空穴缓冲层论文-杜帅,张方辉

空穴缓冲层论文-杜帅,张方辉

导读:本文包含了空穴缓冲层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献,主要关键词:空穴缓冲层,V2O5,绿色磷光,有机发光二极管(OLED)

空穴缓冲层论文文献综述

杜帅,张方辉[1](2016)在《V_2O_5空穴缓冲层对绿色磷光OLED性能的影响》一文中研究指出采用真空热蒸发的方法制备了V_2O_5薄膜,将其引入有机发光二极管(OLED)器件中用作空穴缓冲层,制备了以4,4'-N,N'-二咔唑基联苯(CBP)为主体材料,Ir(ppy)2acac为绿光磷光掺杂染料的OLED器件,结构为ITO/V_2O_5/NPB/TCTA/CBP∶Ir(ppy)2acac/BCP/Alq3/Li F/Al。研究了不同厚度的V_2O_5作为空穴缓冲层对绿色磷光OLED器件发光性能的影响。结果表明,当V_2O_5薄膜的厚度为30 nm时,器件的性能最佳,其最大电流效率和最大功率效率分别为54.36 cd/A和48.77 lm/W,比未加入缓冲层的常规器件均提高了34%。在驱动电压为11 V时,亮度可达到28 990 cd/m2,且在电压从5 V上升至10 V的过程中,对应的色坐标仅从(0.36,0.60)变化为(0.36,0.61),具有很高的稳定性。分析认为适当厚度的V_2O_5薄膜降低了发光层中空穴的浓度,提高了空穴和电子载流子的复合效率。(本文来源于《半导体技术》期刊2016年09期)

贾许望,关云霞,牛连斌,黄琳琳,刘德江[2](2012)在《ZnO空穴缓冲层对OLED性能的影响》一文中研究指出本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。(本文来源于《重庆师范大学学报(自然科学版)》期刊2012年02期)

董小丽[3](2011)在《基于m-MTDATA空穴缓冲层的有机电致发光器件》一文中研究指出有机电致发光器件(OLED)自20世纪80年代末成为电子显示领域一颗耀眼的明星。它具有低压直流驱动、主动发光、色彩饱和度好,视角宽等一系列优点。在照明光源、光电耦合器和平板显示等光电领域具有诱人的前景。目前,OLED在小型平板显示领域如汽车仪表、手机屏和数码相机显示屏等方面己经投入商用。通过新材料的深入研究以及器件结构和工艺的不断优化,有机电致发光器件的发展已经取得了长足进步,但是要在平板显示市场上占有优势,有机电致发光器件的发光效率、使用寿命,驱动电压等仍需要进一步的改善。制作了ITO//Meo-TPD/Alq_3/LiF/Al结构的器件,Alq_3为发光材料,器件制成后,在空气中常温下立刻测量,测试用的设备为PR-650光谱亮度计和美国Keithley-2400电流—电压测试仪组成的测试系统。测量了器件的电流电压特性、亮度电压特性,电致发光光谱等电学光学特性。器件的启亮电压为10V,当外加电压达到16V时,器件发光亮度达到最大值13400cd/m2,当外加电压是8V时,器件的最大发光峰值是528nm,发绿光,研制了结构ITO/m-MTDATA/Meo-TPD/Alq_3/LiF/Al的有机发光器件,利用m-MTDATA作为空穴注入缓冲层,Meo-TPD作为空穴传输层,并对器件的光电性能进行了研究。发光器件启亮电压约为6V,在13V电压下亮度达到最大值14300cd/m2,当外加电压为8V时,电致发光光谱波峰位于540nm处,呈绿色。两种器件测量数据相比可知,缓冲层m-MTDATA的加入,降低了启亮电压,使得器件在低电压下的亮度得到增强。(本文来源于《哈尔滨理工大学》期刊2011-03-01)

徐维,罗钰,王莉,袁俊文[4](2010)在《有效阴极结构和空穴缓冲层的有机电致发光器件》一文中研究指出在有机电致发光器件的电子传输层与注入层之间,以m-MTDATA作为HIL,使用叁氧化钼(MoO3)插入超薄层LiF-Al-Alq3,有效促进电子注入;然后,从热动力学引发化学反应,生成n型Alq3掺杂物和促进电子注入的角度进行解释.用MoO3作为空穴注入缓冲层,插入到空穴注入层与传输层之间,利用其最高被占用分子轨道适合作缓冲层的特点,提高空穴注入能力.改善载流子注入后,电流效率、功率效率及亮度分别提高了64%,101%和63%,电压下降26%.(本文来源于《华侨大学学报(自然科学版)》期刊2010年04期)

牟强,王秀峰,张麦丽[5](2008)在《空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响》一文中研究指出在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。(本文来源于《液晶与显示》期刊2008年06期)

张靖磊,仲飞,刘彭义[6](2008)在《用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文)》一文中研究指出用磁控溅射方法制备的ZnS薄膜作为有机发光器件(OLEDs)的空穴缓冲层,使典型结构的OLEDs(ITO/TPD/Alq/LiF/Al)的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5 nm时,器件的亮度增加了2倍多;当ZnS缓冲层厚度为5、10nm时,器件的发光电流效率增加40%。研究结果表明ZnS薄膜是一种好的缓冲层材料,它能够提高器件的发光效率,改善器件的稳定性。(本文来源于《电子器件》期刊2008年01期)

秦丽芳,侯延冰,师全民,蒋婧思,高瑞[7](2008)在《电场诱导空穴注入缓冲层PEDOT∶PSS取向对OLED发光性能的影响》一文中研究指出实验中以PEDOT∶PSS在ITO基片上旋涂作为空穴传输层,并且在旋涂PEDOT∶PSS的过程中在与ITO玻璃平面垂直的方向施加一个诱导聚合物取向的高压电场,试验着重研究了所加电场强度对双层器件:ITO/PEDOT∶PSS/MEH-PPV/Al器件性能的影响。测试结果表明,旋涂时所加电场的大小对器件的发光强度和起亮电压都有明显的影响。随着所加电场的增大,器件发光强度明显增加,起亮电压减小。由此表明:在高电场作用下,聚合物分子链沿电场方向发生了取向,而且随着电场增强这种取向作用会表现得越明显,并且在PEDOT∶PSS膜表层会形成一个梯度变化的PSS聚集,使得从ITO到MEH-PPV的功函数逐渐上升,降低空穴注入势垒,增强了空穴的注入效率。(本文来源于《发光学报》期刊2008年01期)

姚辉,张希清,蓝镇立,宋宇晨,王永生[8](2007)在《以ZnO为空穴缓冲层的高效率有机电致发光器件》一文中研究指出研制了在传统双层有机电致发光器件(OLED)ITO/NPB/AlQ/Al的阳极与空穴传输层间加入ZnO缓冲层的新型器件。研究了加入缓冲层后对OLED性能的影响,并比较了新型与传统OLED的性能,结果表明,新型器件比传统器件的耐压能力有了显着提高;当电压达到7V时,发光效率提高了35%。分析认为,ZnO缓冲层的加入,改善了界面,减少了漏电流,并且阻碍了空穴的注入,有利于改善空穴和电子的注入平衡,提高复合效率。(本文来源于《光电子.激光》期刊2007年07期)

王洪梅,姜文龙,王静,韩强,丁桂英[9](2007)在《空穴缓冲层的厚度对有机电致发光器件性能的影响》一文中研究指出本文利用有机发光材料4,4′,4″-{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine(2T-NATA)作为空穴缓冲层,制备了结构为:ITO/2T-NATA/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的有机电致发光器件.在器件的制备过程中通过改变空穴缓冲层2T-NATA的厚度使器件的亮度和效率得到了改善.当2T-NATA的厚度为15 nm时,器件的性能最好.在电流密度为623mA/cm2时最大亮度达到16530cd/m2,对应的电流效率为2.65cd/A,器件的色坐标为(0.23,0.36),属于蓝绿光发射.(本文来源于《吉林师范大学学报(自然科学版)》期刊2007年02期)

仲飞,叶勤,刘彭义,翟琳,吴敬[10](2006)在《ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管》一文中研究指出采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。(本文来源于《发光学报》期刊2006年06期)

空穴缓冲层论文开题报告

(1)论文研究背景及目的

此处内容要求:

首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景,再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题,并提出你的论文准备的观点或解决方法。

写法范例:

本文利用无机材料ZnO作为空穴缓冲层,制备了结构为ITO/ZnO/NPB/Alq3/Al的有机电致发光器件。用计算机控制的KEITHLEY2400-PR655系统测量器件的电压-电流-亮度特性。研究结果表明,当ZnO薄膜的厚度为2 nm时,器件的电流效率可达1.65 cd/A,最大亮度为3 449 cd/m2;而没有加入缓冲层的同类器件,最大亮度仅为869.7 cd/m2,最大电流效率为0.46 cd/A。由此可以看出,加入ZnO空穴缓冲层后,最大亮度提高3.97倍,最大电流效率提高3.59倍。分析认为适当厚度的ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的复合率,从而降低了电流密度,提高了器件的电流效率,改善了器件性能。

(2)本文研究方法

调查法:该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。

观察法:用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。

实验法:通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。

文献研究法:通过调查文献来获得资料,从而全面的、正确的了解掌握研究方法。

实证研究法:依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。

定性分析法:对研究对象进行“质”的方面的研究,这个方法需要计算的数据较少。

定量分析法:通过具体的数字,使人们对研究对象的认识进一步精确化。

跨学科研究法:运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。

功能分析法:这是社会科学用来分析社会现象的一种方法,从某一功能出发研究多个方面的影响。

模拟法:通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。

空穴缓冲层论文参考文献

[1].杜帅,张方辉.V_2O_5空穴缓冲层对绿色磷光OLED性能的影响[J].半导体技术.2016

[2].贾许望,关云霞,牛连斌,黄琳琳,刘德江.ZnO空穴缓冲层对OLED性能的影响[J].重庆师范大学学报(自然科学版).2012

[3].董小丽.基于m-MTDATA空穴缓冲层的有机电致发光器件[D].哈尔滨理工大学.2011

[4].徐维,罗钰,王莉,袁俊文.有效阴极结构和空穴缓冲层的有机电致发光器件[J].华侨大学学报(自然科学版).2010

[5].牟强,王秀峰,张麦丽.空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响[J].液晶与显示.2008

[6].张靖磊,仲飞,刘彭义.用ZnS薄膜作为空穴缓冲层的高效率有机发光二极管(英文)[J].电子器件.2008

[7].秦丽芳,侯延冰,师全民,蒋婧思,高瑞.电场诱导空穴注入缓冲层PEDOT∶PSS取向对OLED发光性能的影响[J].发光学报.2008

[8].姚辉,张希清,蓝镇立,宋宇晨,王永生.以ZnO为空穴缓冲层的高效率有机电致发光器件[J].光电子.激光.2007

[9].王洪梅,姜文龙,王静,韩强,丁桂英.空穴缓冲层的厚度对有机电致发光器件性能的影响[J].吉林师范大学学报(自然科学版).2007

[10].仲飞,叶勤,刘彭义,翟琳,吴敬.ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管[J].发光学报.2006

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