导读:本文包含了钛酸锶铅薄膜论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:铁电薄膜,电子能带结构,光学特性,带尾
钛酸锶铅薄膜论文文献综述
李延青,吴曼,杨静[1]（2019）在《锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）》一文中研究指出通过透射光谱研究了锰掺杂量对钛酸锶铅铁电薄膜光学特性尤其是带-带跃迁和带尾吸收特性的影响,并利用柯西色散关系获得了光学透明区的光学常数.研究表明:随着锰掺杂量的增加,钛酸锶铅铁电薄膜的禁带宽度减小而带尾能增加.禁带宽度随锰掺杂的收缩可以归因为锰3d轨道降低了导带底的能级及掺杂后晶格的减小.掺杂锰离子的随机占位和非等价掺杂后氧空位浓度的增加则是导致局域带尾态拓宽的主要原因.(本文来源于《红外与毫米波学报》期刊2019年05期）
杨淼,王金斌,钟向丽,李波[2]（2019）在《失配应变对钛酸铅薄膜正负弹卡效应的影响》一文中研究指出基于朗道-德文希尔理论,通过热力学分析,描述了钛酸铅薄膜的正负弹卡效应与应力场的关系,以及失配应变对钛酸铅薄膜正负弹卡效应的影响.结果表明,对钛酸铅薄膜施加不同应力场可以得到正负弹卡效应.失配应变对钛酸铅薄膜弹卡效应有较大的影响,拉伸失配应变增强钛酸铅薄膜负弹卡效应,拉伸失配应变为0.000 4时使钛酸铅薄膜负弹卡效应温度变化峰值增大约2.3 K,室温附近的温度变化增大约1.2 K,同时温度变化的峰值向室温方向偏移约55℃;压缩失配应变对钛酸铅薄膜正弹卡效应有促进作用,压缩失配应变为-0.002时使钛酸铅薄膜正弹卡效应室温温度变化增大约1 K.在失配应变调控下,同时利用钛酸铅薄膜正负弹卡效应,钛酸铅薄膜可以在室温附近获得约14 K的温度改变,对于钛酸铅薄膜弹卡效应在固体制冷上的应用有重要意义.(本文来源于《湘潭大学学报(自然科学版)》期刊2019年04期）
姚月月[3]（2019）在《粒子辐照对锆钛酸铅薄膜电学特性的影响及其退火效应》一文中研究指出锆钛酸铅薄膜材料因具有优异的铁电、压电、热释电等性能受到研究人员的广泛关注。以锆钛酸铅铁电薄膜为关键材料的传感器、存储器、红外探测器等电子元器件在航天领域有非常好的应用前景。然而航天用电子元器件会受到各种环境因素的侵扰。其中,带电粒子辐射严重影响了材料与器件的服役特性,进而影响了航天器的稳定运行与服役寿命。因此,研究锆钛酸铅薄膜材料的辐射退化规律及机理对于航天用电子器件的设计和使用至关重要。利用溶胶-凝胶法制备了锆钛酸铅铁电薄膜,研究基底(Pt/Ti/SiO_2/Si基和Si基)和退火温度(600℃、650℃、700℃、750℃)对PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3(PZT)铁电薄膜性能的影响,通过对相关测试结果进行比较,发现以Pt为基底,650℃制备的PZT薄膜具有最好的结晶度、表面形貌和电学性能。通过系统研究电子辐照能量和注量对PZT铁电薄膜电学特性的影响规律,可以发现随着辐照能量和注量的增加,辐照样品的极化强度和介电常数退化明显,低频介电损耗随能量和注量增加而减小,高频介电损耗没有明显变化。同时,辐照后PZT样品电学性能随时间的延长明显降低。通过质子辐照作用下PbZr_(0.52)Ti_(0.48)O_3铁电薄膜的电学特性及其随时间的演化行为(即时间退火效应)研究,结果表明随着质子辐照注量增加,极化强度和介电常数下降的更多,低频介电损耗增大,高频介电损耗没有明显变化。质子辐照后PZT薄膜极化强度的变化具有随时间的滞后现象,介电常数和介电损耗随时间未发现明显的随时间滞后现象。此外,质子辐照后PZT薄膜的(111)特征峰峰位左移,且辐照注量越大,左移越严重,半高宽增大,薄膜残余应力由压应力变成拉应力,辐照后PZT薄膜中元素价态发生变化,部分Pb元素由+2价变为+4价。通过不同退火条件(温度、气氛)下,粒子辐照后PZT样品电学特性的回复行为研究,结果表明两种辐照样品的电学性能均在500℃退火时得到最大程度的回复,而退火气氛对辐照样品电学性能的回复没有特别明显的作用。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2019-06-01）
贺安鹏[4]（2019）在《P型非晶碳薄膜/钛酸锶表面电子气异质结光致负磁电阻的特性研究》一文中研究指出铝酸镧(LaAlO_3,LAO)与钛酸锶(SrTiO_3,STO)均是钙钛矿结构的绝缘氧化物。近年来,研究人员在LAO/STO异质结界面诱发出高浓度的电子气,其拥有量子霍尔效应、磁电阻、超导等绝缘氧化物所不具备的物理特性。而另一种制备电子气的方法是通过Ar~+轰击STO在其表面诱发氧空位,其产生的电子气与LAO/STO界面电子气具有许多相似的物理特性,如磁电阻、持续光电导效应等。尽管电子气是电子导电体系(n型),直到目前尚没有研究表明它可与p型材料构成p-n结。一个主要的难点是电子气一般隐藏在界面之中,很难与其它材料形成接触。而Ar~+轰击制备的STO表面电子气(STO surface electron gas,SSEG)恰恰能解决该问题。因此本研究主要关注于利用该方法构建p-n结及其相关的物理特性。SSEG通过Ar~+轰击单晶STO(100)制备。经200 V与400 V电压加速的Ar~+轰击STO制备了载流子面密度(n_s)不同的SSEG,尽管n_s更小的SSEG展现出更低的迁移率,但它们都表现出金属行为。在n_s不同的SSEG中研究了光与磁电阻、磁与光电导效应的关系。实验结果表明:光照射在较小n_s的样品中表现出对正磁电阻的增益效果,而在较大的n_s样品中将抑制正磁电阻效应;在磁场的作用下,n_s更小的SSEG的光电导效应会被轻微的抑制,而n_s更大的SSEG的光电导效应被显着增强。本研究开发了一种简单、普适的Ar~+辐射方法用于p型非晶碳薄膜(p-type amorphous carbon film,p-a-C)/SSEG(p-a-C/SSEG)p-n结的构建,该方法还适用于SSEG与其它p型半导体材料p-n结的制备。之后在低温环境下研究了p-n结在黑暗和光辐射下的磁电阻特性,随着激光器的开启,p-n结从正磁电阻态演变为负磁电阻态。此外,光功率密度的改变只影响正磁电阻态转变到负磁电阻态所需的时间,而不改变最终的负磁电阻态。另一个非常有趣的现象是:p-a-C/SSEG异质结在经历一个光脉冲转变为负磁电阻态后,在无光条件下仍然保持着负磁电阻态,这表明该p-n结对光信号具有长期记忆能力,并且在去掉外加磁场后就可以转变为正磁电阻态。因此,p-a-C/SSEG异质结在可擦写光记忆存储器件方面具有应用前景。(本文来源于《苏州科技大学》期刊2019-04-01）
孙科学[5]（2018）在《铟酸铋—钛酸铅薄膜的铁电和压电特性研究》一文中研究指出本文主要研究xBiInO3-(1-x)PbTiO3(xBI-(1-x)PT)薄膜材料的制备与表征,包括:晶体结构与形貌、铁电性、居里温度、压电性等相关内容。全文共分为五章,除第一章绪论和第五章总结与展望之外,主要包括叁部分内容:(1)xBI-(1-x)PT薄膜的制备、晶体结构与形貌、铁电性、居里温度等特性的研究;(2)基于悬臂梁方法的xBI-(1-x)PT薄膜横向压电特性的实验研究;(3)xBI-(1-x)PT薄膜横向压电特性的理论研究。1、xBI-(1-x)PT薄膜材料的制备与薄膜结构、铁电、居里温度特性研究近年来,铁电薄膜在存储器、表面声波及光电器件等领域的应用得到了广泛关注和研究。为了保证铁电器件具有优良性能,要求铁电材料具有大的剩余极化强度(Pr)及高的居里温度(Tc)。发展高温铁电薄膜材料是重要的问题,特别是在汽车工业、航空航天以及地质和石油勘探等领域中存在温度相对较高(T>200℃C)、且波动较大的情况,对铁电薄膜器件的温度稳定性提出了更加苛刻的要求。钙钛矿系固溶体Bi(Me)O3-PbTiO3(Me:Sc,In,Y,Yb,etc.)高温铁电陶瓷、薄膜材料成为高居里温度压电材料的研究热点。本文为获得同时具有高铁电性和高居里温度的铁电薄膜,利用射频磁控溅射方法在单晶MgO(100)及缓冲层异质结构基底上沉积La掺杂的xBI-(1-x)PT薄膜,并通过不同BI组分和La掺杂浓度对薄膜性能的影响进行研究,包括对薄膜的生长取向、形貌、铁电性、介电性和居里温度进行研究,获得综合性能良好的高铁电性、高居里温度的铁电薄膜。并对以硅为基底的BI-PT薄膜的结构和铁电性进行了初步研究2、基于悬臂梁方法的xBI-(1-x)PT薄膜横向压电特性的实验研究众所周知,具有铁电性的材料一般具有压电性。近几十年来,压电薄膜因其广泛应用于超声波换能器、声表面波传感器、加速度计、微型制动器和能量收集器等超声波电子器件和MEMS器件,受到越来越高的关注。本文重点研究xBI-(1-x)PT薄膜的有效横向压电系数。有效横向压电系数(e31,f)是压电薄膜材料的一个重要性能指标。在制备优化的xBI-(1-x)PT薄膜基础上,通过多层悬臂梁,实验研究xBI-(1-x)PT薄膜的有效横向压电系数,当压电薄膜悬臂梁在交变电压作用下,产生弯曲振动时,利用激光多普勒测振仪实验测量多层悬臂梁自由端的振动振幅,并根据悬臂梁法评估横向压电系数的基本原理,计算薄膜的有效横向压电系数,进而研究xBI-(1-x)PT薄膜的横向压电性能。得出在3 mol.%La掺杂下,0.15BI-0.85PT薄膜的有效横向压电系数高达-9.35 C/m2。说明通过调控BI组分及La掺杂浓度,可得到优化的压电薄膜性能。3、xBI-(1-x)PT薄膜材料的横向压电特性理论研究基于薄膜压电特性实验研究的结果,对La掺杂的xBI-(1-x)PT压电薄膜横向压电特性进行理论研究。利用Material Studio软件的CASTEP(Cambridge Sequential Total Energy Package)模块中的第一性原理方法,进行xBI-(1-x)PT 薄膜的弹性系数计算,通过COMSOL软件进行有限元计算薄膜材料的横向压电特性,并将理论数据和实验数据进行分析和对比,两者基本相符。为了验证上述方法的有效性,首先通过Material Studio软件计算PbTiO3薄膜材料,得到的计算结果与现有的实验结果基本相符,说明该方法可以有效计算薄膜材料的弹性参数。其次通过COMSOL软件对基于MgO基底的PZT-5A压电薄膜组成悬臂梁进行有限元分析,将计算的有效横向压电系数和已知文献数据进行对比,得到计算可靠性的结论。说明上述方法是可靠的。文章的最后(第五章)是对全文的总结以及今后工作的展望。(本文来源于《南京大学》期刊2018-05-01）
彭刘[6]（2018）在《钛酸铅薄膜中畴壁导电性调控的相场模拟研究》一文中研究指出铁电畴壁在未来纳米电子器件领域中拥有十分广阔的应用前景,它们具有与铁电畴不同的性质,并且可以根据人们的需求轻易的生成、消除以及重新配置。铁电畴壁在导电方面表现的尤为突出,其中带电畴壁拥有着超强的导电性,这一特殊的性能导致了“铁电畴壁存储器”这一概念的出现,而如何调控铁电畴壁的导电性是将畴壁应用于存储器件的关键。现有研究表明,铁电薄膜中畴壁的导电性与畴壁的类型、数量以及长度等密切相关,而失配应变、外电场以及空间电荷等因素都对畴壁的结构有一定的影响。因此,从铁电薄膜的微观结构出发,研究这些外界因素对铁电畴壁导电性的影响,对调控铁电畴壁的导电性具有一定参考价值。本文采用相场方法,以经典铁电材料PbTi03作为研究对象,研究了失配应变、外电场以及空间电荷对铁电畴壁及其导电性的影响,主要研究内容如下:(1)建立了铁电薄膜中畴壁导电性研究的相场模型,研究了失配应变对铁电薄膜中90°畴壁及其导电性的影响。研究结果表明:失配应变会使铁电薄膜中畴壁的位置发生移动,从而改变铁电薄膜中的载流子分布情况;当失配压应变从-0.001增加到-0.004时,畴壁的导电性变化不大,而当失配拉应变从0.001增加到0.004时,畴壁的电导率增大了 5倍左右。(2)在建立的畴壁导电性研究的相场模型基础上,研究了电场对铁电薄膜中90°畴壁及其导电性的影响。研究结果表明:在纵向电场的作用下,当电场逐渐增大时,畴壁的长度逐渐缩短,畴壁的电导率最高增大了6倍左右;在双向电场的作用下,铁电薄膜中原来的头对尾90°畴壁转变为头对头和尾对尾90°带电畴壁,并且随着电场逐渐增大,头对头90°带电畴的导电性逐渐减弱,其电导率变化范围在103-106之间;此外,界面电场会对铁电薄膜中带电畴壁的结构造成一定影响,但由于其作用范围较小,导致界面电场对头对头90°带电畴壁的导电性影响不大。(3)将空间电荷引入到畴壁导电性研究的相场模型中,研究了不同分布类型的空间电荷对铁电薄膜中90°带电畴壁的影响。研究结果表明:随着均匀分布空间电荷密度的增大,铁电薄膜中尾对尾90°带电畴的长度逐渐缩短,而头对头90°带电畴壁几乎不受影响;非均匀分布的空间电荷使得尾对尾和头对头90°带电畴壁的长度都有所缩短,随着空间电荷密度的增大,其导电性逐渐减弱。(本文来源于《湘潭大学》期刊2018-05-01）
张德强,蔡长龙,纪红芬,林大斌[7]（2018）在《铌镁酸铅-钛酸铅薄膜的钙钛矿结构及介电特性》一文中研究指出为了提高铌镁酸铅-钛酸铅(Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3,PMN-PT)薄膜的铁电特性,采用单一醇盐溶胶-凝胶法制备了PMN-PT薄膜,分析了铌镁酸铅-钛酸铅薄膜的钙钛矿结构纯度及介电特性.结果表明:PMN-PT薄膜具有(100)择优取向,钙钛矿结构纯度达到97.7%,晶粒尺寸为95~105 nm;室温下,其相对介电常数达到1 135,介电损耗低于4%,弥散相变温度为85~120℃.(本文来源于《西安工业大学学报》期刊2018年02期）
董汉莛[8]（2017）在《贱金属衬底上钛酸锶钡薄膜的制备及介电性能的唯象理论研究》一文中研究指出铁电薄膜材料根据其介电、压电、热释电、铁电性能等物理性能常被用于铁电移相器、压电能量收集器、热释电探测器、铁电存储器等器件。作为常用的一类铁电薄膜材料,钛酸锶钡(BST)薄膜具有较大的介电非线性,且由于其在微波调谐器件的应用而受到广泛关注。基于在MEMS结构移相器的潜在应用,本论文采用溶胶凝胶工艺在贱金属衬底上制备了BST多层薄膜。通过多层结构设计提高薄膜的调谐率,并结合唯象理论,研究面内应力与静电耦合效应对BST薄膜介电性能的影响。首先,在不锈钢(SS)衬底上制备BST薄膜,研究了LaNiO_3(LNO)缓冲层对BST薄膜结构和性能的影响。结果表明,引入150 nm的LNO缓冲层,使BST薄膜的晶化温度从750 ~oC下降至720 ~oC,并提高了BST薄膜的调谐率,降低了介电损耗和漏电流密度。BST/LNO薄膜在1 MHz下的介电损耗为0.053,在300 kV/cm电场下的调谐率为26.3%。其次,为了进一步提高LNO/SS衬底上BST薄膜的调谐率,设计制备了叁明治结构和组分梯度结构BST薄膜。叁明治结构Ba_xSr_(1-x)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_xSr_(1-x)TiO_3和Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_xSr_(1-x)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3多层薄膜的介电常数和调谐率与平均Ba/Sr比和迭层秩序密切相关,中间层Ba/Sr比较小的薄膜具有较大的介电常数和调谐率。Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的调谐率最大,在300 kV/cm电场下达到30.0%。从上表面到底电极Ba/Sr比逐渐增大的组分梯度Ba_(0.6-x )Sr_(0.4+x)TiO_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Ba_(0.6+x)Sr_(0.4-x)TiO_3/LNO/SS多层薄膜具有较大的介电常数和调谐率,以及较小的损耗和较好的温度稳定性,当x=0.2时,其1 MHz下的损耗为0.040,400 kV/cm电场下的调谐率达到42.0%,介电温度系数(TCP)为2.3×10~(-4)/~oC。进一步,基于铁电-介电层之间的静电耦合效应,在LNO/Ti衬底上制备了不同厚度的PbZr_(0.2)Ti_(0.8)O_3/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3多层薄膜。该薄膜中PZT和BST两相共存,晶粒尺寸和漏电流密度都小于单一组分PZT和BST薄膜。当BST含量α=0.5时,300 nm厚的多层薄膜在1 MHz下介电常数和调谐率出现峰值,分别达到501和41.1%,损耗为0.064。TCP为2.7×10~(-4)/~oC,具有较好的温度稳定性。最后,引入Landau-Devonshire(L-D)唯象理论模型研究了贱金属衬底上多层薄膜的应力和静电耦合效应对其介电性能的影响。采用L-D模型研究非外延多晶薄膜的介电性能需要考虑应力在薄膜与衬底界面上的面内弛豫,本文结合铁电临界晶粒尺寸对L-D模型进行了修正。用修正的L-D模型计算贱金属衬底上叁明治结构和组分梯度等BST多层薄膜的介电常数、调谐率和应力,与实验结果一致,并发现当多层薄膜承受较小的压应力时,表现出较大的介电常数和调谐率。此外,Ti衬底上PZT/BST多层薄膜的介电常数和调谐率的测量值介于未耦合和完全耦合的计算值之间,表明PZT和BST薄膜在厚度方向上发生了静电耦合。假设静电耦合范围为150 nm,不同厚度PZT/BST多层薄膜的介电常数和调谐率的计算值与实验结果具有较好的一致性。(本文来源于《上海大学》期刊2017-10-01）
周帆[9]（2017）在《脉冲激光沉积法制备钛酸锶钡薄膜及性能研究》一文中研究指出Ba1-xSrxTiO3(BST)薄膜材料因具有较高的介电常数及优良的介电非线性效应,在动态随机存储器(DRAM)及电压可调微波器件等方面具有良好的应用前景。为了与半导体工艺兼容,Si基BST薄膜成为当前研究热点之一。目前这类BST薄膜存在的主要问题是薄膜的介电损耗较高,难以达到应用要求,而掺杂改性成为试图解决这类问题的重要手段。本文首先采用固相反应法制备不同浓度Mn掺杂的Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷,作为脉冲激光沉积(PLD)法制备Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜材料的靶材,随后在Si(001)基片上探究了 BST/LNO/Si的制备工艺,并研究了 Mn掺杂对BST薄膜性能的影响。主要研究成果如下:(1)首先通过固相反应法制备了Ba0.5Sr0.5TiO3陶瓷,研究了烧结温度对陶瓷靶材性能的影响并确定1300 ℃为最终烧结温度。随后制备了不同浓度Mn掺杂BST陶瓷,研究Mn掺杂浓度对BST陶瓷性能的影响。发现Mn掺杂会影响BST陶瓷的介电性能,样品介电常数随Mn掺杂浓度升高而降低,介电损耗随掺杂浓度升高先减小后增大。(2)采用自制靶材,在制备好的LNO/Si上用PLD法沉积BST薄膜,研究了 PLD法制备BST薄膜过程中沉积气压、激光能量和脉冲频率对薄膜结构的影响,确定了 BST薄膜最优的生长工艺为衬底温度650 ℃、氧分压5 Pa、激光能量220 mJ、脉冲频率2 Hz、沉积时间 60 min、靶基距离 45 mm。。(3)研究了 Mn掺杂浓度变化对BST薄膜介电性能的影响。结果发现Mn掺杂薄膜样品与陶瓷样品的介电性能随掺杂浓度变化有着相似的规律,即薄膜介电常数随Mn掺杂浓度升高而降低,介电损耗随掺杂浓度先减小后增大。另外,Mn掺杂起到了改善BST薄膜漏电流的作用。结果表明BST薄膜在掺杂浓度为2 mol%时介电性能相对较好。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
王欣[10]（2017）在《外延钛酸锶薄膜及介电调谐性能研究》一文中研究指出钛酸锶(STO)薄膜在液氮温区具有非常好的非线性介电性质,这种介电常数随着外加电场变化的特性,使得它在电可调谐微波集成器件上有着广阔的应用前景。虽然介电材料已经得到了广泛的研究,但如何在实现高调谐率的同时依然保持较低的介电损耗仍然是研究的难点。近年来,研究发现多层外延薄膜可以实现这种协调。镍酸镧(LNO)薄膜与STO同属钙钛矿结构,具有良好的导电性且与STO晶格匹配性好,因而可以成为外延STO薄膜优异的电极材料。本文从STO薄膜的热处理温度和上电极材料两方面对其介电调谐性能的影响进行了研究,取得以下研究成果:(1)采用溶胶-凝胶法在(00l)LAO基板上制备了以LNO为底电极的外延STO薄膜,研究了异质同构薄膜取向特性的检测方法,发现采用高指数晶面可以分析外延薄膜的面内取向。进一步研究了热处理温度对STO/LNO复合薄膜介电调谐性能的影响,发现随着热处理温度的提高,Pt/STO/LNO结构的介电调谐率增加,介电损耗降低,最佳热处理温度下制备的Pt/STO/LNO复合结构的调谐率为49.8%,介电损耗为0.0115,优值因子为43.3。(2)采用感光溶胶-凝胶法制备出了具有良好导电性的LNO图形化薄膜,将其应用于STO/LNO复合薄膜上电极的制备,形成上下电极对称的LNO/STO/LNO电容结构,介电性能分析表明LNO/STO/LNO结构比Pt/STO/LNO结构介电性能更加优异,其优值因子可达到82.4。(3)通过J-V特性分析了 Pt、LNO上电极材料对STO/LNO结构中STO介电性能的影响机理。研究发现,随着温度的降低(80～300 K温度范围内),Pt/STO/LNO和LNO/STO/LNO两种异质结构中的漏电流密度均减小,进一步分析发现Pt/STO/LNO结构中Pt/STO界面存在肖特基势垒,LNO/STO/LNO结构中并没有观察到明显的势垒,肖特基势垒的存在影响了 STO的极化过程,导致Pt/STO/LNO异质结构中更高的介电损耗。(本文来源于《西安理工大学》期刊2017-06-30）
钛酸锶铅薄膜论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于朗道-德文希尔理论,通过热力学分析,描述了钛酸铅薄膜的正负弹卡效应与应力场的关系,以及失配应变对钛酸铅薄膜正负弹卡效应的影响.结果表明,对钛酸铅薄膜施加不同应力场可以得到正负弹卡效应.失配应变对钛酸铅薄膜弹卡效应有较大的影响,拉伸失配应变增强钛酸铅薄膜负弹卡效应,拉伸失配应变为0.000 4时使钛酸铅薄膜负弹卡效应温度变化峰值增大约2.3 K,室温附近的温度变化增大约1.2 K,同时温度变化的峰值向室温方向偏移约55℃;压缩失配应变对钛酸铅薄膜正弹卡效应有促进作用,压缩失配应变为-0.002时使钛酸铅薄膜正弹卡效应室温温度变化增大约1 K.在失配应变调控下,同时利用钛酸铅薄膜正负弹卡效应,钛酸铅薄膜可以在室温附近获得约14 K的温度改变,对于钛酸铅薄膜弹卡效应在固体制冷上的应用有重要意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
钛酸锶铅薄膜论文参考文献
[1].李延青,吴曼,杨静.锰掺杂对钛酸锶铅铁电薄膜带-带跃迁和带尾吸收特性的影响（英文）[J].红外与毫米波学报.2019
[2].杨淼,王金斌,钟向丽,李波.失配应变对钛酸铅薄膜正负弹卡效应的影响[J].湘潭大学学报(自然科学版).2019
[3].姚月月.粒子辐照对锆钛酸铅薄膜电学特性的影响及其退火效应[D].哈尔滨工业大学.2019
[4].贺安鹏.P型非晶碳薄膜/钛酸锶表面电子气异质结光致负磁电阻的特性研究[D].苏州科技大学.2019
[5].孙科学.铟酸铋—钛酸铅薄膜的铁电和压电特性研究[D].南京大学.2018
[6].彭刘.钛酸铅薄膜中畴壁导电性调控的相场模拟研究[D].湘潭大学.2018
[7].张德强,蔡长龙,纪红芬,林大斌.铌镁酸铅-钛酸铅薄膜的钙钛矿结构及介电特性[J].西安工业大学学报.2018
[8].董汉莛.贱金属衬底上钛酸锶钡薄膜的制备及介电性能的唯象理论研究[D].上海大学.2017
[9].周帆.脉冲激光沉积法制备钛酸锶钡薄膜及性能研究[D].西安理工大学.2017
[10].王欣.外延钛酸锶薄膜及介电调谐性能研究[D].西安理工大学.2017