定频率区间;(2)纤锌矿Ⅲ族氮化物CMSNWs中IOP的色散关系是所有相邻两层材料所组成的核壳纳米线(CSNW)中界面光学声子色散关系的组合,从而获得n界面CMSNWs中最多有2n支IOP的规律,与层状体系中的2n原则相符;(3)IOP静电势峰值的位置取决于多层核壳纳米线中各层材料In组分的大小.基于TMM,我们可以进一步讨论纤锌矿Ⅲ族氮化物CMSCWs中IOP相关的光电性质.(本文来源于《内蒙古大学》期刊2017-05-28）
王志强,屈媛,杨福军,班士良[3]（2013）在《纤锌矿AlN/Al_xGa_(1-x)N/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响》一文中研究指出对叁元混晶纤锌矿AlN/AlxGa1-xN/AlN量子阱,通过数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气中电子的本征态和本征能级.利用雷-丁平衡方程,讨论该体系中界面光学声子对电子迁移率的影响.在计算中,对AlxGa1-xN中的体纵声子采用修正的无序元素等位移(MREI)模型,横光学声子则分别采用线性拟合(LF)和二次多项式拟合(QMF)方法,计算获得界面声子对电子的散射作用.结果表明,用LF方法获得的电子迁移率高于用QMF方法计算的值.随着Al组分的增加,两种方法之值均逐渐单调增加,且变化趋势类似.在适当的Al组分时,两种方法得到的电子迁移率都存在极值点.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2013年04期）
杨洪涛,冀文慧,呼和满都拉[4]（2012）在《极性晶体中强耦合激子与界面光学声子产生的自陷能》一文中研究指出采用线性组合和LLP变分相结合的方法研究了极性晶体界面强耦合激子的自陷能,得到了作为激子坐标和电子﹣空穴间距离函数的激子与界面光学(IO)声子相互作用产生的自陷能的表达式,进一步说明了极性晶体界面光学声子的重要性。(本文来源于《集宁师范学院学报》期刊2012年04期）
屈媛,班士良[5]（2010）在《纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子》一文中研究指出基于介电连续模型和Loudon单轴模型,采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子模.结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子发生较大变化.对给定波矢,在不同的频率范围内,存在两种界面光学声子模和两种局域光学声子模.声子色散关系和静电势分布表现出较AlN/GaN/AlN单量子阱更为复杂的形态.(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊2010年01期）
王新军,王玲玲,黄维清,唐黎明,邹炳锁[6]（2007）在《叁元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响》一文中研究指出在宏观介电连续近似下,采用转移距阵方法,研究了叁元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响.在这种有限超晶格结构中,可以清楚地看到所有界面模的演化轨迹.结果表明:存在两类局域模,它们的宏观静电势波函数分别局域在缺陷层和表面层附近,且这些模随着超晶格组分层和缺陷层的相对厚度和介电常数的改变,其局域位置和特性发生显着变化.此外,发现虽然能隙中局域模的数目不守恒,但所有界面模的总数守恒.(本文来源于《物理学报》期刊2007年01期）
危书义,黄文登,夏从新,吴花蕊[7]（2005）在《半导体球形异质结中界面光学声子及电声相互作用》一文中研究指出在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究多层球形异质结中的界面光学声子,得出了多层球形异质结中的界面光学声子的本征模解、色散关系和电子与界面光学声子相互作用的哈密顿.对5层球形异质结CdS/HgS/CdS/HgS/H2O中的界面声子的色散关系和电声相互作用的耦合强度进行了数值计算,结果发现在5层球形异质结中,存在着7支光学界面声子,但仅有一支界面声子对电声相互作用的耦合强度具有重要的影响.(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊2005年03期）
张立[8]（2005）在《多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文)》一文中研究指出采用传递矩阵方法,在介电连续近似下,推导并给出了n层耦台约化维度量子体系(包括耦合量子阱CQW, 耦合量子阱线CQWW和耦合量子点CQD)中的界面光学声子模与相应的电子-声子相互作用哈密顿的统一表达式。对由二层AlGaAs/GaAs构成的CQW,CQWW与CQD进行了数值计算,并对界面光学声子频率对体系的波矢与量子数的信赖关系进行了分析,特别是对波矢与量子数趋于0与无穷大两个极端情况从数学与物理上进行了合理的解释与说明。(本文来源于《量子电子学报》期刊2005年02期）
阎祖威[9]（1999）在《半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合》一文中研究指出采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势；给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．对ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ材料进行了数值计算和讨论(本文来源于《内蒙古大学学报(自然科学版)》期刊1999年04期）
文保钢,史俊杰,韩培中,朱利娜[10]（1995）在《有限单量子阱结构中电子──界面光学声子相互作用》一文中研究指出本文绘出了有限单量子阱结构中电子与表（界）面光学声子相互作用的类弗留里希哈密顿算符。电子──声子耦合函数被计算和讨论。(本文来源于《河南师范大学学报(自然科学版)》期刊1995年03期）
界面光学声子论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
纤锌矿GaN及其叁元混晶广泛用于光电器件,可通过调制材料组分改进其性质.核壳结构纳米线(CSNW)利用集成度高,可克服短沟道效应以及通过减少表面缺陷获得高电子迁移率等优势在纳米器件领域展示出应用前景.多层核壳结构纳米线(CMSNWs)常用作发光二极管、太阳能电池以及晶体管的功能单元.在低维多层体系中,界面光学声子(IOP)与电子的相互作用对光电性质有重要影响.本文以GaN-CSNW为例讨论纤锌矿CMSNWs中界面光学声子的转移矩阵法(TMM)求解.本文主要依据介电连续模型和单轴晶体模型,讨论多壳层核壳纳米线中IOP的转移矩阵数值解法及其特点.本文以叁层及四层GaN/Inxa1-xN/InyGa1-yN/InzGa1-zN核壳纳米线为例,验证方法的适用性,并进一步讨论CMSNWs中IOP的种类、支数,及其存在条件、色散关系和声子静电势等特点.计算表明,转移矩阵法适用于CMSNWs中IOP的求解.IOP以界面的可能组合的方式分类,其特征如下(1)体系材料的特定组分下,存在特定种类的IOP,且各自有特定频率区间;(2)纤锌矿Ⅲ族氮化物CMSNWs中IOP的色散关系是所有相邻两层材料所组成的核壳纳米线(CSNW)中界面光学声子色散关系的组合,从而获得n界面CMSNWs中最多有2n支IOP的规律,与层状体系中的2n原则相符;(3)IOP静电势峰值的位置取决于多层核壳纳米线中各层材料In组分的大小.基于TMM,我们可以进一步讨论纤锌矿Ⅲ族氮化物CMSCWs中IOP相关的光电性质.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
界面光学声子论文参考文献
[1].包锦,闫祖威.叁元混晶矩形量子阱线的界面光学声子模[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2019
[2].薛忠贤.转移矩阵法求解纤锌矿Ⅲ族氮化物多层核壳纳米线中的界面光学声子[D].内蒙古大学.2017
[3].王志强,屈媛,杨福军,班士良.纤锌矿AlN/Al_xGa_(1-x)N/AlN量子阱中界面光学声子对电子迁移率的影响[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2013
[4].杨洪涛,冀文慧,呼和满都拉.极性晶体中强耦合激子与界面光学声子产生的自陷能[J].集宁师范学院学报.2012
[5].屈媛,班士良.纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子[J].内蒙古大学学报(自然科学版).2010
[6].王新军,王玲玲,黄维清,唐黎明,邹炳锁.叁元合金缺陷层对有限超晶格中局域界面光学声子模的影响[J].物理学报.2007
[7].危书义,黄文登,夏从新,吴花蕊.半导体球形异质结中界面光学声子及电声相互作用[J].河南师范大学学报(自然科学版).2005
[8].张立.多层耦合约化维度量子体系中的界面光学声子模及其与电子的相互作用(英文)[J].量子电子学报.2005
[9].阎祖威.半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合[J].内蒙古大学学报(自然科学版).1999
[10].文保钢,史俊杰,韩培中,朱利娜.有限单量子阱结构中电子──界面光学声子相互作用[J].河南师范大学学报(自然科学版).1995