导读:本文包含了自停止腐蚀论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:微机械压力传感器,谐振式压力传感器,双端固支梁,差分检测
自停止腐蚀论文文献综述
李玉欣,陈德勇,王军波,焦海龙,罗振宇[1]（2011）在《基于自停止腐蚀技术的H型谐振式微机械压力传感器》一文中研究指出为了提高压力传感器的精度并抑制温漂,提出了一种基于自停止腐蚀技术的"H"型双端固支梁、电磁激励、差分检测的微机械(MEMS)谐振式压力传感器。首先,通过有限元分析仿真优化了传感器的机械参数,得到了较高的灵敏度和分辨率。然后,基于浓硼扩散自停止腐蚀原理,采用MEMS体硅标准工艺加工出一致性较好的传感器样品。最后,采用非光敏BCB,在真空高温高压条件下将硅片与谐振器黏和键合完成了传感器的真空封装,并设计了应力隔离的后封装方法以降低温漂。实验结果表明:传感器的检测范围为0～120kPa,满量程非线性度低于0.02%,准确度达到0.05%FS,加入应力隔离后在-40～70℃的温度漂移不高于0.05%/℃。该传感器能够实现大量程高精度的压力测量,有效地抑制了温漂,具有较高的性能指标。(本文来源于《光学精密工程》期刊2011年12期）
李俊伍,顾慧,黄见秋,秦明[2]（2010）在《基于TMAH溶液的PN结自停止腐蚀的研究》一文中研究指出MEMS器件的性能与尺寸密切相关。介绍了一种精确控制器件尺寸的各向异性腐蚀方法——基于改进TMAH溶液的PN结自停止腐蚀。这种方法几乎不刻蚀铝,从而与CMOS工艺良好地兼容。应用这种办法正面腐蚀,成功释放结构,尺寸与设计比较符合,证明了这种方法的可行性及易操作性。(本文来源于《电子器件》期刊2010年03期）
肖飞[3]（2008）在《基于自停止腐蚀的双面梁—质量块结构加速度传感器研究》一文中研究指出电容式微加速度传感器具有分辨率高、动态范围大、噪声低、温度特性好等优点,可以广泛应用于惯性导航、空间微重力测量及石油勘探等领域。本论文设计制作了一种基于自停止腐蚀的叁明治电容式加速度传感器。它的梁-质量块结构由8根悬臂梁对称分布在质量块上下表面而成。梁的制作工艺结合ICP干法刻蚀和KOH各向异性自停止腐蚀,由单层(100)硅片得到双面梁-质量块结构。这种方法工艺简单,制作的V截面梁内应力小,尺寸参数可以精确控制——宽度、厚度分别由ICP刻蚀的宽度和深度决定,可以在不改变版图的情况下,通过改变ICP刻蚀深度得到不同灵敏度的传感器。最后KOH自停止腐蚀形成梁时,即使短时间过腐也不会影响梁的厚度,因而梁的一致性不会受到硅片整体平整度的影响。首先,建立了梁-质量块结构的简化模型,分析了主要尺寸参数对器件灵敏度、频率响应、带宽、噪声等性能的影响,优化了器件结构。最后确定的结构参数为:质量块2500um×2500um×415um,梁长770um、宽18um、厚17um,电容间隙4um。然后,对器件的关键工艺特别是V截面梁制作工艺做了重点研究,理论分析了KOH自停止腐蚀的演变过程。对于叁明治加速度传感器,质量块层电极的引出是一个难点,我们通过采用上极板上制作引线孔的方法仅用一次蒸铝就同时获得上极板和质量块层的引线电极。在关键工艺研究的基础上,设计了器件工艺流程,制作出了传感器。最后,对所制作的17um梁厚的加速度传感器做了初步的性能测试。测试结果表明,器件品质因子为45左右,配合接口电路之后的灵敏度为0.35 V/g。(本文来源于《中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）》期刊2008-05-01）
唐海林,凌宏芝[4]（2007）在《高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究》一文中研究指出为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究。结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。扩散所得硅片的测试结果与理论计算相当吻合,当再分布与预淀积时间比为1.5倍时,扩散结深为21.7μm,自停止腐蚀层为14μm。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2007年09期）
徐静[5]（2005）在《单晶硅自停止腐蚀工艺研究》一文中研究指出浓硼扩散腐蚀自停止工艺是微机械加工中用于精确控制厚度尺寸的常用工艺,被广泛应用于微陀螺、微加速度计等惯性器件的加了工艺中。本论文研究了硼扩散腐蚀自停止的工艺,包括扩散和腐蚀两个关键工艺,并对扩散过程中引入的应力进行了分析和推导。主要内容包括: 1.扩散过程中各工艺参数的选择与分析。 通过测试方块电阻和浓度梯度,分析了扩散气流方向以及大小、扩散温度、扩散时间、硅片衬底类型、扩散源和硅片之间的间隙等对扩散质量的影响,并选择了合适的工艺参数。 2.腐蚀工艺中腐蚀剂的选择与分析。 研究了两种腐蚀剂KOH、EPW对单晶硅的腐蚀,实验表明KOH没有EPW腐蚀质量好。通过实验确定了EPW腐蚀液合适的成分配比和腐蚀温度。另外,在实验过程中,研究了硼硅玻璃腐蚀剂和同向腐蚀剂,成功加工出悬臂梁。 3.扩散所引入的应力分析。 加工出不同尺寸的悬臂梁,并测试了悬臂梁结构的离面位移。通过对离面位移曲线的分析,得到了其中的应力大小及其分布。(本文来源于《中国工程物理研究院》期刊2005-03-15）
唐圣明,陈思琴,韩明[6]（2001）在《自停止腐蚀工艺的观察》一文中研究指出自停止腐蚀工艺是在大规模集成电路工艺基础上发展起来的一项腐蚀工艺 ,它利用不同浓度的腐蚀剂对不同掺杂浓度的硅片腐蚀速度差异 ,达到制备一定形状的器件的目的 ,这项工艺在微机械器件的制作中 ,具有特殊的意义。本文即是利用不同浓度的ＫＯＨ溶液对硼掺杂浓度小于(本文来源于《电子显微学报》期刊2001年04期）
唐圣明,陈思琴,韩明[7]（2001）在《自停止腐蚀工艺的观察》一文中研究指出自停止腐蚀工艺是在大规模集成电路工艺基础上发展起来的一项腐蚀工艺,它利用不同浓度的腐蚀剂对不同掺杂浓度的硅片腐蚀速度差异,达到制备一定形状的器件的目的,这项工艺在微机械器件的制作中,具有特殊的意义。本文即是利用不同浓度的KOH溶液对硼掺杂浓度小于1×1(本文来源于《第二届全国扫描电子显微学会议论文集》期刊2001-06-30）
周伟勤,徐义刚,王跃林[8]（1996）在《数片硅同时自停止腐蚀技术研究》一文中研究指出本文从理论和实验上证明了数片硅同时自停止腐蚀的可行性。结果表明:KOH溶液非常适用于该技术;当几片硅同时进行电化学腐蚀时不会互相影响;而且当它们的开路电位(OCP)、钝化电位(PP)以及各片硅腐蚀完成的时间均有差别时,都能有效地实现自停止。实验以4片硅同时自停止腐蚀为例,最后所得的4片硅膜厚相差不到1μm。(本文来源于《仪表技术与传感器》期刊1996年06期）
李国正[9]（1995）在《Si的化学自停止腐蚀方法的研究》一文中研究指出本文介绍了两种化学自停止腐蚀Ｓｉ的方法和原理，并将它与电化学自停止腐蚀作了简要比较。(本文来源于《微电子学》期刊1995年04期）
徐义刚,王跃林,曾令海,丁纯[10]（1994）在《四电极系统P—N结自停止腐蚀研究》一文中研究指出本文测量了硅的电化学特性，在此基础上进行了四电极系统Ｐ－Ｎ结自停止腐蚀研究．结果表明，对Ｐ－Ｎ结漏电大的样品也可实现自停止，克服了其他Ｐ－Ｎ结自停止腐蚀技术存在的不足，拓宽了其应用范围．对腐蚀样品的测试结果表明，其膜厚平均值为２１．７μｍ，与外延层厚相一致，成功地实现了腐蚀过程中的膜厚精密控制．研究还表明用这一技术进行多片同时自停止腐蚀是可行的．(本文来源于《半导体学报》期刊1994年11期）
自停止腐蚀论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
MEMS器件的性能与尺寸密切相关。介绍了一种精确控制器件尺寸的各向异性腐蚀方法——基于改进TMAH溶液的PN结自停止腐蚀。这种方法几乎不刻蚀铝,从而与CMOS工艺良好地兼容。应用这种办法正面腐蚀,成功释放结构,尺寸与设计比较符合,证明了这种方法的可行性及易操作性。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自停止腐蚀论文参考文献
[1].李玉欣,陈德勇,王军波,焦海龙,罗振宇.基于自停止腐蚀技术的H型谐振式微机械压力传感器[J].光学精密工程.2011
[2].李俊伍,顾慧,黄见秋,秦明.基于TMAH溶液的PN结自停止腐蚀的研究[J].电子器件.2010
[3].肖飞.基于自停止腐蚀的双面梁—质量块结构加速度传感器研究[D].中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）.2008
[4].唐海林,凌宏芝.高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究[J].电子元件与材料.2007
[5].徐静.单晶硅自停止腐蚀工艺研究[D].中国工程物理研究院.2005
[6].唐圣明,陈思琴,韩明.自停止腐蚀工艺的观察[J].电子显微学报.2001
[7].唐圣明,陈思琴,韩明.自停止腐蚀工艺的观察[C].第二届全国扫描电子显微学会议论文集.2001
[8].周伟勤,徐义刚,王跃林.数片硅同时自停止腐蚀技术研究[J].仪表技术与传感器.1996
[9].李国正.Si的化学自停止腐蚀方法的研究[J].微电子学.1995
[10].徐义刚,王跃林,曾令海,丁纯.四电极系统P—N结自停止腐蚀研究[J].半导体学报.1994