导读:本文包含了物理汽相沉积论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:并五苯,物理汽相沉积,生长模型,薄膜
物理汽相沉积论文文献综述
徐淑东[1]（2008）在《物理汽相沉积并五苯半导体薄膜及其生长机理》一文中研究指出本文利用氮气携带法在物理气相沉积水平生长系统中,生长了均匀的并五苯有机半导体薄膜,用SEM对薄膜表面做了形貌分析,探讨了其生长机理。有机半导体薄膜的生长模型可分为:岛状生长模式:对很多薄膜与衬底的组合来说,只要沉积温度足够高,沉积的原子具有一定的扩散能力,薄膜的生长就表现为岛状生长模式。即使不存在任何对形核有促进作用的有利位置,随着沉积原子的不断增加,衬底上也会聚集许多薄膜的叁维核心。层状生长模式:当被沉积物质与衬底之间的浸润性很好时,被沉积物质的原子更倾向于与衬底原子键合。层状一岛状生长模式:在最开始的一两个原子层的层状生长之后,生长模式从层状模式转化为岛状生长模式。导致这种模式转变的物理机制比较复杂,但根本的原因可以归结为薄膜生长过程中各种能量的相互消长。影响并五苯薄膜的生长过程和成膜质量的因素:(a)衬底表面的粗糙度。因为衬底表面与分子之间作用力(范德华力)不强,分子在光滑的表面容易发生扩散作用,衬底表面太粗糙影响分子在衬底表面的扩散,直接影响二维小岛的形成,所以衬底越光滑越好。(b)源的加热温度。加热温度越高,越不容易形成彼此相连的薄膜。这是因为源的温度过高,分子沉积过快,分子在衬底表面没来得及扩散就被吸附到小岛的顶部,第二层开始生长,形成了很大的晶界。(c)衬底的温度。衬底温度过高,容易发生脱附作用,对成膜不利;衬底温度也不能过低,如果温度过低,分子不容易在衬底表面扩散,所以衬底的温度要根据衬底的种类进行选择。本实验中气流量也是影响薄膜生长的重要因素,气流量过大,分子没来得及落到衬底表面就被吹走;而气流量太小,不容易使气体在小石英管内形成对流,成膜不均匀。由SEM的图像可明显看出并五苯薄膜呈多层生长模式,小岛的顶端又有新的并五苯薄膜生长。经过反复实验,发现加热温度在T=240℃,(此时衬底的温度为70℃),气流量为0.04L/h能形均匀的薄膜。(本文来源于《大连理工大学》期刊2008-05-16）
任兆杏,盛艳亚[2]（1991）在《微波ECR等离子体物理汽相沉积研究和应用》一文中研究指出研究了用微波电子回旋共振(ECR)技术蒸发镀Ti膜、Cu膜。沉积速率达50.0nm/min左右,基片温度50～150℃。获得了附着力强的非晶态模层,进行了ECR溅射镀膜。采用较高的等离子体密度、电离度及负的基片电位,制作了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。该膜层致密,呈非晶态,膜厚1.0μm,沉积速率达10.0nm/min。结果表明,ECR等离子体沉淀技术是能够在低压下产生高密度、高电离度的等离子体,这种等离子体是薄膜沉积工艺和表面处理技术中最合适的等离子体源。(本文来源于《中国核科技报告》期刊1991年S3期）
任兆杏,盛艳亚,史义才,闻海虎,曹效文[3]（1991）在《微波ECR等离子体物理汽相沉积研究和应用(英文)》一文中研究指出研究了用微波电子回旋共振(ECR)技术蒸发镀Ti膜、Cu膜。沉积速率达50.0nm/min左右,基片温度50～150℃。获得了附着力强的非晶态膜层。进行了ECR溅射镀膜,采用较高的等离子体密度、电离度及负的基片电位,制作了YBaCuO超导薄膜。该膜层致密、呈非晶态、膜厚1.0μm,沉积速率达10.0nm/min。结果表明,ECR等离子体沉淀技术是能够在低压下产生高密度、高电离度的等离子体,这种等离子体是薄膜沉积工艺和表面处理技术中最合适的等离子体源。(本文来源于《中国核科技报告》期刊1991年00期）
任兆杏,盛艳亚,史义才[4]（1990）在《微波ECR等离子体辅助物理汽相沉积技术》一文中研究指出微波电子回旋共振（ＥＣＲ）能够在低气压下产生高密度、高电离度的等离子休．这种等离子体是离子镀最合适的等离子体源，可广泛地应用于等离子体沉积薄膜和表面处理的新工艺，生产高质量的各种金属薄膜、氮化物膜，碳化物膜、氧化物膜、硅化物膜及其他化合物膜．本文着重介绍微波ＥＣＫ等离子体辅助物理汽相沉积（ＥＣＲＰＰＶＤ）技术．(本文来源于《物理》期刊1990年08期）
孙亦宁[5]（1989）在《兰州物理研究所最新研制成功的热灯丝化学汽相沉积金刚石薄膜》一文中研究指出有各种方法,可用于在低压下合成金刚石膜。我们采用了热钨丝辅助化学气相沉积的方法。这个方法的优点是成膜比较均匀,且比较容易按比例放大。在一真空系统内置一个加热炉,以提供衬底从600℃到800℃的温度范围,在衬底上方置一钨灯丝,其工作在1700℃到1900℃,甲烷和氢气按一定比例混合后进入沉积室,甲烷所占的体积比为0.5%—1%,剩余的是氢气。在生长过程中,热钨丝在甲烷的作用下,将生成 W_2C,其电阻率也相应变(本文来源于《真空与低温》期刊1989年01期）
杨学明,魏子珍,蔡以超,曹海波[6]（1988）在《ZnSe晶体的物理汽相沉积生长》一文中研究指出本文报道了用物理汽相生长(PVD)法生长 ZnSe 透明多晶体的实验结果;对生长的晶体物理化学性能进行了测试;讨论了汽相沉积工艺中影响 ZnSe 晶体质量的因素。(本文来源于《人工晶体》期刊1988年02期）
范仲清[7]（1985）在《电子束物理汽相沉积的发展情况(资料综述)》一文中研究指出本文概要地叙述电子束物理汽相沉积的种类,性能对比,国外发展水平和发展动向,重点说明真空蒸发和离子涂复技术的现状和发展动向,对发展我国电子束汽相沉积产品也提出了一些建议。(本文来源于《电炉》期刊1985年04期）
物理汽相沉积论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
研究了用微波电子回旋共振(ECR)技术蒸发镀Ti膜、Cu膜。沉积速率达50.0nm/min左右,基片温度50～150℃。获得了附着力强的非晶态模层,进行了ECR溅射镀膜。采用较高的等离子体密度、电离度及负的基片电位,制作了Y-Ba-Cu-O超导薄膜。该膜层致密,呈非晶态,膜厚1.0μm,沉积速率达10.0nm/min。结果表明,ECR等离子体沉淀技术是能够在低压下产生高密度、高电离度的等离子体,这种等离子体是薄膜沉积工艺和表面处理技术中最合适的等离子体源。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
物理汽相沉积论文参考文献
[1].徐淑东.物理汽相沉积并五苯半导体薄膜及其生长机理[D].大连理工大学.2008
[2].任兆杏,盛艳亚.微波ECR等离子体物理汽相沉积研究和应用[J].中国核科技报告.1991
[3].任兆杏,盛艳亚,史义才,闻海虎,曹效文.微波ECR等离子体物理汽相沉积研究和应用(英文)[J].中国核科技报告.1991
[4].任兆杏,盛艳亚,史义才.微波ECR等离子体辅助物理汽相沉积技术[J].物理.1990
[5].孙亦宁.兰州物理研究所最新研制成功的热灯丝化学汽相沉积金刚石薄膜[J].真空与低温.1989
[6].杨学明,魏子珍,蔡以超,曹海波.ZnSe晶体的物理汽相沉积生长[J].人工晶体.1988
[7].范仲清.电子束物理汽相沉积的发展情况(资料综述)[J].电炉.1985