导读:本文包含了氮化硅涂层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:氮化硅涂层,生长动力学,沉积温度,化学组成
氮化硅涂层论文文献综述
廖春景,董绍明,靳喜海,胡建宝,张翔宇[1]（2019）在《沉积温度及热处理对低压化学气相沉积氮化硅涂层的影响（英文）》一文中研究指出以SiCl_4-NH_3-H_2为前驱体,在750～1250℃范围内通过低压化学气相沉积技术于碳纤维布上制备氮化硅涂层,系统研究了沉积温度对氮化硅涂层的生长动力学、形貌、化学组成和结合态的影响。研究结果表明,在沉积温度低于1050℃的情况下,随着沉积温度的升高,沉积速率单调增大。而当沉积温度高于1050℃时,沉积速率随温度升高逐渐下降。在整个沉积温度范围内,随着沉积温度的升高,涂层表面形态逐渐向菜花状转变,同时涂层表面变得愈加粗糙。涂层的最佳沉积温度在750～950℃之间。随着沉积温度的升高,涂层中氮含量先降低后升高,而硅含量不断增加,氧含量在整个温度范围内逐渐降低。原始沉积涂层均呈无定形态,经高于1300℃热处理后实现晶化,并伴随着表面形貌的显着变化。此时涂层仅由a-Si_3N_4构成,不存在任何b-Si_3N_4相。(本文来源于《无机材料学报》期刊2019年11期）
周海萍,尹长浩,张兆玉,钟根香,黄新明[2]（2014）在《氮化硅涂层改性石英颗粒辅助生长高效多晶硅》一文中研究指出在坩埚底部铺设与硅熔体浸润性较好的石英颗粒辅助晶体生长可以生长出晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而提高了多晶硅电池的光电转换效率。研究了氮化硅涂层改性石英颗粒对多晶硅生长和脱模的影响。结果表明,氮化硅涂层改性石英颗粒辅助生长可以获得晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而降低多晶硅缺陷密度,提高多晶硅质量,同时实现石英颗粒与晶体硅之间的自发分离,避免多晶硅与石英颗粒间因粘结而产生的应力问题。(本文来源于《特种铸造及有色合金》期刊2014年08期）
周海萍,尹长浩,黄新明[3]（2014）在《晶体硅铸锭用氮化硅涂层失效机理及改性研究》一文中研究指出氮化硅涂层是多晶硅铸锭必不可少的脱模剂,新型高效多晶硅铸锭对氮化硅涂层提出更高的要求。重点研究了氮化硅涂层在新型高效多晶硅铸锭过程中的失效机理,结果显示,氮化硅的碳化是导致氮化硅涂层与硅熔体间非浸润性降低,以及氮化硅涂层失效的主要原因。采用改进的溶胶-凝胶法(Sol-Gel)结合表面无碳处理制备增强型氮化硅涂层,该涂层在铸锭实验中显示出较高的强度及与硅熔体间良好的非浸润性,能够很好地满足新型高效多晶硅对氮化硅涂层的要求。(本文来源于《无机盐工业》期刊2014年05期）
刘志凯,戴斌煜,张伟,商景利[4]（2013）在《多晶硅铸锭用石英坩埚氮化硅涂层免烧结工艺研究》一文中研究指出研究了石英坩埚氮化硅涂层免烧结工艺。在氮化硅浆料中加入一定量固体和液体粘结剂,使氮化硅粉强有力地吸附在坩埚内壁,喷涂完成后在70～80℃保温2h直接装入硅料,免去了传统涂层制备工艺中坩埚需在1050℃温度下烧结6～7h的工艺过程。此工艺可缩短晶锭的生产周期,提高生产效率,降低生产成本。(本文来源于《特种铸造及有色合金》期刊2013年02期）
巩晓晓,杜海燕,张晓艳[5]（2012）在《多晶硅熔炼用石英坩埚内壁氮化硅涂层的研究》一文中研究指出在多晶硅熔炼过程中,为防止石英坩埚内杂质渗入铸锭对其光转化效率产生影响,目前多采用以水或有机粘结剂为分散介质配制的氮化硅浆料涂覆于坩埚内壁起到隔离作用。但此方法所得涂层与基底结合差,致密度低,在填料过程中导致涂层划伤、脱落。本文以PVP水溶液作为分散介质,在浆料中引入适量硼酸,旨在制备一种高结合强度、高致密度、抗划伤、抗脱落的氮化硅涂层。利用X射线衍射仪、扫描电镜、力学万能试验机等设备,研究了涂层与基底(本文来源于《第十七届全国高技术陶瓷学术年会摘要集》期刊2012-09-19）
周艳华[6]（2012）在《太阳能多晶硅铸锭用石英坩埚氮化硅涂层的免烧工艺》一文中研究指出本文介绍一种太阳能多晶硅片生产过程中,喷涂坩埚免焙烧的工艺,即在氮化硅浆料中加入少许水溶性有机物(粘结剂、防潮剂、分散剂),通过有机高分子的化学吸附和氮化硅粉的物理吸附作用使氮化硅粉强有力地吸附在坩埚内壁,免去了传统工艺中喷涂坩埚在坩埚烧结炉中焙烧21h,焙烧温度为1050℃的工艺。与传统工艺相比,此工艺缩短硅片生产周期,提高生产效率,降低生产成本。(本文来源于《江西科技学院学报》期刊2012年01期）
李家亮,牛金叶[7]（2011）在《多孔石英基体上CVD法沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能研究》一文中研究指出以甲硅烷(20%甲硅烷+80%氢气)和氨气作为反应前驱体,选择孔隙率为20%左右的多孔石英陶瓷基体,采用CVD法在多孔石英基体表面制备了氮化硅涂层。研究了沉积反应温度、反应压力、反应气体配比以及沉积时间等工艺参数对附着力的影响,确定了CVD法制备氮化硅涂层的最佳工艺参数,通过对所得涂层及复合材料进行抗弯强度和介电性能的表征,探讨了氮化硅涂层对多孔石英基体力学性能和介电性能的影响。(本文来源于《硅酸盐通报》期刊2011年05期）
刘美,谭毅,许富民,李佳艳,闻立时[8]（2011）在《冶金提纯多晶硅用坩埚内壁氮化硅涂层的制备》一文中研究指出选用四种溶液与不同含量的氮化硅粉体混合得到不同的悬浊液,在石英坩埚内壁制备了氮化硅涂层,并将其用于冶金法提纯多晶硅;用扫描电镜、电子探针等分析了多晶硅铸锭与坩埚内壁的粘连面积、铸锭表面微裂纹形貌和反应层厚度,得到与最佳多晶硅铸锭脱模相对应的制备涂层的工艺参数,同时分析了熔炼过程中氮化硅涂层与硅熔体间的反应机制。结果表明:将含质量分数为8%聚乙烯吡咯烷酮的乙醇溶液和质量分数为60%氮化硅的悬浊液喷涂到坩埚内壁上,并经210℃×15min烧结后的氮化硅涂层不易分解,坩埚内壁保持完整,铸锭的脱模效果最好;随熔炼温度升高氮化硅涂层分解加剧,在涂层与硅铸锭的接触面处形成了由大颗粒氮化硅组成的连续层,减小了坩埚和涂层中杂质向硅铸锭内部扩散的可能性。(本文来源于《机械工程材料》期刊2011年06期）
朱录涛[9]（2010）在《太阳能多晶硅铸锭用熔融石英坩埚氮化硅涂层的制备》一文中研究指出熔融石英坩埚是生产太阳能多晶硅铸锭的必要容器,为脱模方便,需在其内表面喷涂一层氮化硅.采用高纯氮化硅粉在国产石英坩埚上喷涂,研究喷涂氮化硅浆液时石英基底温度和涂膜厚度对石英坩埚氮化硅涂层结合强度的影响.结果表明:采用高纯氮化硅粉喷涂石英坩埚基底,温度应在40℃以下且喷涂涂层厚度不宜超过80μm.(本文来源于《襄樊学院学报》期刊2010年02期）
刘美[10]（2009）在《冶金法提纯多晶硅过程中氮化硅涂层的研究》一文中研究指出无论是在太阳能电池行业还是半导体工业中,硅都是该领域中基础材料。由于铸造多晶硅成本低廉,目前已经取代单晶硅成为光伏市场的主要原料。多晶硅太阳能电池已经占据光伏市场的50%以上。冶金法是制备太阳能级多晶硅的一种新方法,具有成本低,污染小的优点,其制备过程中需要使用坩埚。工业中通常使用的坩埚是石英或石墨坩埚,熔融硅与坩埚接触时不可避免的产生反应粘连,同时坩埚中的杂质也会进入硅熔体中。高浓度的杂质,如C、O、Fe等将使少子寿命显着降低,影响电池性能。通常在坩埚上涂敷涂层使熔体与坩埚壁隔离,来减少反应粘连使铸锭顺利脱模,并阻止坩埚中的杂质在铸造过程中进入硅中。Si_3N_4由于其自扩散系数低,耐高温,化学稳定性好,通常被用来作为多晶硅铸造中的涂层材料。氮化硅涂层的制备方法很多,但通常工艺复杂,成本高。关于氮化硅涂层对多晶硅影响的研究也比较少。因此,有必要研究工艺简单成本较低的氮化硅涂层制备技术和氮化硅涂层与多晶硅性能之间的关系。本文利用扫描电镜,电子探针,少子寿命测试仪等设备,重点研究了氮化硅涂层的制备工艺与脱模效果的关系,熔炼过程中氮化硅涂层反应机制,氮化硅涂层对多晶硅中杂质、晶体结构和少子寿命的影响。研究结果表明:1、水,无水乙醇,PVA水溶液和PVP乙醇溶液与氮化硅粉组合可制备涂层,其中脱模效果最好的组成为:wt8%PVP乙醇溶液与60wt%Si_3N_4。不经过预处理去除PVA、PVP添加剂的氮化硅涂层更利于脱模。真空熔炼时使用惰性气体增大压强防止氮化硅涂层的分解,有利于脱模。2、温度升高氮化硅涂层的分解加剧,N扩散进入硅熔体达饱和形成新Si_3N_4晶核并长大,最终在接触面处形成由大颗粒Si_3N_4组成的连续层。3、氮化硅涂层使铸锭中杂质含量降低。氮化硅涂层能够阻止坩埚中杂质如C、O、P等进入Si熔体,同时Si_3N_4的分解和新Si_3N_4晶核的形成促进涂层附近的C、Fe、Ca杂质沉淀。SiC沉淀以Si_3N_4晶核为异质核心形成并长大。Fe杂质依附在氮化硅颗粒表面不饱和键或沉积在新Si_3N_4晶核缺陷处形成微米级FeSi_2颗粒。纳米级Fe和Ca沉积物在不均匀分布在涂层附近的SiC缺陷内。4、涂层和硅熔体内的Si_3N_4和SiC沉淀促进孪晶和非孪晶形成并阻碍晶界扩展,使晶粒细化。5、氮化硅涂层显着提高少子寿命。氮化硅涂层促进附近杂质沉淀导致铸锭距离边缘较近的位置杂质较少。同时引起晶粒细化抑制横向定向凝固,导致中心和边缘位置少子寿命高于它们之间的区域。(本文来源于《大连理工大学》期刊2009-06-01）
氮化硅涂层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
在坩埚底部铺设与硅熔体浸润性较好的石英颗粒辅助晶体生长可以生长出晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而提高了多晶硅电池的光电转换效率。研究了氮化硅涂层改性石英颗粒对多晶硅生长和脱模的影响。结果表明,氮化硅涂层改性石英颗粒辅助生长可以获得晶粒细小且分布均匀的柱状晶粒,从而降低多晶硅缺陷密度,提高多晶硅质量,同时实现石英颗粒与晶体硅之间的自发分离,避免多晶硅与石英颗粒间因粘结而产生的应力问题。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
氮化硅涂层论文参考文献
[1].廖春景,董绍明,靳喜海,胡建宝,张翔宇.沉积温度及热处理对低压化学气相沉积氮化硅涂层的影响（英文）[J].无机材料学报.2019
[2].周海萍,尹长浩,张兆玉,钟根香,黄新明.氮化硅涂层改性石英颗粒辅助生长高效多晶硅[J].特种铸造及有色合金.2014
[3].周海萍,尹长浩,黄新明.晶体硅铸锭用氮化硅涂层失效机理及改性研究[J].无机盐工业.2014
[4].刘志凯,戴斌煜,张伟,商景利.多晶硅铸锭用石英坩埚氮化硅涂层免烧结工艺研究[J].特种铸造及有色合金.2013
[5].巩晓晓,杜海燕,张晓艳.多晶硅熔炼用石英坩埚内壁氮化硅涂层的研究[C].第十七届全国高技术陶瓷学术年会摘要集.2012
[6].周艳华.太阳能多晶硅铸锭用石英坩埚氮化硅涂层的免烧工艺[J].江西科技学院学报.2012
[7].李家亮,牛金叶.多孔石英基体上CVD法沉积氮化硅涂层的工艺、结构与性能研究[J].硅酸盐通报.2011
[8].刘美,谭毅,许富民,李佳艳,闻立时.冶金提纯多晶硅用坩埚内壁氮化硅涂层的制备[J].机械工程材料.2011
[9].朱录涛.太阳能多晶硅铸锭用熔融石英坩埚氮化硅涂层的制备[J].襄樊学院学报.2010
[10].刘美.冶金法提纯多晶硅过程中氮化硅涂层的研究[D].大连理工大学.2009