导读:本文包含了自旋极化度论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:圆偏振光抽运-探测光谱,Ga,As量子阱,吸收饱和,复合寿命
自旋极化度论文文献综述
方少寅,陆海铭,赖天树[1]（2015）在《自旋极化度对GaAs量子阱中吸收饱和效应与载流子复合动力学的影响研究》一文中研究指出本文研究了(001)Ga As量子阱薄膜中重空穴激子近共振抽运-探测的载流子自旋弛豫动力学,发现载流子的自旋极化对传统的线偏振光吸收饱和效应和载流子复合动力学都有影响.进一步的抽运流依赖的自旋弛豫和复合动力学研究表明,自旋极化对线偏振光的吸收饱和效应的影响随抽运流降低而变弱.在低激发流时,自旋极化对线偏振吸收饱和效应的影响才可忽略.然而,又显现出自旋极化对复合动力学的影响.分析表明复合动力学的自旋极化依赖性起源于重空穴激子形成浓度的自旋极化依赖性.复合动力学的自旋极化依赖性表明自旋弛豫时间计算中所涉及的复合时间应该使用自旋极化载流子的复合时间.基于二维质量作用定律的激子浓度计算表明,库仑屏蔽效应对激子形成的影响在较低激发载流子浓度下可以忽略.(本文来源于《物理学报》期刊2015年15期）
吕斌[2]（2008）在《具有高居里温度和高自旋极化度的铁磁半导体异质结材料的设计及模拟》一文中研究指出本论文主要研究了Ⅲ-Ⅴ基铁磁半导体异质结的磁性特征。根据铁磁半导体材料的RKKY相互作用理论和Zener模型,自洽求解一维Schr(?)dinger方程和Poisson方程,表征了不同铁磁半导体低维结构及器件的铁磁特征(如居里温度和自旋极化度等)。我们着重研究了铁磁异质结中不同受主杂质类型、掺杂方式及浓度对材料居里温度(T_C)的影响;深入讨论了外加电场对Mn delta掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱居里温度的调制行为;同时也分析了铁磁共振隧穿二极管自旋极化电流和隧穿行为。研究结果对获得高居里温度和高自旋极化度的低维铁磁半导体材料具有一定的指导意义。主要内容如下:一、采用平均场模型对Mn delta掺杂GaAs/p-AlGaAs异质结的双受主行为进行自洽数值计算,探讨了Mn,Be双受主浓度及掺杂方式对材料铁磁性能的影响。我们发现材料的铁磁相变温度随着垒中Be浓度的增加阶跃上升,而随着阱中有效Mn浓度的增加连续变大;分析了不同受主在材料中具体的物理行为及各自对pd相互作用的贡献。在此基础上,我们建立了双受主delta调制掺杂异质结模型,研究表明可以使体系的居里温度提高近70K。二、我们建立了Mn选择性delta掺杂GaAs/AlGaAs宽量子阱结构模型。详细分析了外加电场对其居里温度的调制作用。针对不同的量子阱宽度和Mn delta掺杂的位置,计算了量子体系T_C随外加电场的变化关系。研究表明在宽量子阱(L_w＞20nm)中,通过施加较低的外电场可以使居里温度得到迅速增加。在L_w=40nm,Mn(9/10)L_w掺杂量子阱中,当外加电场达到0.3 meV/nm时,居里温度比未加电场时提高了5倍。所建模型使自旋半导体器件在室温下工作成为可能。叁、利用WinGreen模拟软件,我们探索了InGaN/GaMnN铁磁共振隧穿二极管结构的自旋隧穿行为,着重分析了In组分和温度对电场调节下器件的电流密度和自旋极化度的影响。当量子阱中In浓度为15%(大于积累区In浓度)时,在自旋分裂能很低的情况下(10 meV),可以得到非常显着的自旋分裂电流,低温下可以得到几乎100%的自旋极化度,即使在室温情况下也可以获得8%的自旋极化。同时施加不同电压可以调节隧穿电流的自旋取向。这为利用电场调制自旋电子器件输出电流的自旋取向和极化度提供了有效的方法。(本文来源于《华东师范大学》期刊2008-05-01）
自旋极化度论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本论文主要研究了Ⅲ-Ⅴ基铁磁半导体异质结的磁性特征。根据铁磁半导体材料的RKKY相互作用理论和Zener模型,自洽求解一维Schr(?)dinger方程和Poisson方程,表征了不同铁磁半导体低维结构及器件的铁磁特征(如居里温度和自旋极化度等)。我们着重研究了铁磁异质结中不同受主杂质类型、掺杂方式及浓度对材料居里温度(T_C)的影响;深入讨论了外加电场对Mn delta掺杂的GaAs/AlGaAs量子阱居里温度的调制行为;同时也分析了铁磁共振隧穿二极管自旋极化电流和隧穿行为。研究结果对获得高居里温度和高自旋极化度的低维铁磁半导体材料具有一定的指导意义。主要内容如下:一、采用平均场模型对Mn delta掺杂GaAs/p-AlGaAs异质结的双受主行为进行自洽数值计算,探讨了Mn,Be双受主浓度及掺杂方式对材料铁磁性能的影响。我们发现材料的铁磁相变温度随着垒中Be浓度的增加阶跃上升,而随着阱中有效Mn浓度的增加连续变大;分析了不同受主在材料中具体的物理行为及各自对pd相互作用的贡献。在此基础上,我们建立了双受主delta调制掺杂异质结模型,研究表明可以使体系的居里温度提高近70K。二、我们建立了Mn选择性delta掺杂GaAs/AlGaAs宽量子阱结构模型。详细分析了外加电场对其居里温度的调制作用。针对不同的量子阱宽度和Mn delta掺杂的位置,计算了量子体系T_C随外加电场的变化关系。研究表明在宽量子阱(L_w＞20nm)中,通过施加较低的外电场可以使居里温度得到迅速增加。在L_w=40nm,Mn(9/10)L_w掺杂量子阱中,当外加电场达到0.3 meV/nm时,居里温度比未加电场时提高了5倍。所建模型使自旋半导体器件在室温下工作成为可能。叁、利用WinGreen模拟软件,我们探索了InGaN/GaMnN铁磁共振隧穿二极管结构的自旋隧穿行为,着重分析了In组分和温度对电场调节下器件的电流密度和自旋极化度的影响。当量子阱中In浓度为15%(大于积累区In浓度)时,在自旋分裂能很低的情况下(10 meV),可以得到非常显着的自旋分裂电流,低温下可以得到几乎100%的自旋极化度,即使在室温情况下也可以获得8%的自旋极化。同时施加不同电压可以调节隧穿电流的自旋取向。这为利用电场调制自旋电子器件输出电流的自旋取向和极化度提供了有效的方法。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
自旋极化度论文参考文献
[1].方少寅,陆海铭,赖天树.自旋极化度对GaAs量子阱中吸收饱和效应与载流子复合动力学的影响研究[J].物理学报.2015
[2].吕斌.具有高居里温度和高自旋极化度的铁磁半导体异质结材料的设计及模拟[D].华东师范大学.2008
标签：圆偏振光抽运-探测光谱; Ga; As量子阱; 吸收饱和; 复合寿命;