导读:本文包含了晶圆片论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:半导体,晶圆,刷洗,自清洁
晶圆片论文文献综述
师开鹏,孙德全,张峰,王海军[1]（2019）在《滚刷自清洁晶圆片刷洗装置》一文中研究指出晶圆片刷洗过程中,滚刷在刷洗晶圆片的同时也会在自身滞留大量脏污,影响下一批次晶圆片的刷洗质量和自身使用寿命,为了解决该问题,本人研究设计了一套滚刷自清洁晶圆片刷洗装置,该装置在对晶圆片进行刷洗同时,也能对自身进行清洁。(本文来源于《山西电子技术》期刊2019年03期）
王磊[2]（2018）在《半导体产业中晶圆片表面处理的发展》一文中研究指出在半导体产业发展过程中,传统的晶圆片表面处理多是采用化学试剂,根据一定的工艺程序,事先干燥处理的晶圆片,将其浸没在目标工艺槽体中,利用大量超纯去离子水进行洗净,以便进行表面化学反应。该方法需在高温下使用浓度较高的化学试剂,晶圆片表面往往会残留一些化学试剂、金属、颗粒沾污影响半导体器件的产品性能及可靠性。本文就对半导体产业中晶圆片表面处理的发展进行探究。(本文来源于《内燃机与配件》期刊2018年13期）
黄海华[3]（2018）在《工作“5+2”“白加黑” 看到了方向更有激情》一文中研究指出在许多人眼中，中科院院士、中科院上海微系统与信息技术研究所所长王曦既是一位具有全球视野的战略科学家，也是一位开拓创新而又务实的企业家。他带领团队制备出了国际最先进水平的SOI晶圆片，解决了我国航天电子器件急需SOI产品的“有无”问题，孵化出我国唯一的SO(本文来源于《解放日报》期刊2018-03-24）
田赛[4]（2016）在《光栅式微尺度晶圆片在激光尖峰热退火工艺中温度场与应力场分布研究》一文中研究指出近年来随着半导体产业的发展,芯片上单位面积所容纳晶体管的数量以摩尔定律的规律不断增加,大概每两年就会翻倍,这就要求相应的半导体元器件尺寸要不断减小,目前已经缩小到微纳米级别。在半导体元器件制作过程中,热处理是其中重要的工艺环节。作为一种新型的退火方式,激光尖峰退火工艺具有升温速度快、可单晶片处理及易控制等优点,因此成为目前半导体元器件进行快速退火的主要工艺方法。由于晶圆片表面具有微纳米尺度图案,在激光尖峰退火过程中会造成晶圆片温度的非均匀分布,导致多余的热应力,进而造成晶圆片发生晶体缺陷和失效,这种现象称为“图案效应”。因此研究不同图案特征参数下晶圆片在激光尖峰退火过程中的温度场及应力场分布问题,对于改善激光退火工艺、削弱“图案效应”具有重要意义。本文以光栅式晶圆片为研究对象,采用10.6μm波长的C02激光器作为热源,利用有限元仿真软件Comsol Multiphysics模拟了不同光栅特征参数和退火工艺操作参数下晶圆片的温度分布和应力分布,并初步探讨了固定结构参数下退火工艺参数的选择问题。首先,建立了光栅式晶圆片的物理模型,将热源视为移动体热源,在晶圆片水平方向上的能量分布符合高斯分布函数特征,在垂直方向上遵从指数衰减函数规律,热物性参数随温度变化,数值模拟了不同光栅结构特征参数(栅宽和栅间距)的晶圆片在热处理过程中的温度分布,分析了激光功率及激光束扫描速度对温度水平及温度均匀性的影响规律。结果表明,激光能量在晶圆片深度方向上穿透很小,在l0Oμm以下,并且晶圆片峰值温度点要滞后于激光束中心点,滞后距离约为l00μm。增大栅宽、减小栅间距可以提高晶圆片的温度水平,并且利于温度均匀性的提升。在保证材料不被熔融的前提下,可通过增大激光功率、减小扫描速度来提升晶圆片的温度水平。然后,将温度场的计算结果作为温度载荷加载到结构力学模块中,基于增量理论模拟研究在热处理过程中不同光栅结构特征参数下晶圆片的应力分布,分析了激光功率及激光束扫描速度对应力分布的影响规律。结果表明,晶圆片上表面应力分布极不规则,光栅根部及光栅间衬底部分形状变化剧烈,应力集中现象明显,应力较大。光栅部分可以自由变形,应力可以自由释放,因此应力较小,应力最小处位于光栅两端边角处。增大栅间距、减小栅宽可以使应力水平下降。减小激光功率、增大扫描速度可以降低加热过程中的应力。最后研究了在固定结构参数(栅宽140μm,栅间距160μm)下,从温度和应力角度考虑退火工艺参数的选择问题。从温度角度考虑时,扫描速度要高于60mm/s,激光功率要低于48W,以保证材料不被熔融,而从应力角度考虑时,退火工艺参数不受限制。(本文来源于《东北大学》期刊2016-12-01）
宋德,刘向晴[5]（2015）在《基于激光器的晶圆片划片表层回融的研究》一文中研究指出随着LED行业的飞速发展,激光划片机作为微加工行业的主要工具,其切割质量对产品的产量、成品率的影响逐渐的受到重视,而作为微加工切割质量的重要一部分便是激光划片过程中表层回融导致的芯粒崩边,本文主要通过研究改变透镜聚焦后激光光斑的功率密度分布对上述的芯粒崩边进行改善。(本文来源于《科技展望》期刊2015年28期）
芯苑[6]（2016）在《从沙子到晶圆片Wafer》一文中研究指出集成电路芯片制造的载体是晶圆(Wafer),掺杂的原子必须跑到它的晶格上与硅Si形成共用电子对的共价键后,多出电子或空穴参与导电。本文介绍从沙子到晶圆片Wafer的制备原理、晶圆片的制造工艺、晶圆片的技术指标。(本文来源于《集成电路应用》期刊2016年01期）
杨诚[7]（2015）在《LED晶圆片的快速模板匹配算法研究》一文中研究指出作为LED生产流程中后封装的设备的重要环节,LED自动探针台的任务主要是完成LED晶片的检测。其中图像处理作为自动化探针台重要的一项技术环节,具有非常重要的地位。国内探针台系统的自动化水平低,相比国外一流公司的产品显得竞争力不足,很大程度上因为视觉算法水平不够高,而其中图像匹配的核心算法更是短板中的短板了。本文针对LED探针台特定的应用场景,分析了LED晶片匹配实际工业要求,设计了一种能实现多个LED晶片的准确定位的快速图像匹配算法。该算法可以达到亚像素级别的图像匹配精度,而且匹配速度能满足实际工业需求。本文算法把算法分初级匹配和精确匹配两个阶段。在初级匹配阶段,本文比较了多种不同的匹配算法,最终设计了基于优化的边缘相位相关的算法,求取LED目标晶片大致坐标位置,通过截取子图的方式,把一对多的匹配问题转化成了一对一的匹配问题。而精确匹配阶段通过基于快速傅里叶变换的求解算法,求得旋转角和精确的匹配位置,最终通过特点的坐标映射关系,把目标的中心点坐标求出来。并且本文对提高匹配速度的金字塔算法和提高匹配精度的曲面拟合算法进行了特定的优化,以提升算法性能。本文还搭建了算法的软件构架,对图像匹配算法进行封装,完成了针对LED晶片自动探针台进行目标识别的软件设计工作。最后,本文利用LED自动探针台获取的多组图像,对算法进行测试,实验表明,该算法基本符合该项目的要求。跟国外商业软件Evision对比,本文算法得到的结果最大位置偏差小于一个像素,并且旋转角最大误差小于1.1°。并且本文算法具有抗噪能力强,对光照变化不敏感等优点,是一种理想的匹配算法。(本文来源于《哈尔滨工业大学》期刊2015-12-01）
田赛,牛义红,王爱华,芮文明[8]（2015）在《微尺度堆栈式晶圆片表面辐射特性研究》一文中研究指出材料的光学常数和辐射特性是影响堆栈式晶圆片表面温度分布的重要因素。用相干公式及非相干公式确定了多层结构晶圆片的辐射特性,用经验模型及德鲁德模型确定了Si的光学常数,并通过Rad-Pro软件对多层结构堆栈式晶圆片表面的吸收率进行计算。研究发现,增加多晶硅后,吸收率变小,温度越高减小的越多;增加二氧化硅后,吸收率初值变大,但随着温度升高,吸收率开始减小,且温度越高减小的越快,即消光效果明显;氮化硅表现出来的性质与多晶硅相似,但是消光效果次于多晶硅。(本文来源于《第八届全国能源与热工学术年会论文集》期刊2015-08-26）
宋德,刘向晴,佟志国,刘春阳,李新[9]（2015）在《基于激光器的晶圆片划片表层回融的研究》一文中研究指出随着LED行业的飞速发展,激光划片机作为微加工行业的主要工具,其切割质量对产品的产量、成品率的影响逐渐的受到重视,而作为微加工切割质量的重要一部分便是激光划片过程中表层回融导致的芯粒崩边,本文主要通过研究改变透镜聚焦后激光光斑的功率密度分布对上述的芯粒崩边进行改善。(本文来源于《国防光电子论坛第二届新型探测技术及其应用研讨会论文集》期刊2015-07-22）
牛义红[10]（2015）在《微尺度堆栈式晶圆片在激光退火工艺中温度分布研究》一文中研究指出随着半导体产业的蓬勃发展,互补金属氧化物半导体元器件的尺寸不断微缩,其纳米制程对快速热退火工艺的要求也日益苛刻。在激光尖峰退火过程中,由于表面图案引起的晶圆片激光尖峰退火工艺中出现的“图案效应”,会造成晶圆片内温度非均匀分布、多余热应力和晶体缺陷的产生,进而导致晶体管电学性能变异,因此成为目前半导体元件纳米制程亟需解决的重要问题之一。基于此,本文进行了不同堆栈结构晶圆片在二氧化碳激光器尖峰退火过程中温度分布的数值模拟,研究结果将为优化晶圆片激光退火工艺,消除“图案效应”提供理论支持。首先,基于Rad-Pro软件,对五种不同堆栈结构表面辐射特性(吸收率和反射率)进行了计算;在此基础上,利用COMSOL软件固体传热模块建立了二氧化碳激光器热辐射堆栈晶圆片传热过程的数学模型,研究了不同激光功率和加热时间下堆栈式晶圆片的温度分布。得出以下几方面结论:(1)不同堆栈结构晶圆片表面吸收率随温度变化规律。堆栈1(单晶硅):吸收率值稳定在0.683左右;堆栈2(单晶硅/多晶硅):吸收率初值为0.676,随着温度升高,吸收率减小到0.528;堆栈3(单晶硅/多晶硅/二氧化硅):吸收率初值为0.747,随着温度升高,吸收率不断减小,终值为0.542;堆栈4(单晶硅/多晶硅/二氧化硅/氮化硅):吸收率初始值为0.752,随着温度升高,吸收率减小到0.546;堆栈5(单晶硅/多晶硅/氮化硅):吸收率初始值为0.675,随着温度升高,吸收率值在不断减小,终值为0.531。(2)激光功率和加热时间对堆栈式晶圆片表面温度分布影响。堆栈2:当时间不变,不断增大激光功率时,尖峰温度逐渐升高,能量主要聚集在上表面,向四周的扩散不明显;当功率不变,不断增加时间,温度逐渐向四周扩散;当功率为300W,时间为l000μμs时,尖峰温度最大,垂直方向等温线剖面图温差最小。堆栈3:保持时间不变,逐渐增大激光功率,尖峰温度不断升高,但是向晶圆片四周扩散不明显,能量主要聚集在上表层;当改变加热时间,功率不变时,等温线逐渐向四周扩散;当功率为250W,时间为1000μs时,尖峰温度最高,垂直方向等温线剖面图不同等温线之间的间隔最大。堆栈4:保持加热时间不变,不断增大激光功率,尖峰温度不断升高,但是能量多集中在上表面,不向下扩散;保持功率不变,增加加热时间,堆栈表现出一个明显的扩散过程;当功率为240W,时间为1000μs时,尖峰温度最高,堆栈垂直方向温差最小。堆栈5:时间不变,增大激光功率,尖峰温度升高,能量向晶圆片四周的扩散不明显;当保持激光功率不变,增加加热时间,能量扩散明显,当功率为300W,时间为1000μs时,尖峰温度最高,垂直方向等温线间隔最大。同时,以上5个堆栈结构表面尖峰温度满足:当加热时间不变时,与激光功率成线性相关;当激光功率不变时,与加热时间成抛物线式增长。(本文来源于《东北大学》期刊2015-06-01）
晶圆片论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在半导体产业发展过程中,传统的晶圆片表面处理多是采用化学试剂,根据一定的工艺程序,事先干燥处理的晶圆片,将其浸没在目标工艺槽体中,利用大量超纯去离子水进行洗净,以便进行表面化学反应。该方法需在高温下使用浓度较高的化学试剂,晶圆片表面往往会残留一些化学试剂、金属、颗粒沾污影响半导体器件的产品性能及可靠性。本文就对半导体产业中晶圆片表面处理的发展进行探究。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
晶圆片论文参考文献
[1].师开鹏,孙德全,张峰,王海军.滚刷自清洁晶圆片刷洗装置[J].山西电子技术.2019
[2].王磊.半导体产业中晶圆片表面处理的发展[J].内燃机与配件.2018
[3].黄海华.工作“5+2”“白加黑”看到了方向更有激情[N].解放日报.2018
[4].田赛.光栅式微尺度晶圆片在激光尖峰热退火工艺中温度场与应力场分布研究[D].东北大学.2016
[5].宋德,刘向晴.基于激光器的晶圆片划片表层回融的研究[J].科技展望.2015
[6].芯苑.从沙子到晶圆片Wafer[J].集成电路应用.2016
[7].杨诚.LED晶圆片的快速模板匹配算法研究[D].哈尔滨工业大学.2015
[8].田赛,牛义红,王爱华,芮文明.微尺度堆栈式晶圆片表面辐射特性研究[C].第八届全国能源与热工学术年会论文集.2015
[9].宋德,刘向晴,佟志国,刘春阳,李新.基于激光器的晶圆片划片表层回融的研究[C].国防光电子论坛第二届新型探测技术及其应用研讨会论文集.2015
[10].牛义红.微尺度堆栈式晶圆片在激光退火工艺中温度分布研究[D].东北大学.2015