导读:本文包含了硅薄膜太阳电池论文开题报告文献综述及选题提纲参考文献，主要关键词:锌黄锡矿,CZTSSe太阳电池,柔性,钼箔
硅薄膜太阳电池论文文献综述
余雪,程树英,孙全震,杨志远,张彩霞[1]（2019）在《基于柔性钼衬底的铟掺杂Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池》一文中研究指出阳离子取代法是提高Cu_2ZnSn(S,Se)_4太阳电池效率的有效方法。在本文中,我们通过分子前驱体溶液法用In微量取代Sn,在柔性钼箔上制备了具有不同In/(Sn+In)比例的Cu_2ZnSn_(1-x)In_x(S,Se)_4(CZTISSe)太阳电池。结果表明,随着In掺杂比例(In/(Sn+In))从0增至12%,CZTISSe体相中并无杂相引入;Eg的变化并不明显(微弱的先减后增);表面形貌明显改善,晶粒尺寸明显增加;薄膜电学性能得到改善,载流子浓度和迁移率有所增加,最优In掺杂比例为9%。微量In掺杂可以取代Sn,形成In_(Sn)浅能级缺陷,有效减少Cu_(Sn)反位缺陷和Sn相关的深能级缺陷,提高短路电流密度,改善开路电压损耗,改善带尾,提高电池性能。其效率高达7.19%(x=9%),与未掺杂的电池相比,效率提高了2.78%,开路电压提高了62 mV,开路电压损耗降低了136 mV。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
严琼,程树英,余雪,张彩霞,孙全震[2]（2019）在《柔性Cu_2Zn_(1-x)Cd_xSn(S,Se)_4薄膜太阳电池中的寄生分流研究》一文中研究指出对于太阳电池而言,高重复性与高效率同样重要。Dongaonkar S等人的研究表明,在实验室级别的小面积电池中,寄生分流过大是导致电池重复性差的原因之一~([1])。为了寻找提高电池重复性的解决方案,我们尝试用含有叁条并联电流通路的等效电路模型~([2])拟合J-V曲线,并分析电流分流的机理。Cd掺杂可以显着减少电流分流损耗,体现为:(i) Cd掺杂有利于促进晶粒长大,减少吸收层中的针孔和低阻晶界,降低载流子复合几率,抑制CdS与Mo背电极之间的短路,从而减少欧姆分流;(ii) Cd掺杂抑制了CZTSSe/CdS界面的非均匀扩散和反应,从而降低隧道电流(弱二极管电流),即拟合参数中的弱二极管理想因子A_2和饱和电流J_(02)都降低;(iii)Cd掺杂抑制了CZTSSe或ITO/i-ZnO与缓冲层中的Cd反应,减少了有害的MSM (metal-semiconductor-metal)微通道接触,从而抑制空间电荷泄露电流,即拟合参数中的系数K和功率因子m都下降。Cd掺杂通过减少电流分流损耗,提高了异质结质量,从而电池的光、暗交叉点J_X升高,R_(sh)和FF显着增加,A和J_0均显着降低。公式表明FF的变化主要来源于A、J_0和R_(sh)的影响,说明减小寄生电流分流损耗的主要因素是FF。此外,Cd~(2+)部分取代Zn~(2+)能显着降低Zn_(Cu)反位缺陷和Cu/Zn阳离子无序,从而抑制带尾态(E_U从24meV降至15meV)。C-V测试得到载流子浓度N_(C-V)由10.37x10~(15)cm~(-3)下降到6.33x10~(15)cm~(-3),表明晶体结构的无序性降低。当Cd/(Zn+Cd)=8%时,器件性能最佳,电池效率为6.49%,FF从48.11%提高到57.26%,V_(oc)从355mV提高到386mV。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
李建军,尤小辰,麦耀华[3]（2019）在《CZTSe薄膜太阳电池铜空位缺陷激活》一文中研究指出铜锌锡硫硒(CZTSSe)是一种低成本、高性能的薄膜太阳电池吸收层材料,具有与CIGS相似的结构和性能,理论效率高达30%。CIGS优异的光伏性能源于其主导型受主缺陷-Cu空位具有很浅的能级(0.02-0.05 eV)。但由于CZTSSe体系中Cu空位的形成能较高,并且Cu空位很容易与Zn_(Cu)、Sn_(Zn)施主型补偿缺陷形成缺陷对,因此Cu空位难以被激活并提供自由载流子。理论计算表明CZTSSe中的自由载流子主要来源于Cu_(Zn)替位型缺陷,而这种缺陷能级较深(0.12-0.2 eV),在室温下不完全电离,容易捕获自由载流子。从而导致CZTSSe电池具有严重的crossover现象、填充因子偏低、低温下载流子容易被冻结等特点。本文通过抑制施主型补偿缺陷的形成,显着提高了CZTSe吸收层的电学性能,降低带尾态密度。导纳谱测试结果表明CZTSe中Cu空位可以被激活,并在常温下提供自由载流子,从而有效的抑制了crossover现象,并显着提高了器件的填充因子。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
蒋杰,杨穗,时亚广,田心怡,单锐[4]（2019）在《Cu_2Sn_(1-x)Ge_xS_3薄膜太阳电池梯度带隙结构的优化》一文中研究指出通过改变Ge/(Ge+Sn)组分可以调节Cu_2Sn_(1-x)Ge_xS_3(CTGS)带隙宽度在0.9～1.56eV范围内变化,通过设计优化梯度带隙结构可以提高电池效率。本文模拟研究了叁种包括均匀带隙、单梯度带隙(包括前后偏析结构)以及双梯度带隙结构对电池性能的影响,以实现CTGS太阳电池性能的最优化。计算结果表明当均匀带隙结构的Ge/(Ge+Sn)组分在0.4～0.6范围内,最高效率为15.65%,表明掺杂Ge元素后可以有效提高CTS电池的开路电压。单梯度带隙的计算表明后偏析结构可全面提升电池性能,其获得的最佳效率在前者的基础上提升了4%。这是由于后偏析结构带来的背面场效应有效减少了背电极的复合,增强了载流子的收集效率,因此提升了V_(oc)和J_(sc)。而前偏析结构虽然对Voc的改善有所贡献,但对于光生载流子的收集有较强的阻碍作用,因此退化了电池性能。双梯度结构虽然结合了前两者的长处,但由于CTGS/CdS较大的导带阶失调值作用,因此对电池性能的改善作用不太明显。此外,我们考虑了不同缺陷态浓度的影响,研究发现当叁种缺陷态浓度超过1×10~(16)cm~(-3)的阈值时电池效率大幅下降。通过研究不同背电极功函数φ_m(4.95eV和5.2eV)的对电池性能影响表明,Mo/CTGS处有较大的Schottky势垒,对光生空穴造成了浪费,导致电池性能的退化。而选择功函数为5.2eV的背电极材料时双梯度带隙结构的电池效率最高可以达到19.5%。因此适合作为CTGS太阳电池背电极的材料要求具有较高的功函数。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
刘芳洋,潘逸宁,赖延清,李劼,刘业翔[5]（2019）在《铜锌锡硫薄膜太阳电池的界面工程》一文中研究指出铜锌锡硫具有光吸收系数高、带隙宽度合适,而且在自然界中以矿物形式存在,具有稳定性好、成本低廉和环境友好等优势,是极具发展前景太阳电池光吸收层材料。本报告针对铜锌锡硫薄膜太阳电池在背接触和异质结两个核心界面存在的关键科学问题开展系统研究。对于背接触界面,采用插入中间层抑制铜锌锡硫与钼界面副反应的思路,考察了硼化钛、银、碳、铋和氧化铝等中间层材料对背接触界面行为以及器件性能的影响,其中采用氧化铝中间层通过"自组装开孔"的形式,既抑制了界面副反应,又能维持器件基本结构的优势,因而获得了最优的器件性能,经Newport测试的光电转换效率达到9.2%,超越了丰田研究中心9.1%的光电转换效率,为纯硫铜锌锡硫薄膜太阳电池2017年最高光电转换效率。对于异质结界面,针对界面"cliff"型能级排列导致界面缺陷复合严重的问题,分别通过"p型铜锌锡硫表面外延生长n型硫化镉"降低界面缺陷和"锌合金化的硫化镉缓冲层"优化能级排列的方式来予以改善,均实现了器件性能的有效提升;在此基础上提出"可控互扩散"的方式对异质结进行退火,同时实现异质结界面能级排列的优化和界面缺陷密度的降低,进一步提升器件的光电转换性能:经NREL测试的光电转换效率达到11.0%,为目前纯硫铜锌锡硫薄膜太阳电池的国际最高光电转换效率,且1平方厘米铜锌锡硫薄膜太阳电池首次突破了10%光电转换效率。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
林硕,陈焕庭,李细荣[6]（2019）在《硫化亚锡薄膜太阳电池中光生载流子产生、复合和输运机制研究》一文中研究指出硫化亚锡(SnS)作为一种新型的薄膜光伏电池材料,引起了科学界的广泛关注。无机Sn S薄膜在制备光伏器件方面有许多的优点:它的直接带隙为1.2–1.5eV,在可见光区具有很高的吸收系(α>10~4cm~(–1));其组成元素S和Sn在地球上储量丰富、廉价、无毒,有很好的环境相容性。本研究组最近在SnS薄膜电池方面开展了一些理论模拟方面的研究工作~([1-3])。本文采用InGaN和AlGaN薄膜作为SnS异质结薄膜太阳电池的新型窗口层,通过理论模拟的方法,研究了In_xGa_(1-x)N/SnS和Al_xGa_(1-x)N/SnS异质结薄膜电池的光伏特性,重点研究了不同In组分和不同Al组分对SnS异质结薄膜电池性能的影响。通过研究发现,In_xGa_(1-x)N/SnS电池的性能随着In组分的降低而提高,其中GaN/SnS电池产生了最高的光电转换效率。随着GaN窗口层厚度的减少和SnS吸收层厚度的增加,GaN/SnS电池的效率有所提升。对于Al_xGa_(1-x)N/SnS电池,在Al_xGa_(1-x)N/SnS异质结界面存在着电子势垒;随着Al组分的升高,电子势垒也随之升高,导致了Al_xGa_(1-x)N/SnS电池效率的降低。SnS薄膜中的缺陷和薄膜晶体质量是制约SnS基太阳电池效率提升的一个关键性因素。通过理论模拟,对含有杂质能级或缺陷能级的SnS同质结太阳电池中的光生载流子产生、复合和输运机制进行深入研究。本文分别采用AMPS软件中的寿命模式和俘获截面模式研究了光生载流子产生和复合;在俘获截面模式的模拟中重点讨论了分立能级和Gaussian能级的复合对电池性能的影响。本文还对电池的光照非平衡态能带结构、内建电场分布和电流输运情况进行了对比分析。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
李刚,刘宇凡,刘涛,郭春升,梁晓杨[7]（2019）在《Cd_xZn_(1-x)S缓冲层在Sb_2Se_3薄膜太阳电池中的应用》一文中研究指出硒化锑(Sb_2Se_3)是一种二元化合物材料,具有1)单一物相结构,2)合适的光学带隙(1.1-1.3eV),3)高吸光系数,4)低毒性,5)高元素丰度等优良特性,被证明是一种优异的吸光层材料。已报道的硒化锑薄膜太阳电池器件光电转换效率已达9.2%~([1]),具有广阔的应用前景。在CdS/Sb_2Se_3异质结薄膜太阳电池中,能带排列起着重要作用。本文主要研究了叁元缓冲层Cd_xZn_(1-x)S在硒化锑薄膜太阳电池中的应用。研究结果表明,Cd/Zn元素比值不仅影响了缓冲层的光学带隙,而且改变了缓冲层与吸收层界面上的能带排列。此外,结果表明,"尖峰"状能带结构抑制了界面的复合速率,从而提高了器件的开路电压和填充系数。电化学阻抗谱分析表明, Cd_xZn_(1-x)S/Sb_2Se_3太阳电池比CdS/Sb_2Se_3太阳电池具有更高的复合电阻和更长的载流子寿命。具有最佳导带偏移量(0.34 eV)的Cd_xZn_(1-x)S/Sb_2Se_3太阳能电池取得最高光电转换效率6.71%,相对于参考的CdS/Sb_2Se_3太阳电池提高了32.1%。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
仓卿飞,袁宁一,丁建宁[8]（2019）在《一种N/P/P+结构Sb_2Se_3薄膜太阳电池的探究》一文中研究指出基于S_b2Se_3为吸收层的薄膜太阳能电池的转换效率最高已达7.6%。但其效率还有进一步提高的空间。本课题主要利用蒸汽传输沉积法(VTD)研究的Sb_2Se_3薄膜的制备和太阳电池的制备研究。通过调整温度与距离等工艺条件,制备出性能良好的Sb_2Se_3薄膜,并探究太阳电池的结构,最终达到提高器件性能的作用,我们尝试了对N/P/P~+结构的探究,在以VTD法制备的Sb_2Se_3薄膜上,以共溅射的方法制备了一层薄的CuSbSe_2的P~+层,使P型层的载流子浓度从10~(13)cm~(-3)提升到了10~(15)cm~(-3),电池效率从4.58%提升到了5.41%。(本文来源于《第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集》期刊2019-05-25）
王敏[9]（2019）在《新型碲化镉薄膜太阳电池制备研究》一文中研究指出碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池是目前市场份额仅次于晶体硅太阳电池的光伏电池,其具有成本低、温度系数小、弱光性能优异等优势,有重要的研究与商业应用价值。CdTe是直接带隙半导体材料,薄膜的禁带宽度为1.45 eV,接近于太阳电池材料理想的禁带宽度值。此外,CdTe在可见光波段内的吸收系数高达105 cm-1,1 μm的厚度就足够吸收90%以上的能量高于其禁带宽度的光子。因而,CdTe是较为理想的太阳电池吸收层材料。目前,CdTe薄膜太阳电池的实验室最高效率高达22.1%,组件效率也达到18.6%,全球装机总量已超过20 GW。然而,CdTe太阳电池仍存在一些基础性问题有待解决。例如:传统的CdS窗口层会限制电池对波长小于510 nm的光子的利用,降低电池的短路电流,进而影响电池的性能;原材料Te的稀缺也限制了CdTe太阳电池的进一步发展,可能会导致组件成本的波动。为提高效率、降低成本,本文针对电池的窗口层材料和吸收层厚度进行了相应的研究。第一章,简述了太阳电池的背景与历史,介绍了太阳电池的工作原理与输出特性,概述了CdTe薄膜太阳电池的优势、结构与现状。第二章,新型掺镁氧化锌(MZO)窗口层CdTe薄膜太阳电池的研究。使用SCAPS软件对不同带隙MZO窗口层的CdTe太阳电池的性能进行数值模拟,结果显示,MZO薄膜带隙为3.6～3.7 eV时,电池的性能较为优异。实验制备出不同Mg含量、带隙在3.24～3.72 eV之间的MZO薄膜和以其作为窗口层的电池器件。实验表明,随MZO薄膜中Mg含量的增加,电池的效率具有增大的趋势,与模拟的结果相吻合,但整体效率远低于模拟值,较低的开路电压与填充因子是造成这一现象的主要原因。制备了不同厚度的MZO窗口层的电池,结果显示MZO厚度为60 nm时电池的性能最佳。研究了不同MZO薄膜热处理温度对电池性能的影响,实验表明,热处理可以显着地提高电池的性能,而提高MZO薄膜的载流子浓度、结晶质量,降低薄膜的缺陷浓度,优化界面处的能带配置等是电池性能提升的关键。第叁章,超薄CdTe太阳电池的研究。实验制备出吸收层厚度仅为50～200 nm的超薄CdTe电池,相比于传统CdS/CdTe结构的电池,即使超薄电池的吸收层厚度降至标准电池的～1%时,其短路电流仍能维持在原来的1/3左右,即8.2 mA/cm2。结果表明,短路电流与开路电压随吸收层厚度的减小而降低是引起效率衰减的原因。短路电流的降低主要归结于不充分的光吸收。开路电压的降低可以归结于漏电的增加、光生电流的减小和背接触复合的增加等。分析了超薄电池的漏电机制,发现欧姆漏电随CdTe层厚度的减小而急剧增加。表征了超薄CdTe电池在极端条件下的性能,结果表明,开路电压的降低是限制电池在弱光或高温条件下性能的主要因素。第四章,PERC(Passivated Emitter and Rear Cell,即钝化发射极和背面电池)晶硅太阳电池用烧穿型铝浆料及电池性能的研究。浆料由合作公司制备,相关公司制备了4种可以烧穿PERC电池减反层、钝化层的高活性铝浆料。本文对不同浆料的烧穿性能进行了对比研究,实验结果显示,随烧穿程度的增大,接触电阻率显着地下降,填充因子具有上升的趋势,开路电压具有下降的趋势。研究表明,性能优异的烧穿型铝浆料需要同时满足:避免烧结过程中铝粉与玻璃粉反应,并可以确保烧蚀均匀性。第五章,归纳了本论文的主要研究工作内容与结论,展望了CdTe薄膜太阳电池未来的发展趋势。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-20）
李珣[10]（2019）在《碲化镉薄膜太阳电池制备及相关薄膜材料研究》一文中研究指出CdTe是一种具有较高吸收系数的直接带隙半导体材料,其在可见光范围内的吸收系数在104-106 cm-1之间;CdTe作为一种二元化合物,容易制备得到高质量的单相薄膜;CdTe的禁带宽度约为1.45 eV,与太阳光谱较为匹配。基于上述特点,CdTe作为一种理想的光伏材料受到了广泛的关注,以CdTe薄膜作为吸收层的CdTe薄膜太阳电池也成为了薄膜太阳电池领域的佼佼者。目前,CdTe薄膜太阳电池的最高转换效率为22.1%,组件的最高转换效率可达18.6%。CdTe薄膜太阳电池取得了巨大的成功,但同时我们也应当看到,一些基础科学问题仍未得到很好的解决,比如:各异质结界面处能带结构对载流子输运的影响;低阻稳定背接触的制备;CdTe材料中载流子与声子之间的相互作用及其对器件的影响;各薄膜材料之间的互扩散情况等。针对这些问题,本文主要从以下几个方面进行了研究:第一章,简要回顾了太阳电池的发展历程,对太阳电池的原理及基本特性进行了讨论,并对不同种类的太阳电池进行了简单介绍。第二章,高转换效率CdTe太阳电池的制备。讨论了CdTe太阳电池的制备流程。优化了磁控溅射制备CdS薄膜的工艺,通过改变溅射气氛中氧气的含量调控了CdS:O窗口层的禁带宽度,进而提升了电池的短路电流密度。通过近空间升华法制备了CdTe薄膜,并优化了薄膜的热处理时间。通过在CdTe上制备不同的背接触结构,进而在背电极处得到了良好的欧姆接触。在一系列工艺优化的基础上,制备了高转换效率CdTe太阳电池。第叁章,新型背接触缓冲层CdTe太阳电池的制备与研究。研究了 CuI和ZnTe:Cu作为CdTe太阳电池背电极缓冲层材料对电池性能的影响。分析了CdTe/CuI界面处的能带结构,发现CdTe/CuI界面处价带匹配得很好,光生空穴从CdTe传输到CuI不需要克服任何势垒;CdTe/CuI界面处导带存在较大偏移,它会阻止电子往背电极方向的传输,从而降低载流子在背接触处的复合,进而提高电池的开路电压。在背电极处使用化合物CuI代替金属单质Cu,避免了Cu在电池内部的快速扩散,电池的稳定性亦得到提升。制备了具有ZnTe:Cu背接触缓冲层的CdTe太阳电池,讨论了快速热处理对ZnTe:Cu背电极以及太阳电池的影响。通过优化快速热处理工艺,CdTe太阳电池的转换效率从13.3%提高到16.2%,其中开路电压从0.744 V提高到0.841 V,提高了 13%。该工作是与本实验室同学合作完成的。第四章,多晶CdTe薄膜共振拉曼散射及声子非简谐效应研究。通过调节激发光波长,观测到了 CdTe的共振拉曼散射。研究了声子的非简谐效应以及CdTe禁带宽度改变对共振拉曼散射的影响。研究了不同温度下多晶CdTe薄膜中的晶格动力学,发现由于非简谐效应,CdTe的纵光学(LO)声子会衰变为横光学(TO)和横声学(TA)声子。对拉曼散射峰进行了拟合,发现了源自表面晶格振动的表面光学(SO)模式的散射峰。使用共振拉曼散射探究了CdTe晶粒尺寸对激子-声子耦合的影响。第五章,新结构CdTe太阳电池的制备及薄膜互扩散的拉曼散射研究。制备了具有新型窗口层结构的CdTe太阳电池,分析了窗口层材料对电池外量子效率的影响。使用拉曼散射技术研究了CdSe和CdTe之间的互扩散,结果表明当温度高于300 ℃时,CdSe和CdTe之间会发生剧烈的互扩散。第六章,总结与展望。对本论文的工作进行了总结,并对现阶段CdTe太阳电池面临的问题及未来的发展趋势进行了分析。(本文来源于《中国科学技术大学》期刊2019-05-18）
硅薄膜太阳电池论文开题报告
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
对于太阳电池而言,高重复性与高效率同样重要。Dongaonkar S等人的研究表明,在实验室级别的小面积电池中,寄生分流过大是导致电池重复性差的原因之一~([1])。为了寻找提高电池重复性的解决方案,我们尝试用含有叁条并联电流通路的等效电路模型~([2])拟合J-V曲线,并分析电流分流的机理。Cd掺杂可以显着减少电流分流损耗,体现为:(i) Cd掺杂有利于促进晶粒长大,减少吸收层中的针孔和低阻晶界,降低载流子复合几率,抑制CdS与Mo背电极之间的短路,从而减少欧姆分流;(ii) Cd掺杂抑制了CZTSSe/CdS界面的非均匀扩散和反应,从而降低隧道电流(弱二极管电流),即拟合参数中的弱二极管理想因子A_2和饱和电流J_(02)都降低;(iii)Cd掺杂抑制了CZTSSe或ITO/i-ZnO与缓冲层中的Cd反应,减少了有害的MSM (metal-semiconductor-metal)微通道接触,从而抑制空间电荷泄露电流,即拟合参数中的系数K和功率因子m都下降。Cd掺杂通过减少电流分流损耗,提高了异质结质量,从而电池的光、暗交叉点J_X升高,R_(sh)和FF显着增加,A和J_0均显着降低。公式表明FF的变化主要来源于A、J_0和R_(sh)的影响,说明减小寄生电流分流损耗的主要因素是FF。此外,Cd~(2+)部分取代Zn~(2+)能显着降低Zn_(Cu)反位缺陷和Cu/Zn阳离子无序,从而抑制带尾态(E_U从24meV降至15meV)。C-V测试得到载流子浓度N_(C-V)由10.37x10~(15)cm~(-3)下降到6.33x10~(15)cm~(-3),表明晶体结构的无序性降低。当Cd/(Zn+Cd)=8%时,器件性能最佳,电池效率为6.49%,FF从48.11%提高到57.26%,V_(oc)从355mV提高到386mV。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
硅薄膜太阳电池论文参考文献
[1].余雪,程树英,孙全震,杨志远,张彩霞.基于柔性钼衬底的铟掺杂Cu_2ZnSn(S,Se)_4薄膜太阳电池[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[2].严琼,程树英,余雪,张彩霞,孙全震.柔性Cu_2Zn_(1-x)Cd_xSn(S,Se)_4薄膜太阳电池中的寄生分流研究[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[3].李建军,尤小辰,麦耀华.CZTSe薄膜太阳电池铜空位缺陷激活[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[4].蒋杰,杨穗,时亚广,田心怡,单锐.Cu_2Sn_(1-x)Ge_xS_3薄膜太阳电池梯度带隙结构的优化[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[5].刘芳洋,潘逸宁,赖延清,李劼,刘业翔.铜锌锡硫薄膜太阳电池的界面工程[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[6].林硕,陈焕庭,李细荣.硫化亚锡薄膜太阳电池中光生载流子产生、复合和输运机制研究[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[7].李刚,刘宇凡,刘涛,郭春升,梁晓杨.Cd_xZn_(1-x)S缓冲层在Sb_2Se_3薄膜太阳电池中的应用[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[8].仓卿飞,袁宁一,丁建宁.一种N/P/P+结构Sb_2Se_3薄膜太阳电池的探究[C].第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会论文集.2019
[9].王敏.新型碲化镉薄膜太阳电池制备研究[D].中国科学技术大学.2019
[10].李珣.碲化镉薄膜太阳电池制备及相关薄膜材料研究[D].中国科学技术大学.2019
标签：锌黄锡矿; CZTSSe太阳电池; 柔性; 钼箔;