导读:本文包含了红外光电二极管论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:硫化铅量子点,光电二极管,器件结构优化,薄膜质量优化
红外光电二极管论文文献综述
李晨昊[1]（2019）在《基于硫化铅量子点的近红外光电二极管研究》一文中研究指出硫化铅晶体的能量带隙为0.41eV,可以探测到波段为3μm的红外辐射,是常用的近红外探测器材料之一。当硫化铅晶体的粒径尺寸缩小到几到几十纳米,与其波尔半径相似时,会发生量子限域效应,硫化铅原本连续的能级发生分立,并产生了一系列的奇特的光电效应:更高消光系数,吸收峰位可调谐和更宽的吸收谱等。硫化铅量子点由于制备方法简单、成本低廉、探测灵敏度高、吸收峰位可调谐等优点,被研究人员视为新一代的近红外探测器材料。本文主要研究内容为基于硫化铅量子点材料的近红外光电二极管的制备和优化。对硫化铅量子点湿法工艺中的成膜质量进行了研究,制备了近红外的光电探测器并对器件性能进行了测试和优化。取得的成果如下:(1)探究了硫化铅量子点在不同溶剂体系下旋涂的成膜性,发现过滤次数和提纯次数的多少都会对量子点成膜效果产生影响。(2)制备了基于硫化铅量子点材料的光电导探测器,器件灵敏度可以达到486 mA/W,比探测率为2.67×10~(11)Jones。(3)制备了基于硫化铅量子点材料的光电二极管,器件灵敏度为0.262 A/W,900nm的红外光外量子效率达到36.1%。但是在外加电压大于1V时漏电情况较为严重,影响器件的性能。(4)对硫化铅量子点光电二极管进行了分析,为解决漏电流问题引入了PVK作为阻挡层对暗电流进行了限制,使得暗电流与之前相比下降了两个数量级。对由于量子点薄膜配体交换而导致的薄膜龟裂问题进行了探究性实验并发现溶剂的挥发性、粘滞度、极性、清洗方式等因素都会对薄膜质量产生影响,通过优化溶剂和调控旋涂气氛等方式提高了薄膜质量。本文对硫化铅光电二极管的制备方法与制备工艺进行了优化研究,探索了硫化铅量子点薄膜质量的优化方式,为以后硫化铅量子点光电探测器的研究提供给了思路。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
杨翠霞,李勤,侯文婕[2]（2014）在《应用双极射频为基础的强脉冲光、红外光和二极管激光联合治疗国人皮肤光老化的客观评价》一文中研究指出目的:评价应用以双极射频为基础的光学(强脉冲光、红外光和二极管激光)组合设备(ELOS技术)叁联治疗对国人皮肤光老化的客观量化疗效。方法:28位志愿者接受了3次治疗(每隔3周治疗1次),每次治疗以双极射频(RF)为基础的强脉冲光(IPL)、红外光和二极管激光联合应用。选用VISIA成像系统和DermaLab高频超声进行客观评价。结果:VISIA成像系统的色斑、纹理和毛细血管扩张方面治疗前后比较,P<0.05,有显着性差异;DERMLab高频超声测量结果治疗前后比较,P<0.01,真皮致密度有显着性差异。结论:以双极射频为基础的叁种不同光源组合同时使用,对改善国人光老化皮肤的色斑、纹理和毛细血管扩张等有效,并促进真皮致密度,实现无创治疗,综合改善皮肤光老化的目的。(本文来源于《中国美容医学》期刊2014年18期）
李海滨,林春,陈兴国,魏彦峰,徐竟杰[3]（2012）在《砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能》一文中研究指出采用砷(As)掺杂HgCdTe材料研制了响应截止波长为12.5μm,规格为256×1的长波红外光电二极管阵列.实验设计了一种新的pn结测量方法,测量发现砷掺长波HgCdTe材料离子注入形成pn结深度在3.6～5.3μm之间,而其最大横向尺寸大约是设计尺寸的1.3倍.实验采用一种改进的表面处理工艺制备了砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列,获得了良好的电学性能,该工艺与常规表面处理工艺相比可以使器件峰值阻抗提高2个量级,而-0.5 v偏压下的动态电阻可提高约30倍.研究认为,器件性能提高的原因是由于改进工艺可以有效抑制器件表面漏电流.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2012年05期）
郭杰,刘应开,彭震宇,孙维国[4]（2011）在《InAs/GaSb Ⅱ型超晶格中波红外光电二极管的硫化研究》一文中研究指出采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构InAs(8 ML)/GaSb(8 ML)超晶格材料,响应光谱显示截止波长在5μm附近。通过腐蚀、光刻、溅射等工艺,制备了pin结构中波红外光电二极管。采用(NH4)2S+ZnS双层硫化对二极管表面进行钝化(,NH4)2S硫化后的二极管表面漏电流密度降低一个数量级,零偏阻抗R0增大几十倍,达到103欧姆。采用ZnS钝化后,漏电进一步减小,黑体探测率达到1×109 cmHz1/2W-1。在空气中放置一个月后再测试,信号和探测率几乎没有变化。(本文来源于《红外与激光工程》期刊2011年09期）
高[5]（2009）在《采用改进型钝化层的红外光电二极管及传感器列阵》一文中研究指出美国专利US7544532 (2009年6月9日授权)本发明提供采用改进型钝化层的InSb红外光电二极管及传感器列阵,同时还提供了其制作方法。该方法的具体步骤如下:在n型衬底中形成光电二极管探测器区之前,用分子束外延技术在n型InSb衬底上沉积一层AlInSb钝化层;直接通过该AlInSb钝化层注入一种合适的P~+掺杂剂,以形成光电二极管探测器区;有选择地去除AlInSb钝化层,使InSb衬底的第一区暴露出来,然后在InSb衬底第一区形成栅接点;在光电二极管(本文来源于《红外》期刊2009年08期）
杨春[6]（2009）在《红外发光二极管和红外光电二极管的鉴别》一文中研究指出在实际工作中,有时需要区别是红外发光二极管,还是红外光电二极管,或是光电叁极管。其方法是:若管子都是透明树脂封装,则可以从管芯安装处来区别。红外发光二极管管芯下有一个浅盘,而光电二极管和光电叁极管则没有。若管子尺寸过小或黑色树脂封装的,则可用万用表(置1kΩ档)来(本文来源于《家电检修技术》期刊2009年13期）
顾聚兴[7]（2009）在《近红外光电二极管》一文中研究指出美国Opto Diode公司展出一种名为ODA-5W- 100K的近红外红光谱强型光电二极管前置放大器。(本文来源于《红外》期刊2009年04期）
王建辉[8]（2004）在《量子点复合物发光二极管发射红外光》一文中研究指出以悬浮在半导体聚合物中的量子点为特征的电致发光合成物,可望使应用于通信的高级光源易于发展。多伦多大学发展的一种发光二极管原型能在通信波长产生近红外辐射,其发射强度依据量子点的大小而不同。一般采用外延生长或化学蒸汽沉积技术中实现半导体堆的Stranski-(本文来源于《激光与光电子学进展》期刊2004年04期）
高[9]（2003）在《CMOS成像器用深红外光电二极管》一文中研究指出基于半导体的成像器有许多种类型,其中包括CCD、光电二极管列阵、电荷注入器件以及混成焦平面列阵。CCD常被用于图像获取,特别是小尺寸成像(本文来源于《红外》期刊2003年01期）
张贤义[10]（1994）在《单片激光二极管可同时发射红光及红外光》一文中研究指出单片激光二极管可同时发射红光及红外光ＸｅｒｏｘＰａｌｏＡｌｔｏ研究中心（ＰａｌｏＡｌｔｏ，ＣＡ）的科学家们在ＧａＡｓ衬底上生长出单管可见（６８０ｎｍ）和红外（８３０ｎｍ）的激光二极管。这种紧密排列由芯片低压金属有机物气相外延方法制成。采用ＡｌＩｎＰ作...(本文来源于《激光技术》期刊1994年03期）
红外光电二极管论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
目的:评价应用以双极射频为基础的光学(强脉冲光、红外光和二极管激光)组合设备(ELOS技术)叁联治疗对国人皮肤光老化的客观量化疗效。方法:28位志愿者接受了3次治疗(每隔3周治疗1次),每次治疗以双极射频(RF)为基础的强脉冲光(IPL)、红外光和二极管激光联合应用。选用VISIA成像系统和DermaLab高频超声进行客观评价。结果:VISIA成像系统的色斑、纹理和毛细血管扩张方面治疗前后比较,P<0.05,有显着性差异;DERMLab高频超声测量结果治疗前后比较,P<0.01,真皮致密度有显着性差异。结论:以双极射频为基础的叁种不同光源组合同时使用,对改善国人光老化皮肤的色斑、纹理和毛细血管扩张等有效,并促进真皮致密度,实现无创治疗,综合改善皮肤光老化的目的。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
红外光电二极管论文参考文献
[1].李晨昊.基于硫化铅量子点的近红外光电二极管研究[D].哈尔滨工业大学.2019
[2].杨翠霞,李勤,侯文婕.应用双极射频为基础的强脉冲光、红外光和二极管激光联合治疗国人皮肤光老化的客观评价[J].中国美容医学.2014
[3].李海滨,林春,陈兴国,魏彦峰,徐竟杰.砷掺HgCdTe长波红外光电二极管阵列的制备与性能[J].红外与毫米波学报.2012
[4].郭杰,刘应开,彭震宇,孙维国.InAs/GaSbⅡ型超晶格中波红外光电二极管的硫化研究[J].红外与激光工程.2011
[5].高.采用改进型钝化层的红外光电二极管及传感器列阵[J].红外.2009
[6].杨春.红外发光二极管和红外光电二极管的鉴别[J].家电检修技术.2009
[7].顾聚兴.近红外光电二极管[J].红外.2009
[8].王建辉.量子点复合物发光二极管发射红外光[J].激光与光电子学进展.2004
[9].高.CMOS成像器用深红外光电二极管[J].红外.2003
[10].张贤义.单片激光二极管可同时发射红光及红外光[J].激光技术.1994