导读:本文包含了大注入论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT),导通压降V_(on),关断时间T_(off),击穿电压
大注入论文文献综述
肖坤[1]（2018）在《具有大注入效应增强的高速LIGBT的研究》一文中研究指出功率半导体器件是电力电子系统中的核心元器件之一,起着电能转换和控制的重要作用。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为发展比较成熟的功率半导体器件,集MOS场效应管的栅极电压控制和双极晶体管的低导通电阻特性于一身,具有电压控制、输入阻抗大、导通电阻小、驱动功率低等一系列优点,更是广泛地被应用于电子电力系统中。纵向的IGBT可以做成分立器件,实现高耐压,因而被广泛应用于大功率场合;而横向IGBT与传统的CMOS集成电路工艺相兼容,可以被集成在体硅基或SOI基上,是功率集成电路的核心器件之一。IGBT器件作为双子导电器件,导通时电流密度大,导通压降低,具有很好的导通特性,然而器件在关闭时,因非平衡载流子引起的拖尾电流会导致其产生关闭延迟,这增加了器件的开关损耗,限制了IGBT的应用范围。本论文以横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT)为主要研究对象,在了解IGBT器件结构及其工作原理的基础上,针对LIGBT器件“导通压降-关断时间”这一矛盾关系,主要做了以下的仿真研究和优化设计:1.分析并仿真验证双栅器件DG-ILET的工作特性,验证解决负阻效应的方法,并通过控制栅极的电压对器件的性能进行优化;2.提出了一种带有多晶硅场板的SOI基双栅LIGBT结构:该结构采用高K材料作为栅介质,引入了一个从器件阳极P+区指向多晶硅层的电场,从而使得器件在导通时的大注入效应增强;利用多晶硅场板实现对空穴的主动控制,从而优化器件的关闭特性,同时可以通过对多晶硅的掺杂和PN结位置的调节,来提高器件的击穿电压。详细的研究了器件的击穿电压与多晶硅掺杂和PN结位置的关系;器件的通态电流与n型缓冲层和阳极P区掺杂浓度,与介质层介电常数和厚度的关系;关闭特性与阳极P+区掺杂浓度及介质层介电常数和厚度的关系。仿真结果显示:该器件可以大幅度提高器件的导通电流密度,同时又可以有效降低器件的关闭延迟时间,降低开关损耗,兼顾了器件的导通性能和关闭特性。3.利用仿真工具Tsuprem4和Medici完成工艺参数仿真和器件仿真。(本文来源于《电子科技大学》期刊2018-03-01）
汪建元,林光杨,王佳琪,李成[2]（2017）在《简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟》一文中研究指出基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显着提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显着提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.(本文来源于《物理学报》期刊2017年15期）
成亮,战延飞[3]（2013）在《象山水库接触灌浆和封孔大注入量浅析》一文中研究指出接触灌浆是密实混凝土对其由于收缩产生的与岩石之间的缝隙进行的灌浆。接触灌浆的主要作用是:填充缝隙,增加锚着力和加强接触面间的密实性,防止漏水。(本文来源于《黑龙江科技信息》期刊2013年21期）
王溯源,陶岳彬,陈志忠,俞锋,姜爽[4]（2012）在《GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究》一文中研究指出利用变注入强度的电致发光(EL)测试和数值模拟方法研究了微米LED大注入条件下的发光特性。EL测试结果显示,微米LED(10μm)在工作电流密度高达16kA/cm2时光功率密度输出未饱和,同时不存在明显的由于自热效应引起的发光波长红移。和300μm LED相比,相同注入水平下,10μm LED的EL峰值波长相对蓝移,表明微米LED中存在应力弛豫,10μmLED相对300μm LED应力弛豫大了约23%。APYSY模拟发现,由于应力弛豫和良好的电流扩展,微米LED中电流分布和载流子浓度更加均匀,这种均匀的分布使得微米LED具有高的发光效率,同时能够承受高的电流密度。(本文来源于《半导体光电》期刊2012年05期）
王湘明,高杨,刘丽钧[5]（2012）在《风电场最大注入容量的研究》一文中研究指出以变速恒频双馈风电机组为研究对象,对IEEE-14系统分别加入3种不同功率的风力发电机组成的风电场,采用稳态和暂态相结合的方法对最大装机容量进行分析,确定能使系统保持稳定的风电场容量。仿真计算结果表明,不同功率的风机并入系统中的台数与其功率有一定的比例关系,从而确定了风电场的最大容量。利用该方法确定的风电场接入电力系统最大容量,可保证风电场自身及系统运行的稳定性。(本文来源于《太阳能学报》期刊2012年09期）
向导[6]（2012）在《PN结在大注入条件下的数学分析》一文中研究指出本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。(本文来源于《科技资讯》期刊2012年12期）
向导[7]（2012）在《PN结在大注入条件下的数学分析》一文中研究指出本文结合半导体物理中的复合理论的知识对发生大注入条件下的PN结的电流公式进行数学推导。在学习理工科课程的过程中若只接触到语言性描述是很不足够的,有必要通过对数学描述的逻辑理解而达到一个认知的高度。由于大部分教材对于PN结大注入的数学描述往往是一笔带过的,许多学生不免对PN结大注入条件下的电流公式的得出颇感困惑。针对这一问题,本文详细介绍了PN结大注入条件下的电流公式的得出过程,旨在帮助初学者理解PN结大注入这一物理现象。(本文来源于《科技资讯》期刊2012年11期）
刘鑫,栗文义,许立杰,周攀,董秀清[8]（2012）在《并网风电最大注入功率影响因素研究》一文中研究指出研究制约风电并网最大注入功率的影响因素对风电并网规划具有重要意义。基于MATLAB/Simulink建立了风电并网系统模型,研究了影响风电并网注入功率的主要因素。在风电规划中考虑这些因素并采取相应措施可提高并网风电的注入功率。(本文来源于《华东电力》期刊2012年03期）
矫月[9]（2010）在《昆百大注入地产还是商场仍然是谜》一文中研究指出“明日复明日，明日何其多”。自从昆百大A（000560）于2010年9月17日对外披露《重大事项停牌公告》，表示公司正在筹划重大事项而停牌后就没了动静。 历时两个多月的停牌后，昆百大A股东的耐心被磨到了极限。原本还担心重组能否成功的股东改变了心(本文来源于《证券日报》期刊2010-12-07）
罗方颖,宋晨路[10]（2010）在《大注入水平下少子寿命的数值计算与分析》一文中研究指出实现表面光电压法(SPV)在大注入水平下的少子寿命测量对表面光电压技术的应用和准确测量具有重要意义。本文计算了P型单晶硅片叁种复合机制下注入水平与体寿命及表面复合率的关系。结果表明随着注入水平提高,主导复合机制发生改变,且少子寿命并不是一直随注入水平的增加而增加,而与杂质能级位置有关,表面复合率则恰好相反。为验证计算结果,对P型单晶硅片进行了注入水平可调的少子寿命测试。通过样品表面钝化,分离体表寿命,分别得到了注入水平与少子寿命和表面复合率的实验变化关系。理论计算结果与实验数据在测试范围内一致。(本文来源于《材料科学与工程学报》期刊2010年04期）
大注入论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显着提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显着提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
大注入论文参考文献
[1].肖坤.具有大注入效应增强的高速LIGBT的研究[D].电子科技大学.2018
[2].汪建元,林光杨,王佳琪,李成.简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟[J].物理学报.2017
[3].成亮,战延飞.象山水库接触灌浆和封孔大注入量浅析[J].黑龙江科技信息.2013
[4].王溯源,陶岳彬,陈志忠,俞锋,姜爽.GaN基微米LED大注入条件下发光特性研究[J].半导体光电.2012
[5].王湘明,高杨,刘丽钧.风电场最大注入容量的研究[J].太阳能学报.2012
[6].向导.PN结在大注入条件下的数学分析[J].科技资讯.2012
[7].向导.PN结在大注入条件下的数学分析[J].科技资讯.2012
[8].刘鑫,栗文义,许立杰,周攀,董秀清.并网风电最大注入功率影响因素研究[J].华东电力.2012
[9].矫月.昆百大注入地产还是商场仍然是谜[N].证券日报.2010
[10].罗方颖,宋晨路.大注入水平下少子寿命的数值计算与分析[J].材料科学与工程学报.2010