导读:本文包含了氮等离子论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:外加磁场,聚砜膜,亲水性,抗污染性
氮等离子论文文献综述
李青,李茹,梁煜,李秋怡[1]（2019）在《磁场协同氮等离子体改性聚砜膜及等离子体诊断》一文中研究指出通过改变磁场强度、位置、放电时间、射频功率以及压强,探究磁场协同等离子体改性前后聚砜膜的亲水性及其抗污染性能的变化情况。结果发现在射频功率为80 W,放电时间为120 s,压强为20 Pa时,将3块磁铁放置在距离电圈15 cm处,出现最佳改性效果。对比了改性前后超滤膜亲水性及抗污染性能,结果表明:聚砜膜的水接触角由原始膜的80°降至30°,提高了聚砜膜的亲水性从而进一步提高了其抗污染性能。通过朗缪尔探针及光谱仪诊断氮等离子体并结合改性效果,得出改性效果最好时电子温度为1.92×104 K,电子密度为2.90×1015 m-3,此时等离子体氛围中电子、离子浓度较低,自由基浓度较高,刻蚀作用微弱,聚合物表面生成了较多的亲水性基团。(本文来源于《当代化工》期刊2019年10期）
张念华,万先进,李远,许爱春,潘杰[2]（2019）在《氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）》一文中研究指出在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。(本文来源于《微纳电子技术》期刊2019年11期）
桑田[3]（2019）在《远程氮等离子体的诊断及其对PAN超滤膜的改性研究》一文中研究指出等离子体改性条件不同会产生不同的改性效果,并且氮等离子体中活性粒子成分复杂,为了获得更好的改性效果,本研究对不同条件下的远程氮等离子体进行了诊断。采用发射光谱法诊断氮等离子体中的自由基参数;利用双悬浮朗缪尔静探针测定不同条件下远程氮等离子体场中的电子温度和离子密度。最后,根据诊断结果,对聚丙烯腈(PAN)超滤膜进行改性处理,获取不同条件下膜的接触角的变化情况,确定了聚丙烯腈(PAN)超滤膜的最佳改性条件,测量该条件下膜的水通量和BSA通量,计算通量衰减率、污染率和截留率。研究结果表明:(1)远程氮等离子体中含有大量的电子、离子和自由基,其中自由基光谱的波长范围主要集中在300nm~500nm之间,以氮的第二正带系中的NⅢ为主(如NⅢ310.9、NⅢ337.4、NⅢ379.2),最大特征峰的波长为337nm,在500nm~1100nm之间也存在着少量的NI(如NI670.3、NI870.3),NⅡ(如NⅡ359.5、NⅡ655.4、NⅡ889.3)。(2)等离子体内的自由基有利于膜表面的改性反应,可以通过改变放电条件调节自由基含量。实验中自由基光强随放电功率和压强的的增大而增大,10Pa~15Pa的自由基含量相对较高;随远程距离的增加先增大后减小,在35cm时光强开始下降,50cm处所有谱线已检测不到;此外光强也会受放电中心距进气口的距离的影响,本实验中放电中心距进气口20cm到50cm内光强较大且稳定。(3)电子能量高、密度大时会对材料表面产生刻蚀作用,破坏材料的表面结构。根据朗缪尔探针诊断结果,电子温度随放电功率的增大而降低;随气体压强的增大而升高;随远程距离的增大先增大后减小。而电子密度随放电功率的增大而增大;随气体压强和远程距离的增大而减小,到30cm处已趋近于零。(4)在诊断结果基础上实验对PAN超滤膜进行了改性研究,获得的最佳改性条件为放电功率100W,压强20Pa,处理时间95s,远程距离40cm。改性后膜材料的亲水性得到提高,使接触角从原膜的57°降至20°,在BSA过滤实验中,该改性条件下的PAN膜的通量衰减率从原膜时的62%减少至48%,污染率从43%下降至38%,截留率由83%提升至89%,PAN超滤膜的抗污染性能得到提高。(本文来源于《西安工程大学》期刊2019-05-30）
李秋怡,李茹,樊琰,张琪,李青[4]（2017）在《低温氮等离子体改性聚丙烯腈超滤膜及其光谱诊断》一文中研究指出针对超滤膜的抗污染能力及亲水性问题,采用低温氮等离子体对聚丙烯腈(PAN)超滤膜进行表面改性,并对改性过程进行等离子体光谱诊断.通过测定改性前后接触角的变化表征膜表面的亲水性;利用膜通量、截留率、通量衰减率等表征超滤膜的过滤及抗污染性能.结果表明,当最佳处理条件为功率100 W,时间90s时,水接触角由原始膜的57°下降至17°.改性膜亲水性及抗污染性能进一步提高.等离子体改性时电子温度与放电功率呈现负相关,与反应室内部压强呈正相关.(本文来源于《西安工程大学学报》期刊2017年06期）
张静丽[5]（2016）在《尖端放电等离子体发生器产生的氮等离子体转动温度的分析》一文中研究指出伴随着科学技术的不断进步,等离子体广泛地应用于物理学、化学、生物学、医学、环境学、冶金化工等领域。随着时间的推移,等离子体相应的概念,应用都随之出现。直到现在,等离子体已经有了自己的完整的体系,等离子温度的分析方法也日趋变化。其中,发射光谱法便是一种较好的分析方法。在过去,大量的实验对等离子体中的电子温度,电子密度进行了研究,然而等离子体的温度也是十分重要的,在对等离子体温度进行研究的过程中,将分子的转动温度视为等离子体的温度指标,这样,便可以测量等离子体的温度了。本文主要研究的是：通过小功率等离子体发生器尖端放电,产生氮等离子体的转动温度,并借用光谱拟合的手段得到气体分子的转动温度。本文介绍了等离子体的概念,其发生器的种类,发射光谱法的原理以及拟合氮等离子体转动温度的过程和方法。本文是对氮分子的第二正带系进行拟合,采用最小二乘法的原理,使一个变量等于实验测量的谱线强度与理论的谱线强度的差的平方和,不断地改变转动温度,进而得到一系列理论谱线强度值,当得到的变量为最小值时,此时理论的气体转动温度即为实验测得的转动温度。本文主要研究了不同的电压和气体流量对转动温度的影响,转动温度随着电压的增大而增大,当电压达到一定值时,转动温度有一个最大值,随着氮气流量的增大而增大。由于等离子体应用十分广泛,从光谱的角度去分析研究气体分子的转动温度具有实际意义。(本文来源于《辽宁大学》期刊2016-05-01）
陈彪[6]（2016）在《极板间等离子发生器的氮等离子光谱诊断》一文中研究指出等离子体是物质存在的又一种状态,它是离子、电子、原子、分子和基团的组合体。它在自然界中广泛存在,近些年来它在日常生活中被广泛应用。随着对它研究的深入在工业上他的应用价值越来越大,所以等离子体越来越受到科学界的关注。自然界中等离子体是多种多样的,有自然形成的天然等离子体,也有人工制造的很多人造等离子体。在日常生活中,人们已经广泛地应用人工产生的等离子体,如霓虹灯等。等离子体技术的发展,也为其他科学的进步提供了新的技术支持,如新材料的研究、环境监控、新能源开发等。近几年,人们对低温等离子体的应用更加深入。在很多领域,如冶金、表面处理等方面得到了重要的应用。我们实验室自制等离子体发生器,通过放电产生等离子光谱,在实验中得到了不同输入电压和气体流量下的光谱,从而对这些光谱进行分析计算,更好地认识等离子体的特性。本文介绍了等离子体的概念、分类、产生方式以及发展历程,同时也介绍了等离子体光谱和分析诊断光谱的一般方法。简单介绍等离子体发生器实验装置与实验过程,重点研究了等离子体发射光谱和利用发射光谱法测量氮分子转动温度,通过实验数据和理论计算成功地计算出不同输入电压和气体流量下氮分子的转动温度,为本实验室等离子体发生器的研究提供了新的数据,并为对等离子体的进一步研究奠定了基础。(本文来源于《辽宁大学》期刊2016-05-01）
许凌晖,王达成,许天星,李坤杰,杨思泽[7]（2016）在《大气压低温氮等离子体对大鼠光老化皮肤的治疗研究》一文中研究指出目的评估大气压低温氮等离子体治疗大鼠光老化皮肤的疗效。方法采用健康雌性SD大鼠40只,随机分为2个大组:正常对照组(A组)和模型组(B组),其中模型组又分为3个小组,分别为等离子体低剂量治疗组(B1组)、等离子体高剂量治疗组(B2组)和自然恢复组(B3组)。共计4组,每组10只。除正常对照组(A组)外,B组均采用UVA+UVB紫外线灯同时照射,每日2 h,连续照射60 d,制备大鼠皮肤光老化模型。SD大鼠光老化制模成功后,给予自制大气压低温氮等离子体治疗。B1组采用0.1 W/mm~2等离子体低剂量治疗,连续治疗4次,每次间隔时间2周;B2组采用0.3 W/mm~2等离子体高剂量治疗,连续治疗2次,每次间隔时间4周;B3组无等离子体治疗,自然恢复。每次治疗后观察各组大鼠皮肤即刻反应及恢复情况,分别于治疗前和治疗后1个月活检取材,进行常规HE染色和Masson叁色染色。观察治疗前后大鼠皮肤的大体变化和组织病理学变化,并用Image-Pro-Plus 6.0病理图文分析系统测定大鼠皮肤胶原蛋白含量变化。结果采用等离子体治疗组大鼠皮肤光老化大体变化和病理改变明显改善。B1组和B2组与B3组比较胶原含量明显增加,差异具有显着意义(P<0.05)。B1组和B2组两组组间比较,疗效无明显差异。结论等离子体对皮肤光老化有明显的治疗作用,具有术后恢复快、不良反应低等优点。(本文来源于《中国激光医学杂志》期刊2016年01期）
汤斌[8]（2015）在《氮等离子体处理对SiC MOS栅氧化膜TDDB特性的影响》一文中研究指出与硅相比,第叁代半导体碳化硅拥有极好的性质,比如高热导率,高电子迁移率等,同时也是唯一一种能够通过热氧化过程生长氧化膜的化合物半导体。然而直接通过热氧化过程制作的4H-SiC MOS器件有着界面缺陷过多,氧化膜可靠性欠佳的问题。其原因在于热氧化生成的氧化膜中存在着许多缺陷,这些缺陷导致氧化膜击穿所需要的激活能减小,降低了氧化膜电应力的承受能力。因此减少氧化膜中的缺陷,提高氧化膜可靠性就成为了SiC MOSFET研究领域的关键问题。本文使用电子回旋共振(ECR)氮等离子体处理工艺对通过热氧化过程形成的氧化膜进行处理,制作成为4H-SiC MOS结构。通过I-V测试发现,通过ECR氮等离子体处理工艺,SiO2/4H-SiC的势垒高度有效地提高至2.67 eV,接近理论值2.7 eV,击穿场强达到了10.90 MV/cm。采用阶跃电流经时击穿(SCTDDB)方法研究了ECR氮等离子体处理对4H-SiC MOS氧化膜经时击穿(TDDB)行为的影响。实验发现,ECR氮等离子体能够有效提高氧化膜的击穿电荷量与寿命,与未经过当等离子体处理的样品相比,经过处理的样品击穿电荷量与寿命分别提高了10-100倍和3-4个数量级。同时,本文还发现经过ECR氮等离子体处理后,样品的耐受电场强度的能力有所提高,而且样品的均一性有了很大提高,很小场强下就会被击穿的样品被消除,样品的击穿场强分布在一个较窄的范围内。为了解释ECR氮等离子体处理对于4H-SiC MOS样品TDDB行为的影响,本文使用了X射线光电子能谱(XPS)测试手段对4H-SiC MOS样品的物理性质进行分析,结果表明,ECR氮等离子体处理能够有效消除由于不完全氧化而产生的缺陷,钝化界面,因此提高了氧化膜击穿所需要的激活能,从而提高了样品击穿电荷量与寿命。以上结果表明,ECR氮等离子体处理能够有效降低4H-SiC MOS栅氧化膜中的缺陷,提高样品的击穿电荷量与寿命,提高样品的均一性以及对电场应力的耐受能力,改善了4H-SiC MOS栅氧化膜的可靠性。(本文来源于《大连理工大学》期刊2015-05-01）
汤斌,李文波,刘冰冰,刘道森,秦福文[9]（2015）在《电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-Si CMOS电容TDDB特性的影响》一文中研究指出SiC MOS器件氧化膜可靠性是SiC器件研究中的重要方面。本文对4H-SiC MOS结构进行电子回旋共振(ECR)氮等离子体氧化后退火工艺处理,采用阶跃电流经时击穿以及XPS分析的方法对其氧化膜稳定性进行了电学以及物理性质方面上的分析。经分析氮等离子体处理8min的样品击穿时间和单位面积击穿电荷量都有了明显提高,并且早期失效比率有了明显降低。实验结果表明,经过适当时间的处理,ECR氮等离子体氧化后退火工艺可以有效地降低界面缺陷的密度,提高界面处激活能,从而提高绝缘膜耐受电流应力的能力。(本文来源于《固体电子学研究与进展》期刊2015年02期）
张莹[10]（2015）在《氮等离子体对金刚石薄膜的影响研究》一文中研究指出CVD金刚石薄膜的优异性能使得其在众多领域都受到极大重视,国内外研究学者对金刚石薄膜的制备方法也进行大量研究。在众多制备金刚石薄膜的方法中,微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法公认为是制备高质量、高纯度金刚石薄膜的首选方法。大量前期调研表明,N_2在生长金刚石薄膜时能够改变金刚石薄膜的结构和特性,因此本研究采用韩国Woosinent公司的R2.0-MPCVD设备研究了氮等离子体对金刚石薄膜的影响,主要工作如下:1.探讨了预处理方式和形核温度对形核的影响。表面研磨法是目前最常用的预处理方法,通过该方法处理的Si片上会留下细微均匀的划痕,形成高能形核点,能够提高金刚石在此处的形核密度,并且残留的纳米级金刚石粉末可以作为形核的籽晶;与此同时,将形核温度控制在800~900℃,能提高形核密度、控制石墨相含量。2.系统地研究了低浓度N_2对金刚石薄膜的影响。SEM,Raman,XRD等表征手段的结果表明:随着N_2浓度的增加薄膜中金刚石的晶粒尺寸反而逐渐降低;2%的N_2有利于(100)晶面的显露;当N_2浓度为6%时,金刚石相和石墨相的生长都存在受阻现象,甚至不能连续生长成膜。3.开展了高浓度N_2对金刚石薄膜的影响研究。结果表明,高浓度N_2能进一步细化金刚石晶粒,甚至在N_2浓度为90%时出现了超纳米金刚石薄膜,但是金刚石的晶粒尺寸与N_2浓度并不是呈线性关系,表现出先减小后增大的规律,在N_2浓度为90%时金刚石的晶粒尺寸最小,仅为10nm。4.研究了高浓度N_2对金刚石薄膜电学性能的影响。实验结果显示,高浓度N_2可以影响金刚石薄膜的阻抗,随着浓度增加,薄膜的阻抗先减小后增大,当N_2浓度为85%时,薄膜的阻抗降到最低。本论文通过研究了低浓度和高浓度N_2对金刚石薄膜的影响,可以得出以下结论:N_2浓度逐渐增加时,薄膜中金刚石的晶粒尺寸整体呈现出减小的趋势;在低浓度N_2情况下,金刚石晶粒尺寸在几十纳米时,在SEM照片中可以辨别晶面取向,主要以(111)面和(400)面混杂为主,仅在N_2浓度为2%时,大部分金刚石晶面为(400)面;在高浓度N_2情况下,金刚石的晶粒结构发生变化,从颗粒状变为针尖状,最后变为“菜花”状;并且高浓度N_2下沉积的金刚石薄膜的阻抗会出现明显下降,在N_2浓度为85%时,阻抗降至最低。(本文来源于《武汉工程大学》期刊2015-04-09）
氮等离子论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在体钨生长过程中使用原位氮等离子体处理成功实现了无孔洞钨填充。通过氮等离子体处理,钨转化成了氮化钨,其作为抑制剂引起结构顶部钨薄膜的生长延迟。因此,消除了结构顶部薄膜封口,并且实现了无孔洞的钨薄膜生长。使用扫描电子显微镜(SEM)表征钨薄膜的填充能力。结果表明:开口有弓状形貌的结构,使用传统化学气相沉积(CVD)方式生长钨薄膜非常容易导致孔洞;而利用氮等离子体处理能够获得没有孔洞的钨填充。引入扫描透射电子显微镜(STEM)解释氮等离子体处理的机理,同时对体钨生长延迟时间与氮等离子体处理的时间、氮气体积流量、乙硼烷通气时间、体钨生长温度的关系进行了研究。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮等离子论文参考文献
[1].李青,李茹,梁煜,李秋怡.磁场协同氮等离子体改性聚砜膜及等离子体诊断[J].当代化工.2019
[2].张念华,万先进,李远,许爱春,潘杰.氮等离子体处理的抑制用于改善钨填充（英文）[J].微纳电子技术.2019
[3].桑田.远程氮等离子体的诊断及其对PAN超滤膜的改性研究[D].西安工程大学.2019
[4].李秋怡,李茹,樊琰,张琪,李青.低温氮等离子体改性聚丙烯腈超滤膜及其光谱诊断[J].西安工程大学学报.2017
[5].张静丽.尖端放电等离子体发生器产生的氮等离子体转动温度的分析[D].辽宁大学.2016
[6].陈彪.极板间等离子发生器的氮等离子光谱诊断[D].辽宁大学.2016
[7].许凌晖,王达成,许天星,李坤杰,杨思泽.大气压低温氮等离子体对大鼠光老化皮肤的治疗研究[J].中国激光医学杂志.2016
[8].汤斌.氮等离子体处理对SiCMOS栅氧化膜TDDB特性的影响[D].大连理工大学.2015
[9].汤斌,李文波,刘冰冰,刘道森,秦福文.电子回旋共振氮等离子体氧化后退火对4H-SiCMOS电容TDDB特性的影响[J].固体电子学研究与进展.2015
[10].张莹.氮等离子体对金刚石薄膜的影响研究[D].武汉工程大学.2015