导读:本文包含了本征层论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:晶相比,纳米硅,薄膜太阳能电池
本征层论文文献综述
李娟,冯国林[1]（2016）在《薄膜太阳能中纳米硅本征层晶相比对电池性能影响的研究》一文中研究指出我们在建立pin型纳米硅薄膜太阳能电池模型的基础上,利用有效介质理论分析了纳米硅的光吸收系数和光学带隙与晶相比的关系。运用AMPS-1D程序模拟分析了纳米硅本征层晶相比对电池性能影响。结果表明纳米硅本征层太阳电池的晶化率在40%-60%时,电池的效率比较高。(本文来源于《科技创新与应用》期刊2016年30期）
邱美艳,赵晓宾,于冬安,张庆宝[2]（2015）在《本征层厚度对非晶硅迭层电池电流匹配的影响》一文中研究指出采用PECVD技术制备a-Si:H/a-Si:H迭层双结非晶硅电池,研究了本征层厚度对迭层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间,得到不同厚度比例的本征层(di1:di2),经过实验对比发现I层总体厚度为650 nm,di1:di2=1:5时得到的电池组件短路电流(Isc)和最大功率(Pmax)都是最大值。此时迭层电池的电流得到了较好的匹配,实现了工艺参数的优化。(本文来源于《电子元件与材料》期刊2015年02期）
苗丽华,张东,赵琰,李昱材[3]（2014）在《本征层为In_xGa_(1-x)N结构柔性太阳能电池研究》一文中研究指出本文研究一种可调带隙量子阱结构的柔性衬底太阳能电池及制备方法。本论文研究的太阳能电池具体结构是:Al电极/GZO/P型nc-Si:H/I层本征InxGa1-xN/N型nc-Si:H/GZO/Al背电极/AlN/PI柔性衬底;其制备方法是首先磁控溅射制备AlN绝缘层和Al背电极,然后采用ECR-PEMOCVD依次沉积GZO基透明导电薄膜、N型nc-Si:H薄膜、InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜、P型nc-Si:H薄膜、GZO基透明导电薄膜,最后制备金属Al电极。由于本征层InxGa1-xN量子阱本征晶体薄膜具有可调禁带宽度,对该结构的太阳能电池起着巨大的作用,很大程度上提高了该结构太阳能电池的效率。(本文来源于《中国科技信息》期刊2014年16期）
陈阳洋,雷青松,曾祥斌,何俊刚,薛俊明[4]（2013）在《本征层工艺参数对微晶硅太阳电池开路电压的影响》一文中研究指出采用甚高频等离子化学增强气相沉积系统(VHF-PECVD)制备器件质量级本征微晶硅薄膜,研究薄膜的光电性质和结晶性质.结果表明:随硅烷浓度增加,薄膜材料的光敏性增加,晶化率减小;辉光功率增加,薄膜材料的光敏性减小,晶化率增加.将本征微晶硅薄膜应用到微晶硅薄膜太阳电池中,测试电池的I-V特性,获得开路电压.结果表明:硅烷浓度增加,电池的开路电压增加;辉光功率增加,电池的开路电压减小.(本文来源于《微电子学与计算机》期刊2013年08期）
曹宇,张建军,李天微,黄振华,马峻[5]（2013）在《微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化》一文中研究指出采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,研究了辉光功率对微晶硅锗材料结构特性和光电特性的影响,提出使用功率梯度的方法制备微晶硅锗薄膜太阳电池本征层.优化后的微晶硅锗本征层不仅保持了晶化率纵向分布的均匀性,而且形成了沿生长方向由宽到窄的渐变带隙分布,使电池的填充因子和短路电流密度都得到了提高.采用此方法制备的非晶硅/微晶硅锗双结迭层电池转换效率达到了9.54%.(本文来源于《物理学报》期刊2013年03期）
丁艳丽,谷锦华[6]（2011）在《微晶硅太阳电池中的p型层对本征层结构特性的影响》一文中研究指出本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了p型微晶硅层对本征微晶硅薄膜结构特性的影响。实验结果表明:在薄膜生长初期,与玻璃衬底上生长的本征微晶硅薄膜相比,微晶p层上的硅薄膜表面粗糙度较大,非晶孵化层较薄;随本征薄膜厚度的增加,玻璃衬底上生长的本征微晶硅薄膜的粗糙度大于微晶p层上生长的本征微晶硅薄膜,相比之下,微晶p层上的本征微晶硅薄膜生长得比较均匀。(本文来源于《真空》期刊2011年05期）
袁育杰,侯国付,薛俊明,韩晓艳,刘云周[7]（2008）在《微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响》一文中研究指出采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.(本文来源于《物理学报》期刊2008年06期）
张燕[8]（2008）在《N型衬底HIT太阳电池计算机模拟及本征层钝化作用研究》一文中研究指出1994年,日本叁洋公司研发了一种用氢化非晶硅层作为发射层,n型织构单晶作为衬底的高效异质结太阳电池。这种太阳电池同时具备了非晶硅和晶体硅太阳电池的优点,尤其是非晶硅对晶体硅表面具有异常优越的钝化能力同时起窗口层的作用,不但能大大提高电池效率,而且在工艺上易于实现。目前,文献报道国内在n型衬底和p型衬底上制备的HIT电池效率与叁洋公司的结果存在一定的差距,对于非晶/单晶异质结太阳电池机理和实验现象还有待进一步研究。1.本文采用德国的HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅/单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差。在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit),发现当Dit>10~(12)cm~(-2)eV~(-1)时,电池的开路电压和填充因子均大幅减小,导致电池效率的降低。当在非晶硅/单晶硅异质结界面处加入本征非晶缓冲层后,电池的性能明显改善,但是缓冲层厚度应控制在30nm以内。模拟的a-Si/i-a-Si:H/c-Si/ i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的最高转换效率达到28.47%。2.利用等离子体气相沉积设备在晶体硅衬底上制备硅基薄膜,通过测量少子寿命,研究了本征氢化硅基薄膜对晶体硅衬底的钝化作用,并得到了性能优异的本征钝化层参数,并分别分析了设备各个因素条件变化对薄膜特性及薄膜对晶体硅钝化作用的影响,并对薄膜样品进行拉曼测量及对其进行高斯分解,证明了该样品为非晶结构,证明完全非晶态的本征层对晶体硅有着更好的钝化效果,为HIT太阳电池制备中本征层薄膜指明了发展方向。(本文来源于《河北工业大学》期刊2008-01-01）
唐鹏举[9]（2007）在《纳米硅薄膜太阳电池本征层的制备及性能研究》一文中研究指出随着第叁代新型纳米薄膜太阳电池的问世,具有优良光电特性的纳米硅薄膜成为当前光伏电池技术研究开发的热点。纳米硅薄膜材料不仅光敏性好,光暗电导比高,而且跟非晶硅相比,其光电导在长时间光照下的衰减要小得多。更为重要的是由于薄膜中纳米晶粒的量子尺寸效应,使得我们能够通过改变工艺参数调节晶粒大小和晶化度来控制其光学带隙,从而实现薄膜渐变带隙的能带工程设计。本论文主要采用射频磁控溅射的方法研究了纳米硅薄膜的制备工艺,在玻璃和单晶硅衬底上分别制备出高质量的纳米硅薄膜,并且对纳米硅薄膜的量子特性,光电特性以及电导机制进行了一定的理论分析。同时,利用X射线衍射分析(XRD)、扫描电子显微技术(SEM)、傅立叶红外吸收光谱、紫外吸收光谱等现代微观分析手段测试分析了样品的微观结构形貌、纳米晶粒尺寸大小、硅氢键合情况以及薄膜的光学带隙,并从中总结出各种工艺参数(衬底温度,气体压强,H2比例等)对薄膜各项性能的影响,从而摸索出一套比较理想的射频磁控溅射制备纳米硅薄膜的工艺条件,为进一步纳米硅薄膜太阳电池的制备研究打下了坚实的基础。射频磁控溅射工艺同传统的PECVD纳米硅薄膜制作工艺相比,避免了后期的退火或诱导晶化等工序,简化了工艺流程;同时其较低的沉积温度使得纳米硅薄膜能在各种玻璃、塑料、有机柔性衬底上沉积,更适合薄膜电池的发展及利用。(本文来源于《华中科技大学》期刊2007-06-01）
韩大星,王万录,张智[10]（1999）在《非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布》一文中研究指出用弥散性输运控制的复合机理完善地解释了非晶硅ｐｉｎ 二极管电致发光谱的特征，从而澄清了许多年来对电致发光效率及峰值的误解．描述了用电致发光谱术研究非晶硅ｐｉｎ太阳能电池本征层中局域态的实验方法．结果表明：采用 Ｈ２ 稀释方法制备的样品，其缺陷态能量分布呈单一窄峰；而用纯硅烷制备的样品其缺陷态能量分布较宽，且呈双峰．(本文来源于《物理学报》期刊1999年08期）
本征层论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
采用PECVD技术制备a-Si:H/a-Si:H迭层双结非晶硅电池,研究了本征层厚度对迭层电池功率及短路电流的影响。通过调节顶电池和底电池本征层的沉积时间,得到不同厚度比例的本征层(di1:di2),经过实验对比发现I层总体厚度为650 nm,di1:di2=1:5时得到的电池组件短路电流(Isc)和最大功率(Pmax)都是最大值。此时迭层电池的电流得到了较好的匹配,实现了工艺参数的优化。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
本征层论文参考文献
[1].李娟,冯国林.薄膜太阳能中纳米硅本征层晶相比对电池性能影响的研究[J].科技创新与应用.2016
[2].邱美艳,赵晓宾,于冬安,张庆宝.本征层厚度对非晶硅迭层电池电流匹配的影响[J].电子元件与材料.2015
[3].苗丽华,张东,赵琰,李昱材.本征层为In_xGa_(1-x)N结构柔性太阳能电池研究[J].中国科技信息.2014
[4].陈阳洋,雷青松,曾祥斌,何俊刚,薛俊明.本征层工艺参数对微晶硅太阳电池开路电压的影响[J].微电子学与计算机.2013
[5].曹宇,张建军,李天微,黄振华,马峻.微晶硅锗太阳电池本征层纵向结构的优化[J].物理学报.2013
[6].丁艳丽,谷锦华.微晶硅太阳电池中的p型层对本征层结构特性的影响[J].真空.2011
[7].袁育杰,侯国付,薛俊明,韩晓艳,刘云周.微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响[J].物理学报.2008
[8].张燕.N型衬底HIT太阳电池计算机模拟及本征层钝化作用研究[D].河北工业大学.2008
[9].唐鹏举.纳米硅薄膜太阳电池本征层的制备及性能研究[D].华中科技大学.2007
[10].韩大星,王万录,张智.非晶硅电致发光机理及用电致发光谱研究太阳能电池本征层中的缺陷态能量分布[J].物理学报.1999